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模拟电路的ESD设计

《模拟电路的ESD设计》是2014年1月出版的一本图书，作者是刘忠立。

模拟电路的ESD设计基本信息

书名模拟电路的ESD设计
作者刘忠立
出版时间2014年1月
页数368 页
定价79.00
开本16 开
装帧精装
ISBN9787118093261
版次1版1次
出版基金装备科技译著出版基金
字数523
中图分类TN710.02

模拟电路的ESD设计目录

第1章引言1 1.1 ESD软件工具Prism中的模拟及数字部分的内容1 1.2 重要的定义3 1.2.1 ESD保护网络3 1.2.2 ESD箝位4 1.2.3 最大限制的绝对值及脉冲SOA5 1.2.4 ESD脉冲技术指标6 1.2.5 击穿及不稳定性6 引言的DECIMMTM仿真例子10 第2章击穿及注入情形下半导体结构中的电导调制11 2.1 重要的定义及限制11 2.1.1 基本的半导体结构11 2.1.2 电导调制及负微分电阻12 2.1.3 空间电流的不稳定性、丝状电流形成及抑制13 2.1.4 快返回工作14 2.1.5 本章内容的方法要点16 2.2 反向偏置p-n结的雪崩击穿16 2.2.1 雪崩击穿现象的解析描述17 2.2.2 p -p-n 结构中雪崩击穿的数值分析19 2.3 p-i-n结构中的双雪崩注入22 2.3.1 效应的解析描述22 2.3.2 p-i-n二极管结构的解析描述22 2.4 Si n -n-n 二极管结构中的雪崩注入24 2.4.1 解析方法25 2.4.2 仿真分析26 2.5 n-p-n二极管结构中电导调制的不稳定性27 2.5.1 浮置基区中的电导调制：二极管工作模式27 2.6 三极管n-p-n结构中的电导调制29 2.6.1 基极接地UEB=0（BVCES）时的击穿29 2.6.2 发射极浮置IE=0时的情形30 2.6.3 共发射极电路IB<0时的雪崩注入30 2.6.4 共发射极电路正偏基极电流IB>0时的雪崩注入35 2.6.5 共基极电路中的雪崩注入37 2.7 PNP结构中的雪崩注入38 2.8 Si p-n-p-n结构中的双注入40 2.8.1 等效电路40 2.8.2 p-n-p-n结构中的电导调制仿真41 2.9 有负微分电阻的半导体结构中空间电流的不稳定性现象43 2.9.1 雪崩注入时丝状电流的形成45 2.9.2 双雪崩注入电导调制中的丝状电流效应48 2.9.3 双注入情形中的电流丝效应48 2.10 小结49 第2章的DECIMMTM仿真例子50 第3章集成电路工艺技术的标准器件及ESD器件51 3.1 集成电路工艺技术的ESD细节考虑51 3.1.1 具有扩展电压元件的典型DGO CMOS工艺51 3.1.2 BCD及BiCMOS集成工艺流程的ESD细节考虑62 3.2 ESD脉冲状态的安全工作区65 3.2.1 保持可靠性的SOA及电流不稳定性范围66 3.2.2 ESD状态的脉冲SOA67 3.2.3 BCD工艺中典型器件的ESD SOA69 3.2.4 ESD器件的不稳定性范围及SOA72 3.2.5 ESD器件的物理限制、空间热逸散74 3.3 CMOS工艺中的低压ESD器件77 3.3.1 快返回NMOS77 3.3.2 FOX(TFO)ESD器件80 3.3.3 LVTSCR和FOXSCR82 3.3.4 低压雪崩二极管83 3.4 BJT工艺中的ESD器件86 3.4.1 集成NPN BJT器件86 3.4.2 双极SCR87 3.5 BCD及扩展电压CMOS工艺中的高压ESD器件89 3.5.1 LDMOS-SCR及DeMOS-SCR器件89 3.5.2 横向PNP BJT器件91 3.5.3 高压雪崩二极管95 3.6 双向器件96 3.6.1 CMOS工艺中双向器件结构96 3.6.2 高压双向器件99 3.6.3 基于Si-Ge NPN BJT结构的双向ESD器件100 3.7 ESD二极管及无源元件 104 3.7.1 正向偏置ESD二极管104 3.7.2 无源元件106 3.8 小结111 第3章的DECIMMTM仿真例子111 第4章 ESD箝位117 4.1 有源NMOS箝位119 4.2 具有内部阻挡结参考或dV/dt导通的低压箝位121 4.2.1 快返回NMOS箝位121 4.2.2 瞬态触发PMOS箝位126 4.2.3 10V FOX快返回器件126 4.2.4 LVTSCR及FOX-SCR箝位128 4.2.5 高保持电压的LVTSCR箝位130 4.2.6 SCR箝位中的触发特性控制132 4.3 ESD箝位中的电压和电流参考137 4.3.1 BiCMOS工艺中的低压箝位138 4.3.2 具有电压参考的NPN箝位140 4.4 高压ESD器件142 4.4.1 具有内部阻挡结参考的20V NPN142 4.4.2 具有外部横向雪崩二极管参考的NPN箝位143 4.4.3 基于SCR的高压箝位143 4.4.4 横向LPNP箝位144 4.4.5 混合器件-电路双模式方法144 4.5 自保护概念148 4.5.1 器件级自保护148 4.5.2 阵列级自保护149 4.6 超高压电路的ESD保护152 4.7 小结154 第4章的DECIMMTM仿真例子154 第5章 ESD网络设计原理163 5.1 基于轨道的ESD保护网络164 5.1.1 基于轨道和局部的ESD保护164 5.1.2 采用快返回箝位基于轨道的ESD保护166 5.1.3 采用有源箝位基于轨道的ESD保护168 5.1.4 BiCMOS工艺中有源箝位设计的细节考虑171 5.1.5 双极差分输入保护176 5.1.6 双极输出保护179 5.1.7 CMOS 输入和输出保护181 5.1.8 阵列级的考虑183 5.1.9 二级保护的概念185 5.2 基于局部箝位的ESD保护网络191 5.2.1 局部ESD保护191 5.2.2 串行数据线引脚情形研究192 5.2.3 EEPROM中擦除引脚的保护193 5.2.4 内部引脚的局部保护196 5.2.5 高速I/O引脚的局部保护198 5.3 多电压域的ESD网络200 5.3.1 多电压域200 5.3.2 具有单一有源箝位网络的多电压域保护201 5.3.3 差分输入局部双向ESD保护202 5.4 具有ESD紧密模型的ESD网络仿真203 5.4.1 用于快返回NMOS及PMOS器件的紧密模型204 5.4.2 快返回LVTSCR模型204 5.4.3 扩展电压快返回紧密模型205 5.4.4 高压漏极开路的电路分析210 5.5 小结211 第5章的DECIMMTM仿真例子211 第6章单通道模拟电路的ESD设计219 6.1 放大器220 6.1.1 放大器的产品系列及技术指标 220 6.1.2 放大器的ESD解决方案224 6.1.3 双极输出高压音频放大器226 6.1.4 低压放大器的双极输出保护227 6.1.5 输入保护229 6.1.6 CMOS输出230 6.2 数-模转换器和模-数转换器230 6.2.1 高速DAC的功能模块231 6.3 高速接口I/O引脚234 6.3.1 接口类模拟产品234 6.3.2 集成电路电缆放电事件的测试程序235 6.3.3 满足CDE要求的接口引脚ESD保护 237 6.4 小结238 第6章的DECIMMTM仿真例子239 第7章电源管理电路的ESD保护247 7.1 电源管理产品247 7.1.1 电源管理产品及ESD挑战247 7.1.2 集成的DC-DC转换器及控制器250 7.1.3 集成电源阵列251 7.2 低压电源电路ESD263 7.2.1 低压电源开关模块263 7.2.2 降压DC-DC转换器265 7.2.3 低压开关引脚的局部快返回保护266 7.3 集成高压调节器的ESD保护270 7.3.1 集成异步降压调节器270 7.3.2 同步调节器273 7.4 控制器280 7.4.1 异步降压-升压（SEPIC）控制器280 7.4.2 同步降压控制器283 7.5 光管理单元和LED驱动器285 7.5.1 模拟LED技术285 7.5.2 LED驱动器286 7.5.3 光管理单元287 7.6 其他例子的研究292 7.6.1 电源阵列-ESD箝位的相互作用292 7.6.2 N型外延层-N型外延层的瞬态闩锁294 7.6.3 高压引脚保护的CDM297 7.7 小结301 第7章的DECIMMTM仿真例子302 第8章系统级和分立元件的ESD309 8.1 系统级规范和标准309 8.1.1 ESD鲁棒系统的意义309 8.1.2 系统级ESD脉冲及模型312 8.1.3 系统级事件的瞬态闩锁316 8.1.4 系统级的保护元件319 8.2 晶圆片人体金属模型测量319 8.2.1 晶圆片HMM测试仪及脉冲等效电路321 8.2.2 HMM-HBM元件的相关性322 8.3 系统级引脚的片上设计325 8.3.1 系统级保护的电路例子325 8.4 热交换及热插拔329 8.4.1 二级SCR ESD器件的概念330 8.5 系统级封装的保护334 8.6 分立元件的ESD鲁棒性335 8.6.1 高可靠性系统中的分立元件335 8.6.2 分立元件的ESD要求336 8.6.3 有缺陷器件的基本数值分析及二晶体管模型337 8.6.4 分立元件鲁棒性的实验评估340 8.7 小结344 第8章的DECIMMTM仿真例子345 参考文献348"

模拟电路的ESD设计造价信息

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模拟信号采集卡

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网口采集卡USB5621A/5622多功能采集卡模拟信号采集Labview卡数据采集卡 USB5622
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阿尔泰科技
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北京阿尔泰科技发展有限公司
报价时间：
2022-12-07

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模拟信号采集卡

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模拟信号转换器

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ABB(中国)有限公司上海分公司
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模拟信号转换器

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CC-E RTD/I 24V DC 输出:4-20 mA
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ABB(中国)有限公司上海分公司
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2022-12-07

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模拟信号转换器

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CC-E RTD/V 24V DC 输出:0-10 V
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ABB(中国)有限公司上海分公司
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2022-12-07

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电

规格型号：
机械用
价格行情：
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kW·h
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阳江市2022年10月信息价
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建筑工程
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机械用
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机械用
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电路游戏1

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不含税费 | 含运费
询价时间：
2022-10-24

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2022-09-14

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2022-09-16

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电路改造

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满足项目设备电路应用,敷设6平方50米220V电缆,含配电控制开关、插座等;
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材料品牌：
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2021-12-08

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模拟电路的ESD设计内容简介

本书首先介绍半导体结构、集成标准及ESD器件、ESD箝位设计原理以及ESD保护网络设计原理，在此基础上介绍单通道模拟集成电路的ESD保护以及电源管理模拟集成电路的ESD保护，最后介绍系统的ESD保护以及系统对分立元件的ESD要求。本书不仅可以作为教科书学习，加深对半导体器件及电路ESD知识的理解，而且可以通过给出的大量例子练习以及推荐的软件，去帮助读者解决在实际中碰到的ESD难题，因而，本书是一本理论同应用高度结合的工具书。本书适合从事集成电路设计及系统应用的广大科技人员阅读，也可以作为相关领域研究生和大学生的教学参考书。

模拟电路的ESD设计常见问题

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电路型式图①是反相输入型积分电路，其输出电压是将输入电压对时间的积分值除以时间所得的商，即Vout=-1/C1R1∫Vin dt，由于受运放开环增益的限制，其频率特性为从低频到高频的-20dB/dec...
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模拟电路的ESD设计文献

模拟电路教学案例

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大小：1.2MB

页数： 58页

总课时号任课班级 11 电子科目模拟电子技术备课时间上课时间课时数 10 课题名称项目一任务一制作与测试二极管整流电路背景分析电子电路的工作原理及所具有的不同功能，都与电子线路中所使用的半导体器件的类型、性能、工作状态有关。因此，熟悉并掌握半导体器件的基本知识，就成为学习与应用电子线路的关键。本章所介绍的二极管就是一种常用的半导体器件，其用途十分广泛。教学目标确立知识与技能 1.了解二极管的基本知识； 2.掌握单相整流电路的组成 3.理解单相整流电路的工作原理。 4.会识别二极管并能对其进行检测； 5.会制作与检测单相桥式整流电路；过程与方法采用项目引领，任务驱动的教学模式，实现 “做中教、做中学，教学做合一” 的教学理念，培养学生的自主学习能力和动手实践能力。情感态度与价值观 1.通过创设情景、实物演示，激发学生的好奇心和求知欲； 2.

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模拟电路习题2

模拟电路习题2

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ESD设计与综合目录

前言 致谢 第1章ESD设计综合 第2章ESD架构和平面布局 第3章ESD电源网络设计 第4章ESD电源钳位 第5章ESD信号引脚网络的设计与综合 第6章保护环的设计与综合 第7章ESD全芯片设计——集成与结构

ESD设计与综合内容提要

《ESD设计与综合》是Steven H.Voldman博士所著的《ESD Design and Synthesis》的中文翻译版。本书的目的在于教会读者半导体芯片上ESD设计的“艺术”。全书的线索将按照如下顺序：版图布局、结构、电源轨及电源轨的ESD网络、ESD信号引脚解决方案、保护环还有一大批实现的实例。这条线索同其他已公开的大部分相关资料不同，但却更贴近实际团队在实现ESD设计过程中所采用的方法。除此之外，本书还将为读者介绍当下处于热议的许多结构和概念。同时还将展示如DRAM、SRAM、图像处理芯片、微处理器、混合电压到混合信号应用，以及版图布局等实例。最后，本书还将介绍其他资料中尚未讨论过的话题，包括电源总线结构、保护环、版图布局。本书主要面向需要学习和参考ESD相关设计的工程师，或需要学习ESD相关知识的微电子学和集成电路设计专业高年级学生和研究生。

ESD静电二极管（ESD）

静电保护元件(ElertroStaticDischarged Protection)防静电管ESD静电二极管简称ESD，是一种过压、防静电保护元件，是为高速数据传输应用的I/O端口保护设计的器件。 优恩ESD静电二极管封装规格有：SOD-323封装、SOD-523封装、SOD-882封装、DFN-1006封装、DFN-1006BP封装、DFN-1006DN封装、SOD-882封装、SOD-923封装、SO-08封装、SOP-14封装、SOP-16封装、SOT-23封装、SOT-25封装、SOT-26封装、SOT-143封装、SOT-323封装、SOT-353封装、SOT-363封装、SOT-553封装、SOT-563封装、DSON-10封装、MSOP-08封装、DFN2010P8封装、DFN2510P10封装、DFN2626P10封装、EMI系列、高分子ESD静电二极管系列、SOD-123封装、DFN0603(0201)封装、SO-06封装、SOT-363封装、DFN2510封装等规格系列。 产品电压：2.5V-70V 产品特性：反应速度快（小于1ns），电容值低，体积小，集成度高，封装多样化，漏电流低，电压值低（最低可做到2.5V）有助于保护敏感的电子电路不受静电放电（ESD）事件的破坏，是理想的高频数据保护器件。 产品作用：ESD静电二极管并联于电路中，当电路正常工作时，它处于截止状态（高阻态），不影响线路正常工作，当电路出现异常过压并达到其击穿电压时，它迅速由高阻态变为低阻态，给瞬间电流提供低阻抗导通路径,同时把异常高压箝制在一个安全水平之内，从而保护被保护IC或线路；当异常过压消失，其恢复至高阻态，电路正常工作。 产品应用：静电保护元件被广泛应用于HDMI接口、便携式视频设备、LCD等离子电视、USB2.0和USB3.0接口、GPS系统、便携设备（PDA、DSC、蓝牙）、打印机接口、卫星接收器、DVI、天线等进而改善对敏感电子元件的保护。 ESD保护器件是用来避免电子设备中的敏感电路受到ESD(静电放电)的影响。可提供非常低的电容，具有优异的传输线脉冲（TLP）测试，以及IEC6100-4-2测试能力，尤其是在多采样数高达1000之后，进而改善对敏感电子元件的保护。

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