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《模拟电子学基础(第2版)》是电子学基础课程中关于模拟电子学部分的教材。包含电路分析基础、半导体器件、基本放大器、集成放大器、反馈以及信号处理电路等内容。在内容安排上重点讨论模拟电子学中最基本的电路概念;在原理上阐述各种基本电路的结构特点与工作特性;从基本模型或基本电路结构出发进行大量的分析。对于具体应用电路,只作典型电路的介绍。
1 集成函数发生器ICL8038电路结构〔1〕 函数发生器ICL8038的电路结构如图1虚线框内所示,共有5个组成部分。2个电流源的电流分别为IS1和IS2,且IS1=I,IS2=2I;2个电压比较器...
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模拟电子开关和继电器各有所长。模拟电子开关也叫固态继电器,没有触点、寿命长、不受使用环境限制。但控制电流不能太大。继电器有触点、寿命相对短一些、特殊环境需加防爆装置。电流大。
《模拟电子技术基础》习题答桉
1 第 1章习题及答案 1.1.在图题 1.1 所示的各电路图中 E=5V, tu i sin10 V,二极管的正 向压降可忽略不计,试分别画出输出电压 ou 的波形。 E + - E + - + - + - iu ou R D + - + - iu ou RD E + - + - + - iu ou R D E + - + - + - iu ou RD (a) (b) (c) (d) 图题 1.1 解:(a)图:当 iu > E 时, ou = E,当 iu < E 时, io uu 。 (b)图:当 iu < E 时, oi uu ;当 iu > E 时, Eu o 。 (c)图:当 iu < E 时, Eu o ;当 iu > E 时, io uu 。 (d)图:当 iu > E 时, io uu ;当 iu < E 时, Eu o 。 画出 ou 波形如图所示。 2 Vui
模拟电子试题及答案
1 《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题:(每空 1分 共 40分) 1、PN结正偏时( 导通 ),反偏时(截至 ),所以 PN结具有(单向 )导 电性。 2、漂移电流是(反向 )电流,它由(少数 )载流子形成,其大小与(温度 ) 有关,而与外加电压(无关 )。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为( 0 ),等效成一条直线;当其反 偏时,结电阻为(无穷大 ),等效成断开; 4、三极管是(电流 )控制元件,场效应管是(电压 )控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏 ),集电结反偏 )。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流 Ic(增大 ),发射结压降(减小 )。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基 )、( 共集 )、(共射 ) 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流 )负反馈,为了稳定交 流输出电流采用(电压 )负反馈。
本书是《模拟电子学基础》一书的教学参考书,基本章节完全按照《模拟电子学基础》一书安排。每章基本分为三个部分:第一部分是本章内容的重点和难点,并以例题讲解和问题回答的方式对重点和难点进行讲解;第二部分是《模拟电子学基础》一书中习题与思考题的详细解答;第三部分则介绍了一些在《模拟电子学基础》一书中没有涉及的一些扩充内容。
本书适用于高等学校的电气、电子类和其他相关专业,可以作为学生的辅导资料,也可以作为教师的教学参考,还可以供相关领域工程技术人员参考。
《固态电子学基础》一书曾在Florida大学用了6个学期,这也作为向电子工程三年级约300名学生讲授固态器件核心课程的教科书。物理、科学及其他工程系的大学生及研究生也参加了这门课程的学习。本书分三部分:(1)3章电子材料物理及4章器件(MOSC,p/n-m/s-欧姆二极管,MOST-FETs,BJT-HBJTs及SCRs),每章包含:(2)历史、制作、物理特性及电路模型,以及(3)基本模块电路。其中每章第二部分中的扩展内容可选作第二门课程,并可在材料及器件物理基础、器件模型及复杂集成电路的基本模块电路(B3C)方面作为做实际工作的工程师及管理人员的参考书。例如:先进的器件物理(消离化及重掺杂效应、亚阈值电流、高场迁移率、MOSC、p/n和m/s结的反向电容及电流瞬变、欧姆接触……)、最新的(1990-1991)器件概念(异质结MOSFET及异质结BJT……)、可靠性机制(沟道热电子注入、Fowler-Mordheim隧穿、带间热空穴产生和注入、p型硅栅1.2eV比n型硅栅的欠可靠……),以及B3C(BiC-MOS,CBiCMOS,DRAM,SRAM,UV-EPROM,flash-EEPROM及FRAM)。本书从大一学生的化学及大二学生的物理基础(Newtom,Coulomb,Planck及de Broglie定律)出发给出了器件物理所需的基本概念(电子及空穴、价键及能带模型、平衡及非平衡态、统计分布、漂移与扩散、产生-复合-俘获及隧穿)。本书还给出了如亚微米硅MOSFET及硅BJTs等最先进的器件的物理意义及数值说明。近100种经精选及评论的中高等水平的参考书以及约500道习题均可用以扩展本书范围外的学习。
《模拟与数字电路实验》系配合《模拟电子学基础》与《数字逻辑基础》两门技术类平台课程教学而编写的基础实验教材。全书主要分为模拟电子学基础实验、数字逻辑基础实验、印刷电路板设计基础实验三个部分。教材编写的立足点是使用当代EDA工具进行基础实验仿真教学,以有限课时对理论课程涉及的理论与概念进行全面分析与验证,使绝大多数学生能够充分理解与掌握理论基础概念、培养对电子信息类课程学习的兴趣、提高分析与解决问题能力,达到电子信息类课程的教学目的。《模拟与数字电路实验》所有实验也适于电路的实际制作与仪器测量。《模拟与数字电路实验》可作为大专院校电子信息科学与技术、微电子与固体电子学、生物医学工程、自动控制等专业的教材和教学参考书。也可供上述及相关专业的工程技术人员参考。