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VDMOS是垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管。
垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管
VDMOS兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点，无论是开关
应用还是线形应用，VDMOS都是理想的功率器件，VDMOS主要
应用于电机调速、逆变器、不间断电源、电子开关、高保真音响、汽车电器和电子镇流器等。
特征: 接近无限大的静态输入阻抗特性，非常快的开关时间，导通电阻正温度系数，近似常数的跨导， 高dV/dt。
制造过程: 先在重掺杂N衬底上生长一层N型外延层，由P型基区与N源区的两次横向扩散结深之差形成沟道，这两个区域在离子注入过程中都是通过栅自对准工艺注入各自的掺杂杂质。
沟槽型VDMOS源区的不同制作方法研究
沟槽型VDMOS源区的不同制作方法研究
沟槽VDMOS产品为满足电性能力要求,源极区域必须与p型体区短接,为了达到此目的,传统的做法是,源极需要进行一次光刻,在p型体区中做出阻挡源区注入的胶块,然后再进行源区注入。提出几种其他的制作方式,可以省去源区光刻,但同样可以达到原来的目的。诸如,通过刻蚀Si孔将源区与p型体区短接;或者利用刻蚀出的沟槽侧壁做屏蔽进行源区注入;利用凸出沟槽的多晶硅做屏蔽进行源区注入。这些办法都可简化工艺流程,缩短制造周期,节约制造成本,增强器件可靠性,提高产品的竞争力。
一种高速可靠的VDMOS高位开关电路
一种高速可靠的VDMOS高位开关电路
VDMOS场效应功率晶体管具有双极型和一般MOS器件的优点。但这种器件作为高速高位开关电路应用时 ,由于驱动电压发生电路的设计中存在某些因素会影响整个开关电路的性能和整个电路的体积、重量和价格。针对这些影响因素 ,设计了一个VDMOS高速高位开位电路。该电路具有开关速度高 ,体积小 ,重量轻、价格廉等优点。该电路经过实际应用 ,在开关技术性能方面取得了满意的结果
80年代以来，迅猛发展的超大规模集成电路技术给高压大电流半导体注入了新的活力，一批新型的声控功放器件诞生了，其中最有代表性的产品就是VDMOS声效应功率晶体管。
这种电流垂直流动的双扩散MOS器件是电压控制型器件。在合适的栅极电压的控制下，半导体表面反型，形成导电沟道，于是漏极和源极之间流过适量的电流
VDMOS兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点。与双极晶体管相比，它的开关速度，开关损耗小;输入阻抗高，驱动功率小;频率特性好;跨导高度线性。特别值得指明出的是，它具有负的温度系数，没有双极功率的二次穿问题，安全工作出了区大。因此，不论是开关应用还是线性应用，VDMOS都是理想的功率器件。
现在，VDMOS器件已广泛应用于各种领域，包括电机调速、逆变器、不间熠电源、开关电源、电子开关、高保真音响、汽车电器和电子镇流器等。由于VDMOS的性能价格比已优于比极功率器件，它在功率器件市声中的份额已达42%。并将继续上升。
小功率MOS管是横向导电器件。
电力MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET）。
按垂直导电结构的差异，分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET）。
这里主要以VDMOS器件为例进行讨论。
电力MOSFET的工作原理（N沟道增强型VDMOS）
截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。
P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。
导电：在栅源极间加正电压UGS
当UGS大于UT时，P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电 。
本书介绍了电力电子器件的基本结构、工作原理、特性参数及基本应用方法。内容包括半导体器件理论基础、二极管（包括普通整流二极管、肖特基二极管、普通快恢复二极管、FRED等）和晶体管、晶闸管及其派生器件、GTR和GTO、功率MOS（包括沟槽栅MOS和VDMOS同步整流）、SIT和SITH、IGBT（包括NPT-IGBT、PT-IGBT、Sense IGBT等）、IPM、MCT和器件散热问题。
本书的内容是电力电子技术中关于电力电子器件及其应用技术的重要部分，较全面地反映了电力电子器件自20世纪90年代以来的最新成就。这些内容是确定和解决各种具体的电力电子电路及装置疑难问题的不可替代的基础。本书的使用对象是工业电气自动化专业和电力电子专业的本科和专科学生，硕士研究生也可参考选用。
本书对具体从事开关电源、UPS、逆变焊机、逆变器等具体电力电子装置的开发研制、生产和维修人员也有较大的参考价值；也可作为应用、制造和推广销售电力电子器件的工程师的参考书。
VDMOS管基本简介