在nMOSFET晶体管的基体由p类型硅组成，正面地充电流动孔作为载体。 当正面电压是应用的在门， 电场造成孔从接口被排斥，创造a 势垒区包含固定消极地被充电的接受器离子。 在门电压的进一步增加最终造成电子出现于接口，在什么称逆温层，或者渠道。 电子密度在接口同一样孔密度在中立粒状材料称门限电压历史的门电压。 实际上门限电压是有足够的电子在做MOSFET来源之间的一个低抵抗举办的道路和排泄的逆温层的电压。

如果门电压在门限电压之下，晶体管被关闭，并且理想地没有潮流从流失到晶体管的来源。 实际上，有潮流甚而为门偏心在门限之下(次于最低限度的漏出)潮流，虽然它是小的并且随门偏心变化指数地。

如果门电压在门限电压之上，晶体管在渠道起动，由于那里是许多电子在氧化物硅接口，创造低抵抗渠道，潮流可能从流失流动到来源。 重大电压在门限之上，这个情况被要求强的反向。 渠道逐渐变细，当 vD > 0 因为电压下落由于当前流动在抗拒渠道减少支持渠道的氧化物领域，当流失接近。2100433B

U ：上门限，U-：下门限

门限宽度

与之相关的算法较多，有自适应组装算法，其优点是克服了固定门限组装算法无法适应输入业务动态变化的缺陷，获得较好的网络性能。为了减小IP分组的组装时延，有人提出了一种流量预测的组装算法，通过线性预测的方法预测数据突发长度，在数据突发组装完成之前就发送控制分组为其预留资源，将组装时间和偏置时间部分重叠，可以在很大程度上降低IP分组的时延，还有人提出了一种复合组装算法，通过将多种QoS等级的IP分组按照一定的顺序组装到一个数据突发中，可以提供更多等级的QoS保证。