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逆导晶闸管的符号、等效电路如图1(a)、(b)所示。其伏安特性见图2。由图显见,逆导晶闸管的伏安特性具有不对称性,正向特性与普通晶闸管SCR相同,而反向特性与硅整流管的正向特性相同(仅坐标位置不同)。
断态重复峰值电压VDRM
通态平均电流IT(AV)
最大通态电压VT
最大反向导通电压VTR
最大门极触发电压VGT
最大门极触发电流IGT
关断时间toff
通态电压临界上升率du/dt
通态浪涌电流ITSM
逆导晶闸管RCT(Reverse-Conducting Thyristir)亦称反向导通晶闸管。其特点是在晶闸管的阳极与阴极之间反向并联一只二极管,使阳极与阴极的发射结均呈短路状态。由于这种特殊电路结构,使之具有耐高压、耐高温、关断时间短、通态电压低等优良性能。例如,逆导晶闸管的关断时间仅几微秒,工作频率达几十千赫,优于快速晶闸管(FSCR)。该器件适用于开关电源、UPS不间断电源中,一只RCT即可代替晶闸管和续流二极管各一只,不仅使用方便,而且能简化电路设计。
小弟电子菜鸟,对晶闸管的工作原理有一点不了解,下图为晶闸管的等效电路
T1的发射结本身就是一个二极管,与T1的导通无关,只要在A点加正电压,那么T1发射结正向导通,电压减去0.7V后,加在T2的集电极上,
遇到电压表当断开处理,遇到电流表当导线处理,有三种方法可以识别电路,第一种方法叫首尾相接法,如果是全都是首尾相连就一定是串联,如果是首首相连,尾尾相接,就一定是并联。如果是既有首尾相连,又有首首相连,...
你好, 这个题目摆放了好几个小时 还无人回答. 我回答一下,希望对你有所启发. 这似乎是个初中题目. 我不知道你们初中阶段是否完全理解和掌握了 "电势"这个概念. 注意, 我说的是...
1.检查逆导性
选择万用表R×1档,黑表笔接K极,红表笔接A极(见图(a)),电阻值应为5~10Ω。若阻值为零,证明内部二极管短路;电阻为无穷大,说明二极管开路。
2.测量正向直流转折电压V(BO)按照(b)图接好电路,再按额定转速摇兆欧表,使RCT正向击穿,由直流电压表上读出V(BO)值。
3.检查触发能力
实例:使用万用表和兆欧表测量逆导晶闸管。依次选择R×1k、R×100、R×10和R×1档测量A-K极间反向电阻,同时用读取电压法求出出内部二极管的反向导通电压VTR(实际是二极管正向电压VF)。再用兆欧表和万用表500VDC档测得V(BO)值。
(15)放大电路动态分析——微变等效电路法
(15)放大电路动态分析——微变等效电路法
3-4变压器的等效电路
3-4变压器的等效电路
可控硅模块又叫晶闸管(SiliconControlledRectifier,SCR)。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族,它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管,等等。今天大家使用的是单向晶闸管,也就是人们常说的普通晶闸管,它是由四层半导体材料组成的,有三个PN结,对外有三个电极:第一层P型半导体引出的电极叫阳极A,第三层P型半导体引出的电极叫控制极G,第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号可以看到,它和二极管一样是一种单方向导电的器件,关键是多了一个控制极G,这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。
(1)在检查大功率GTO器件时,建议在R×1档外边串联一节1.5V电池E′,以提高测试电压和测试电流,使GTO可靠地导通。
(2)要准确测量GTO的关断增益βoff,必须有专用测试设备。但在业余条件下可用上述方法进行估测。由于测试条件不同,测量结果仅供参考,或作为相对比较的依据。
逆导晶闸管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦称反向导通晶闸管。其特点是在晶闸管的阳极与阴极之间反向并联一只二极管,使阳极与阴极的发射结均呈短路状态。由于这种特殊电路结构,使之具有耐高压、耐高温、关断时间短、通态电压低等优良性能。例如,逆导晶闸管的关断时间仅几微秒,工作频率达几十千赫,优于快速晶闸管(FSCR)。该器件适用于开关电源、UPS不间断电源中,一只RCT即可代替晶闸管和续流二极管各一只,不仅使用方便,而且能简化电路设计。
逆导晶闸管的符号、等效电路。其伏安特性。逆导晶闸管的伏安特性具有不对称性,正向特性与普通晶闸管SCR相同,而反向特性与硅整流管的正向特性相同(仅坐标位置不同)。
逆导晶闸管的典型产品有美国无线电公司(RCA)生产的S3900MF。它采用TO-220封装,三个引出端分别是门极G、阳极A、阴极K。S3900MF的主要参数如下:
断态重复峰值电压VDRM:>750V
通态平均电流IT(AV):5A
最大通态电压VT:3V(IT=30A)
最大反向导通电压VTR:<0.8V
最大门极触发电压VGT:4V
最大门极触发电流IGT:40mA
关断时间toff:2.4μs
通态电压临界上升率du/dt:120V/μs
通态浪涌电流ITSM:80A
利用万用表和兆欧表可以检查逆导晶闸管的好坏。测试内容主要分三项:
1.检查逆导性
选择万用表R×1档,黑表笔接K极,红表笔接A极,电阻值应为5~10Ω。若阻值为零,证明内部二极管短路;电阻为无穷大,说明二极管开路。
2.测量正向直流转折电压V(BO)
接好电路,再按额定转速摇兆欧表,使RCT正向击穿,由直流电压表上读出V(BO)值。
3.检查触发能力
实例:使用500型万用表和ZC25-3型兆欧表测量一只S3900MF型逆导晶闸管。依次选择R×1k、R×100、R×10和R×1档测量A-K极间反向电阻,同时用读取电压法求出出内部二极管的反向导通电压VTR(实际是二极管正向电压VF)。再用兆欧表和万用表500VDC档测得V(BO)值。全部数据整理成表1。由此证明被测RCT质量良好。
注意事项:
(1)S3900MF的VTR<0.8V,宜选R×1档测量。
(2)若再用读取电流法求出ITR值,还可以绘制反向伏安特性。
①一般小功率晶闸管不需加散热片,但应远离发热元件,如大功率电阻、大功率三极管以及电源变压器等。对于大功率晶闸管,必须按手册申的要求加装散热装置及冷却条件,以保证管子工作时的温度不超过结温。
②晶闸管在使用中发生超越和短路现象时,会引发过电流将管子烧毁。对于过电流,一般可在交流电源中加装快速保险丝加以保护。快速保险丝的熔断时间极短,一般保险丝的额定电流用晶闸管额定平均电流的1.5倍来选择。
③交流电源在接通与断开时,有可能在晶闸管的导通或阻断对出现过压现象,将管子击穿。对于过电压,可采用并联RC吸收电路的方法。因为电容两端的电压不能突变,所以只要在晶闸管的阴极及阳极间并取RC电路,就可以削弱电源瞬间出现的过电压,起到保护晶闸管的作用。当然也可以采用压敏电阻过压保护元件进行过压保护。
晶闸管导通条件为:加正向电压且门极有触发电流;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为"V"、"VT"表示(旧标准中用字母"SCR"表示)。
晶闸管(Thyristor)是一种开关元件,能在高电压、大电流条件下工作,并且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中,是典型的小电流控制大电流的设备。1957年,美国通用电器公司开发出世界上第一个晶闸管产品,并于1958年使其商业化。