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铌酸锂相关延伸

铌酸锂相关延伸

电光效应是指对晶体施加电场时,晶体的折射率发生变化的效应。有些晶体内部由于自发极化存在着固有电偶极矩,当对这种晶体施加电场时,外电场使晶体中的固有偶极矩的取向倾向于一致或某种优势取向,因此,必然改变晶体的折射率,即外电场使晶体的光率体发生变化。在光通讯中,电-光调制器就是利用电场使晶体的折射率改变这一原理制成的。电光晶体位于起偏镜和检偏镜之间,在未施加电场时,起偏镜和检偏镜相互垂直,自然光通过起偏镜后检偏镜挡住而不能通过。施加电场时,光率体变化,光便能通过检偏镜。通过检偏镜的光的强弱由施加于晶体上的电压的大小来控制,从而实现通过控制电压对光的强弱进行调制的目的。2100433B

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铌酸锂造价信息

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湿铺高分子膜基防水卷材(高延伸)

  • SAM-921E(高延伸交叉层压膜S(单面)2.0mmGB/T35467-2017
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湿铺高分子膜基防水卷材(高延伸)

  • SAM-921 E(高延伸交义层压膜)S(单面)1.5mmGB/35467-2017
  • 东方雨虹
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  • 2022-12-08
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湿铺高分子膜基防水卷材(高延伸)

  • SAM-921E(高延伸交叉层压膜D(双面)1.5mmGB/T35467-2017
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  • 2022-12-08
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湿铺高分子膜基防水卷材(高延伸)

  • SAM-921E(高延伸交叉层压膜D(双面)2.0mmGB/T35467-2017
  • 东方雨虹
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  • 深圳东方雨虹防水工程有限公司
  • 2022-12-08
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延伸旋转手柄

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家庭用安全延伸插座白色

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家庭用安全延伸插座粉色

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OA用线形安全延伸插座

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OA用线形安全延伸插座

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OA用线形安全延伸插座

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专用延伸电缆

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元素

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总线延伸

  • 总线延伸
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  • 2015-11-30
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丙烯

  • 丙烯
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  • 2010-02-04
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铌酸锂用途

在微波技术中用于调Q开关、光电调制、倍频、光参量振荡;掺加一定量的铁和其他金属杂质的LN晶体,可用作全息记录介质材料。也用于相位调解器、非挥发性存储器、二次谐波发生器、相位光栅调解器、大规模集成光学系统。还广泛用于红外探测器、高频宽道带滤波器等。

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铌酸锂生产方法

提拉法以碳酸锂、五氧化二铌为原料制备铌酸锂:将碳酸锂和五氧化二铌放入铂金坩埚中,沿(001)方向生长晶体。为得到优质无色透明圆柱体,必须在晶体生长的两个方向的两个端面的温度略高于居里温度时,再加一个适当大小的电场,形成晶体后将晶体冷却至室温,即制得铌酸锂晶体。

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铌酸锂相关延伸常见问题

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铌酸锂物理及化学性质

铌酸锂晶体简称LN,属三方晶系,钛铁矿型(畸变钙钛矿型)结构。相对密度4.30,晶格常数a=0.5147 nm,c=1.3856 nm,熔点1240℃,莫氏硬度5,折射率n0=2.297,ne=2.208(λ=600 nm),介电常数ε=44,ε=29.5,ε=84,ε=30,一次电光系数γ13=γ23=10×10pm/V,γ33=32×10pm/V.Γ22=-γ12=-γ61=6.8×10pm/V,非线性系数d31=-6.3×1p0 m/V,d22= 3.6×10pm/V,d33=-47×10pm/V。铌酸锂是一种铁电晶体,居里点1140℃,自发极化强度50×10C/cm',热导率0.056(W/cm·K)。经过畸化处理的铌酸锂晶体具有压电、铁电、光电、非线性光学、热电等多性能的材料,同时具有光折变效应。

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铌酸锂概述

基本信息

中文名称:铌酸锂

英文别名:Lithium niobate wafer; lithium niobium trioxide; rubidium oxido(dioxo)niobium; distrontium; niobium( 5) cation; oxygen(-2) anion; lithium oxido(dioxo)niobium

CAS:12031-63-9

EINECS:234-755-4

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铌酸锂相关延伸文献

准互易数字闭环铌酸锂光波导交变电场/电压传感器 准互易数字闭环铌酸锂光波导交变电场/电压传感器

准互易数字闭环铌酸锂光波导交变电场/电压传感器

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大小:308KB

页数: 未知

本发明包括光源、环形器、起偏器、相位调制器、保偏延时光纤、测量光路、补偿光路、光电二极管、信号处理及光源驱动电路和信号输出与控制接口。起偏器与相位调制器之间的保偏光纤偏振轴以45°对轴熔接,测量光路的铌酸锂直波导传感单元与补偿光路的补偿光纤以90°对轴耦合。参与干涉的两正交偏振模式往返两次通过光路时发生模式互换,且经过相同的光程,构成光纤传导和波导传感的准互易反射式光路。本发明利用铌酸锂晶体的泡克尔斯电光效应对光相位进行调制,实现电场/电压测量,具有较高的灵敏度和测量精度,能有效地分离出被测电压的交直流分量,减少光路空间,易于大规模生产。

宜春钽铌矿锂云母浮选技术改造实践 宜春钽铌矿锂云母浮选技术改造实践

宜春钽铌矿锂云母浮选技术改造实践

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大小:308KB

页数: 3页

论述了原浮选工艺及设备存在的缺陷,介绍了新系统采用的设备及特点,对技术改造前后的选别指标进行了比较。改造后的系统处理矿石能力增加50%,回收率上升8.5%,达到了扩能技改的目的。

美研发出铌酸锂制造新技术

铌酸锂因其电光特性而闻名,已成为最广泛使用的光学材料之一。铌酸锂调制器是现代电信领域的支柱,将电子数据转换为光缆末端的光信息,但使用铌酸锂小规模制造高质量器件非常困难,导致无法实现集成芯片应用。

日前,哈佛大学John A. Paulson工程与应用科学学院(SEAS)的研究人员已经开发出一种技术,使用铌酸锂制造高性能光学微结构,从而打开了通往超高效集成光子电路、量子光子学及微波—光转换等领域的大门。相关研究结果发表在《Optica》上。

该项研究使用传统微制造工艺,制造出具有超低损耗和高度光学限制的高质量铌酸锂器件。Loncar实验室凭借在钻石领域的专业知识,使用标准等离子蚀刻在铌酸锂薄膜上雕刻微谐振器,并证明纳米波导可以在一米长的光路上传播光线,而光功率只损失大约一半。而同样条件下,先前的铌酸锂器件中传播的光将损失至少99%。由于纳米波导每米传播损耗小于3dB,科学家可以在1米的路径长度上对光进行复杂操纵。此外这些波导能够弯曲,因此一米长的波导可以包装在一厘米大小的芯片内。

该成果是集成光子学和铌酸锂光子学的一个重大突破,将使各种光电功能成为可能,并意味着铌酸锂将解决数据中心光链路的关键应用问题。铌酸锂薄膜(TFLN)非常适用于任何需要调制光线或改变光线频率的功能。在接下来的几年中,TFLN将为数据中心提供光学模块,以实现类似于今天电信设备的功能,但体积更小、成本更低、功耗更低。

研究人员的下一步目标是在该成果基础上,开发铌酸锂平台,应用于光通信、量子计算和通信以及微波光子学等一系列领域。

论文链接:https://www.osapublishing.org/optica/abstract.cfm?URI=optica-4-12-1536

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划片刀加工对象

各种半导体封装元件、陶瓷、玻璃、水晶、石英、铁氧体、铌酸锂单晶、氧化铝

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光开关​简介

光开关是一种具有一个或多个可选的传输端口.

其作用是对光传输线路或集成光路中的光信号进行相互转换或逻辑操作的光学器件.

光开关和光放大、光信号储存等都是光学装置材料。光开关可以在皮秒(10^-12秒)内进行操作。目前它以铌酸锂和镓铝砷化合物为基础,从电子工业中脱胎形成。有一些新的材料,如液晶、聚乙炔等都比铌酸锂有更好的光学效用。

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