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运放是集成在一个芯片上的晶体管放大器, 偏置电流( bias current )就是第一级放大器输入晶体管的基极直流电流. 这个电流保证放大器工作在线性范围, 为放大器提供直流工作点. 因为运算放大器要求尽可能宽的共模输入电压范围, 而且都是直接耦合的, 不可能在芯片上集成提供偏置电流的电流源. 所以都设计成基极开路的, 由外电路提供电流. 因为第一级偏置电流的数值都很小, uA 到 nA 数量级, 所以一般运算电路的输入电阻和反馈电阻就可以提供这个电流了. 而运放的偏置电流值也限制了输入电阻和反馈电阻数值不可以过大, 使其在电阻上的压降与运算电压可比而影响了运算精度. 或者不能提供足够的偏置电流, 使放大器不能稳定的工作在线性范围. 如果设计要求一定要用大数值的反馈电阻和输入电阻, 可以考虑用 J-FET 输入的运放. 因为 J-FET 是电压控制器件, 其输入偏置电流参数是指输入 PN 结的反向漏电流, 数值应在 pA 数量级. 同样是电压控制的还有 MOSFET 器件, 可以提供更小的输入漏电流.
另外一个有关的运放参数是输入失调电流 offset current, 是指两个差分输入端偏置电流的误差, 在设计电路中也应考虑.
其中的
这里用到的
因为要使晶体管处于放大状态,其基极-射极之间的PN结应该正偏,集电极-基极之间的PN结应该反偏。设置晶体管基射结正偏、集基结反偏是为了使晶体管工作在放大状态的电路。而使晶体管工作在放大状态的关键是其基极电压,因此,基极电压又称为偏置电压。又由于使晶体管工作在放大状态的电压设置是由其没有信号时直流电源提供的。
因此,晶体管的直流偏置电压可以这么定义:晶体管未加信号时,其基极与发射极之间所加的直流电压称为晶体管的直流偏置电压。
低电压如何变成高电压?不同的电源用不同的升压方法、不同的电压、不同的功率采用不同的升压方法。(1)交流电源常见通过变压器升压。(2)小电流通过倍压整流升压(3)直流过振荡产生高压(3)直流通过逆变升压
端电压是对零电压(将零线视为参考点),通常也等于对地电压。线电压是相间电压通常端电压220v,线电压380v
你是学生吧?学生实验里面测得的数据要根据你所测三相电链接方式:星形链接的测出的是相电压,线电流;三角形链接测得的是线电压、相电流。
偏置电压极性对差分电容微传感器可靠工作条件的影响分析
为了测得电容式传感器的电容变化,一般需要有直流偏置电压的交流驱动信号加到传感器上,然而驱动信号产生的静电力会干扰传感器的测量和可靠工作条件。文中分析差分电容传感器受到阶跃加速度信号作用时,不同偏置电压极性对可靠工作条件的影响,得到不同偏置电压极性下传感器的临界阶跃加速度与随测试信号电压和反馈系数的关系表达式及其变化曲线。结果表明若偏置电压极性为正—正或正—负配置,其电子机械反馈本质上是负反馈,且偏置电压极性为正—负配置时,传感器承受阶跃加速度冲击的能力最强。若偏置电压极性为负—负或负—正配置,其电子机械反馈本质上是正反馈,偏置电压极性为负—正配置时,其抗阶跃加速度冲击的能力最低。
偏置电压是指晶体管放大电路中使晶体管处于放大状态时,基极-射极之间,集电极-基极之间应该设置的电压。因为要使晶体管处于放大状态,其基极-射极之间的pn结应该正偏,集电极-基极之间的pn应该反偏、
因此,设置晶体管基射结正偏,集基结反偏,使晶体管工作在放大状态的电路,简称为偏置电路。直流偏置电压是指晶体管放大电路中使晶体管处于放大状态时,基极-射极之间及集电极-基极之间应该设置的电压。
直流偏置电压是指晶体管放大电路中使晶体管处于放大状态时,基极-发射极之间及集电极-基极之间应该设置的电压。
因为要使晶体管处于放大状态,其基极-射极之间的PN结应该正偏,集电极-基极之间的PN结应该反偏。因此,设置晶体管基射结正偏、集基结反偏,使晶体管工作在放大状态的电路,简称为偏置电路(可以理解为设置正反偏的电路)。而使晶体管工作在放大状态的关键是其基极电压,因此,基极电压又称为偏置电压。又由于使晶体管工作在放大状态的电压设置是由其没有信号时直流电源提供的。
因此,晶体管的直流偏置电压可以这么定义:晶体管未加信号时,其基极与发射极之间所加的直流电压称为晶体管的直流偏置电压 。
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因为要使晶体管处于放大状态,其基极-射极之间的PN结应该正偏,集电极-基极之间的PN结应该反偏。设置晶体管基射结正偏、集基结反偏是为了使晶体管工作在放大状态的电路。而使晶体管工作在放大状态的关键是其基极电压,因此,基极电压又称为偏置电压。又由于使晶体管工作在放大状态的电压设置是由其没有信号时直流电源提供的。
因此,晶体管的直流偏置电压可以这么定义:晶体管未加信号时,其基极与发射极之间所加的直流电压称为晶体管的直流偏置电压。