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泡克尔斯效应(英语:Pockels effect)是指光介质在恒定或交变电场下产生光的双折射效应,这是一种线性电--光效应,其折射率的改变和所加电场的大小成正比 。
波克尔斯效应和克尔效应的区别在于:波克尔斯效应是与电场大小成正比,而克尔效应则是与电场大小的平方成比例的。
1、应用液晶电光效应设计的两种特殊的光学器件--液晶光快门和液晶透镜;
2、高速相位调制器可用于相干光纤通信系统,在密集波分复用光纤系统中用于产生多光频的梳形发生器,也能用作激光束的电光移频器,其中M-Z铌酸锂调制器有良好的特性,可用于光纤有线电视(CATV)系统、无线通信系统中基站与中继站之间的光链路和其他的光纤模拟系统。
3、液晶既表现出液体的流动性,又表现出晶体所特有的各向异性,其特征是受到外部电场、磁场、热、压力等的作用时,分子排列状态即其光学性质和电学性质随之发生变化。特别是液晶受电压作用而产生的分子取向效应---电光效应被广泛应用于显示器件。
1893年德国物理学家弗里德里斯·卡尔·奥威·泡克尔斯发现,光介质在恒定或交变电场下会产生光的双折射效应,这是一种线性电--光效应,并且其折射率的改变和所加电场的大小成正比,这种现象被称为泡克尔斯效应。
但是,这种效应只在缺少反演对称性的晶体,如铌酸锂(LiNbO3),钽酸锂(LiTaO3),硼酸钡(BBO),和砷化镓(GaAs),等或其它非中心对称的介质,如电场极化高分子和玻璃中出现。电场极化高分子中含有特别设计的有机分子,它们具有比高非线性晶体高10倍的非线系数 。
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假设极化强度P与所加电场有线性关系,但这是一级近似。事实上电场与材料的介电常量,对于光频场,也就是材料折射率n,有此关系:n=n0+aE0+bE02+···。式中:n0是没有加电场E0时介质的折射率;a、b是常数。这种由于外加电场所引起的材料折射率的变化效应,称为电光效应(electro-optical effect)。等式右边第二项aE0与n为线性关系,称为线性电光效应或称泡克尔斯(Pockels)效应。
超越建筑的幻象—谈迈克尔.格雷夫斯的作品
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基于普克尔效应的双晶体互易型光学电压传感器
提出了一种基于普克尔效应的双晶体互易型光学电压传感器,利用两块电光晶体抵消无用双折射引起的相位差,利用法拉第旋光器实现互易型光路模式,提高了光路的抗干扰能力。在常温条件下,对传感器进行了直流和交流实验。0~3kV的直流电压和0至约2.5kV的交流电压测试结果表明,传感器的输出和输入具有良好的线性关系,直流测量误差不大于±0.28%,电压较高时交流测量误差不大于±0.22%。传感器对于输入电压的响应迅速没有明显拖尾现象且输出稳定,交流波形不失真。实验结果表明了该系统方案的可行性。