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柔性衬底非晶硅太阳能电池

柔性衬底非晶硅太阳能电池基本信息

柔性衬底非晶硅太阳能电池简介

中文名称
柔性衬底非晶硅太阳能电池
英文名称
α-Si based solar cell on flexible substrate
定  义
在不锈钢箔或聚酯薄膜柔性衬底上沉积的非晶硅太阳能电池。具有重量轻和比功率大等优点,易与建筑物集成,也适合空间应用。
应用学科
材料科学技术(一级学科),半导体材料(二级学科),非晶和微晶半导体材料(三级学科)

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柔性衬底非晶硅太阳能电池造价信息

  • 市场价
  • 信息价
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太阳能电池

  • 品种:太阳能电池板;说明:F1)釆用A类高光效多晶硅太阳能电池片封装而成,电池片;规格:CSW-SP-250Wp;
  • 华阳风
  • 13%
  • 宁夏帝外艾孚科贸有限责任公司
  • 2022-12-06
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太阳能电池

  • 品种:太阳能电池板;规格:多;
  • W
  • 领嘉
  • 13%
  • 云南领嘉科技有限公司
  • 2022-12-06
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太阳能电池

  • 品种:太阳能电池板;工作压(V):17.2;规格:1480×670×35;额定功率(W):150
  • 诚创科星
  • 13%
  • 北京诚创科星科技有限公司
  • 2022-12-06
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太阳能电池

  • 品种:太阳能电池板;工作压(V):17.2;规格:1480×670×35;额定功率(W):140
  • 诚创科星
  • 13%
  • 北京诚创科星科技有限公司
  • 2022-12-06
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太阳能电池

  • 品种:太阳能电池板;工作压(V):17.2;规格:1277×670×35;额定功率(W):120
  • 诚创科星
  • 13%
  • 北京诚创科星科技有限公司
  • 2022-12-06
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电池

  • 7Ah12V
  • 云浮市2012年2季度信息价
  • 建筑工程
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电池

  • 10Ah12V
  • 云浮市2012年2季度信息价
  • 建筑工程
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电池

  • 14Ah12V
  • 云浮市2012年2季度信息价
  • 建筑工程
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电池

  • 10Ah12V
  • 云浮市2012年1季度信息价
  • 建筑工程
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电池

  • 10Ah12V
  • 云浮市2011年4季度信息价
  • 建筑工程
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太阳能电池

  • 太阳能电池10瓦
  • 8只
  • 3
  • 中档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2022-05-22
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太阳能电池

  • 单晶太阳能电池板 (2)550WP (3)太阳能组件连接插座、插头
  • 120组
  • 1
  • 变频给水设备
  • 含税费 | 含运费
  • 2022-06-22
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太阳能电池

  • 9V/10W单晶/多晶
  • 18个
  • 1
  • 中档
  • 含税费 | 含运费
  • 2019-12-20
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太阳能电池

  • 36瓦
  • 6套
  • 1
  • 不含税费 | 不含运费
  • 2014-10-23
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太阳能电池

  • DC12V/120(12V/120AH)
  • 600套
  • 1
  • 中档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2014-08-07
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柔性衬底非晶硅太阳能电池常见问题

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柔性衬底非晶硅太阳能电池文献

非晶硅太阳能电池 非晶硅太阳能电池

非晶硅太阳能电池

格式:pdf

大小:229KB

页数: 3页

实用标准文案 精彩文档 双结非晶硅太阳电池能组件系列: 双结非晶硅太阳电池组件在标准测试条件 (STC)下,系列额定功率稳定值为: 32W,34W, 36W,38W,和 40W。 不同规格的产品有不同的电性能。并且可根据需求制作特殊规格的要求,做成不同规格、不同性能、不同 要求、不同尺寸的双结非晶硅太阳电池组件。 双结非晶硅太阳能电池组件的参数: 在标准测量条件 (STC)下,双结非晶硅太阳电池典型组件参数如下: 型号 Pm (W) Voc (V) Isc (A) Vmpp(V) 尺寸 (mm) 重量 32(42)H/G643×1253 32±1 57 1.0 42 643×1253×37 14.7kg 34(43)H/G643×1253 34±1 58 1.0 43 643×1253×37 14.7kg 36(44)H/G643×1253 36±1 59 1.0 44 64

拓日新能  非晶硅太阳能电池龙头 拓日新能 非晶硅太阳能电池龙头

拓日新能 非晶硅太阳能电池龙头

格式:pdf

大小:229KB

页数: 1页

拓日新能(002218)主营业务为非晶硅、单晶硅、多晶硅三种太阳能电池及其应用产品的研发、生产和销售,公司产品按大类可以分为太阳能电池芯片及组件类、太阳能电池应用产品及供电系统类两大类,其中太阳能电池芯片及组件类根据不同的制造工艺路线可以进一步细分为非晶硅太阳能电池芯片及组件和晶体硅太阳能电池芯片及组件。

衬底支撑组件简介

衬底支撑组件在处理室中支撑衬底。所述的衬底支撑组件具有:支撑块,所述支撑块具有电极;以及臂,用于在所述处理室中支持所述的支撑块,所述的臂具有贯穿其中的通道。所述的臂具有固定到所述支撑块的第一夹板以及固定到所述处理室的第二夹板。多个电导体穿过所述臂的所述通道,而陶瓷绝缘体处在所述的导体之间。

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LED芯片衬底

对于制作LED芯片来说,衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底,需要根据设备和LED器件的要求进行选择。三种衬底材料:蓝宝石(Al2O3)、硅(Si)、碳化硅(SiC)。

蓝宝石的优点:1.生产技术成熟、器件质量较好 ;2.稳定性很好,能够运用在高温生长过程中; 3.机械强度高,易于处理和清洗。

蓝宝石的不足:1.晶格失配和热应力失配,会在外延层中产生大量缺陷;2.蓝宝石是一种绝缘体,在上表面制作两个电极,造成了有效发光面积减少;3.增加了光刻、蚀刻工艺过程,制作成本高。

硅是热的良导体,所以器件的导热性能可以明显改善,从而延长了器件的寿命。

碳化硅衬底(CREE公司专门采用SiC材料作为衬底)的LED芯片,电极是L型电极,电流是纵向流动的。采用这种衬底制作的器件的导电和导热性能都非常好,有利于做成面积较大的大功率器件。优点: 碳化硅的导热系数为490W/m·K,要比蓝宝石衬底高出10倍以上。不足:碳化硅制造成本较高,实现其商业化还需要降低相应的成本。

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mos晶体管衬底偏置效应

在实际工作中,经常出现衬底和源极不相连的情况,此时,VBS不等于0。由基本的pn结理论可知,处于反偏的pn结的耗尽层将展宽。上图说明了NMOS管在VDS较小时的衬底耗尽层变化情况,图中的浅色边界是衬底偏置为0时的耗尽层边界。当衬底与源处于反偏时,衬底中的耗尽区变厚,使得耗尽层中的固定电荷数增加。由于栅电容两边电荷守衡,所以,在栅上电荷没有改变的情况下,耗尽层电荷的增加,必然导致沟道中可动电荷的减少,从而导致导电水平下降。若要维持原有的导电水平,必须增加栅压,即增加栅上的电荷数。对器件而言,衬底偏置电压的存在,将使MOS晶体管的阈值电压的数值提高。对NMOS,VTN更正,对PMOS,VTP更负,即阈值电压的绝对值提高了。

γ为衬底偏置效应系数,它随衬底掺杂浓度而变化,典型值:NMOS晶体管,γ=0.7~3.0。PMOS晶体管,γ=0.5~0.7对于PMOS晶体管,∆VT取负值,对NMOS晶体管,取正值。

对处于动态工作的器件而言,当衬底接一固定电位时,衬偏电压将随着源节点电位的变化而变化,产生对器件沟道电流的调制,这称为背栅调制,用背栅跨导gmB来定义这种调制作用的大小:

其中三个重要端口参数:gm、gds和gmb对应了MOS器件的三个信号端口G-S、D-S、B-S,它们反映了端口信号对漏源电流的控制作用。

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