2011年6月“中国LED行业年度评选(2010)”评选活动由中国电子报社、中国光协LED器件分会、中国光协LED显示应用分会等共同组织，范围涵盖所有LED外延、芯片、封装器件、应用工程等产业领域。三安光电凭借领先的创新水平、雄厚的技术力量、迅猛的发展速度和2010年的良好业绩，荣获“2010中国LED行业最具成长性企业奖”。
2011年4月公司用于“TFT-LCD背光源的超高亮度LED芯片”项目荣获2010年度厦门市科技进步奖一等奖，同时该项目产品“S-23ABMUP系列背光源用LED芯片”荣获2010年度厦门市优秀新产品奖一等奖。
为进一步加快三安光电品牌建设，提高公司影响力，受厦门市政府，厦门市贸发局，厦门市商业联合会邀请，三安光电于10月19日至10月24日期间参加了第七届中国-东盟博览会。
2010年9月27日，2010年三安光电新产品推介暨新闻发布会在深圳凯宾斯基酒店成功举行。本次推介会得到了行业内部的广泛关注，共有120多家客户代表前来参加。
2010年1月：安徽三安光电有限公司成立。
2009年11月：公司“RS-B1超高亮度功率红色发光二极管芯片”通过新产品专家鉴定，认定为属国内首创，产品主要性能达到国际水平。
2009年11月：我司“半导体照明高亮度功率白光二极管芯片开发及产业化”项目荣获厦门市科学技术奖二等奖。
2009年11月13日：我司功率型红色芯片通过新产品鉴定。
2009年9月：我司荣获TS16949：2002认证注册。
2009年8月：我司承担的“半导体照明器件研发及产业化”项目被信息产业部列入2009年信息产业发展基金重点支持项目。
2009年3月：我司承担的2006年度国家发改委企业技术进步与产业升级专项项目“功率型半导体全色系芯片产业化”通过验收。
2009年2月12日：我司的主要产品“S-RGB07全色系超高亮度LED芯片”荣获福建省优秀新产品一等奖。
2008年12月：天津三安光电有限公司成立。
2008年12月8日：我司承担的“用于TFT-LED背光源的超高亮度LED芯片产业化”项目被国家发改委列入2008年第四批产业技术研发资金高技术产业发展项目计划。
2008年11月：我司承担的“液晶显示屏背光源用超高亮度半导体红色发光二极管（LED）芯片研发及产业化” 项目被信息产业部列入2008年信息产业发展基金重点支持项目。
2008年10月：公司技术中心被授予“国家级企业技术中心”称号。
2008年8月：荣获ISO14001：2004环境管理体系认证证书。
2008年7月：公司在国内A股成功上市。
2008年1月：我司被厦门市人民政府授予“厦门市2007年度十佳工业企业”荣誉称号。
2007年11月：我司“S--RGB07全色系超高亮度(红、橙、黄、蓝、绿)LED芯片”产品通过厦门市经发局组织的新产品、新技术专家鉴定，鉴定结论认定我司拥有的“衬底转移的红光功率型LED”产品为国内首创，填补国内空白。
2007年10月：我司被国家发改委授予“国家高技术产业化示范工程”称号。
2007年3月：日本学者大川和宏博士受聘为我司技术顾问。
2006年12月：公司承担的“100lm/W功率型白光LED制造技术”项目被国家科技部确定为国家高技术研究发展计划（863计划）课题。
2006年11月：公司承担的“功率型半导体全色系芯片产业化”项目被国家发改委列入“国家2006年信息产业企业技术进步和产业升级专项项目”。
2006年7月：公司“功率型高亮度LED芯片及倒装技术”项目通过专家鉴定，鉴定结果为：产业化技术指标达到国内领先水平。
2006年5月：公司被国家人事部正式批准设立博士后科研工作站，开展博士后科研工作。
2006年4月：公司“氮化镓基发光二极管外延片和芯片的研制及产业化”项目通过专家鉴定。鉴定结果为：产业化规模达到国内最大，质量稳定可靠，技术指标达到国内领先。
2005年12月：公司“十五”国家科技攻关计划项目“半导体照明产业化技术开发”重大项目全面通过国家科技部组织的专家验收。
2005年11月：公司“氮化镓基发光二极管外延片及器件制备”项目被认定为厦门市高新技术成果转化项目。
2005年6月：公司“半导体照明高亮度功率白光二极管芯片开发与产业化“项目被国家科技部列入2005年国家火炬计划项目。
2005年3月：公司“半导体照明高亮度功率白光二极管芯片开发及产业化”项目被列入2005年福建省十大重点投资项目。
2004年11月：“半导体照明高亮度功率白光二极管芯片开发及产业化”项目被国家信息产业部列入2005年信息产业基金重点支持项目。
2004年9月：公司荣为中国光电子器件协会副理事长单位。
2004年8月：公司技术中心被福建省经济贸易委员会授予“省级企业技术中心”称号。
2004年8月：多结化合物太阳电池通过中国航空科技集团公司上海空间电源研究所的测试和使用，填补了国内空白。
2004年2月：公司被确认为厦门市重点高新技术企业。
2003年10月：国家半导体照明产业联盟授予公司“半导体照明工程龙头企业”的称号。
2003年10月：公司在第十四届全国发明展览会上，《一种制作氮化镓发光二极管芯片N电极的方法》与《一种发光二极管外延结构》分别荣获发明银奖和铜奖。
2003年9月：公司研制出的具有我国独立知识产权的LED芯片，打破了过去LED芯片全部依靠进口的历史。
2003年9月：公司技术中心被授予“市级企业技术中心”称号。
2003年4月：公司承担的“氮化镓基发光二极管外延片和器件制备”项目，被列入国家发改委2003年光电子、新型元器件专项高技术产业化示范工程。
2003年2月：荣获ISO9001：2000质量管理体系认证证书。
2003年1月：公司通过全色系超高亮度LED芯片科技成果鉴定，成为国内首家实现全色系超高亮度发光二极管芯片的生产厂家。
2002年9月：公司第一片外延片成功问世。
2000年12月：公司被确认为厦门市高新技术企业。
三安光电40亿项目投建进程
2013年3月15日，三安光电发布公告，决定终止公司公开增发A股股票方案。
公告称，由于市场环境发生了变化，结合公司情况，经公司与保荐机构平安证券商议，决定终止公司本次公开增发A股股票方案，并向证监会申请撤回公司本次公开增发A股股票方案的申请文件。
但在公告中，三安光电并未提及此次增发方案的具体内容，更未提及此次募资计划投资项目。
数据显示2011年5月6日，三安光电公布公开增发不超过21000万股A股的方案，募集资金总额不超过80亿元（含发行费用），全部用于安徽三安光电有限公司芜湖光电产业化（二期）项目和安徽三安光电有限公司LED应用产品产业化项目，两项目合计总投资约为91.25亿元。其中芜湖二期为50亿元。
3个月后，三安光电再发公告称，根据证券监管部门审核反馈意见，对上述增发金额下调为总额不超过63亿元，拟投入芜湖二期的募集资金也缩水至40亿元尽管如此，该增发方案迟迟未有实质性进展。
扩张效果尚待市场检验
较之两年前，三安光电身处的LED上游产业愈发过剩，利润式微。有业内人士猜测，三安光电主动放弃增发募资、放缓新项目上马的举措，或许有这方面的考虑。
但王庆在采访中否认了上述猜测，他表示市场还有很大的空间。但芜湖二期的搁浅对公司将产生怎样的影响，王庆未予正面回答，称公司业绩将在财报中体现。
根据三安光电2012年年报，公司2012年实现营收33.63亿元，较之上年同比大增92.48%；实现净利8.10亿元，较之上年同比下降13.47%。另外，其主营业务LED毛利率为25.31%，同比下滑14.36%。
据其年报，安徽三安光电有限公司芜湖光电产业化 （一期）项目（以下简称芜湖一期）购置的MOCVD设备已投入生产，虽然获得了一定的经济效益，但由于大部分设备于2012年逐步投产，达到满产尚需一个过程，待产能完全释放，规模效应充分发挥，公司业绩将会逐步得到体现。而2013年一季度，三安光电净利同比下降18.77%。
赵飞表示，三安光电在国内LED外延片领域颇具实力，但当下产能过剩显现，盲目扩张恐暗藏风险。
前述业内人士表示，芜湖一期逐渐释放出来的产能对未来三安光电的业绩贡献将进一步增大，在尝到甜头之后，三安光电对芜湖二期的渴望亦在情理之中。
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安徽三安光电有限公司简介
