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势垒电容

在积累空间电荷的势垒区，当PN结外加电压变化时，引起积累在势垒区的空间电荷的变化，即耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少，这种现象与电容器的充、放电过程相同。耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容。

势垒电容基本信息

中文名称势垒电容
外文名称barrier capacitance

势垒电容测量

当加在结两端的电压发生变化时，一方面使结势垒度发生变化，引起了势垒区内空间电荷的变化，这相当于对电容的充放电，因为它是势垒度的变化引起电容量的变化的，所以我们用势垒电容CT来表示这种作用;另一方面也使注入到p区的电子和注入到n区空穴数目发生变化，引起p区和n区的载流子浓度梯度的变化。为维持电中性条件，多数载流子也要作相应的变化，相当于载流子在扩散区中的"充"和"放"，就如同电容的充放电一样。因为它是在扩散去内载流自变化引起的.故称为扩散电容，用CD表示。P-N结电容包括势垒电容和扩散电容两部分:C=CT+CD 当结两端的外加电时为负(即n区为正，p区接负)时，由于P区、n区的少数载流子很少，负电压的变化并不引起p区、n区中电荷有多大的变化，所以扩散电容很小，相对势垒电容来讲，扩散电容可以忽略。即: C=CT+CD≈CT 所以，在外加负偏压的条件下测得的P-n结电容认为是P-n结势垒电容。

势垒电容造价信息

市场价
信息价
询价

智能电容

规格型号：
MJDTL-30GB/14
价格行情：
材料单位：
只
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
重庆宇轩机电设备有限公司
报价时间：
2022-12-08

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补偿器电容

规格型号：
YC-4,荧光灯用,配套支架及灯盘/4uf补
价格行情：
材料单位：
套
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
杭州市江干区吉易照明电器经营部
报价时间：
2022-12-08

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补偿器电容

规格型号：
YC-12,荧光灯用,配套支架及灯盘/12uf
价格行情：
材料单位：
套
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
杭州市江干区吉易照明电器经营部
报价时间：
2022-12-08

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自愈式低压并联电容

规格型号：
BSMJK0.4-15-3
价格行情：
材料单位：
只
材料品牌：
天正
材料税率：
13%
供应商：
广西玉林市易建商贸有限公司(玉林市厂商期刊)
报价时间：
2022-12-08

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4uf补偿器电容

规格型号：
YC-4,荧光灯用,配套支架及灯盘
价格行情：
材料单位：
个
材料品牌：
华艺
材料税率：
13%
供应商：
中山市华艺灯饰照明股份有限公司福建经销商
报价时间：
2022-12-08

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荧光灯电容器

规格型号：
4.75mFb
价格行情：
材料单位：
十个
材料税率：
地区时间：
韶关市2010年2月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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荧光灯电容器

规格型号：
3.7mFb
价格行情：
材料单位：
十个
材料税率：
地区时间：
韶关市2009年10月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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荧光灯电容器

规格型号：
3.7mFb
价格行情：
材料单位：
十个
材料税率：
地区时间：
韶关市2009年6月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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荧光灯电容器

规格型号：
4.75mFb
价格行情：
材料单位：
十个
材料税率：
地区时间：
韶关市2009年6月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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荧光灯电容器

规格型号：
3.7mFb
价格行情：
材料单位：
十个
材料税率：
地区时间：
韶关市2009年4月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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电容

规格型号：
电容50uF/440V/105℃
需求量：
1874台
报价数：
4
材料品牌：
亚牌
材料档次：
中高档
费用说明：
含税费 | 不含运费
询价时间：
2015-09-04

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电容箱

规格型号：
电容箱
需求量：
1台
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2010-06-21

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电容柜

规格型号：
电容补偿柜 PO2
需求量：
1台
报价数：
3
材料品牌：
国产一线品牌
材料档次：
高档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2017-06-01

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启动电容

规格型号：
30VF启动电容
需求量：
3396只
报价数：
2
材料品牌：
欧司朗
材料档次：
中高档
费用说明：
含税费 | 不含运费
询价时间：
2015-05-13

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补偿电容

规格型号：
飞牌补偿电容CP 12UF
需求量：
5625支
报价数：
4
材料品牌：
飞利浦
材料档次：
高档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2015-11-04

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势垒电容应用

在集成电路中，一般利用PN结的势垒电容，即让PN结反偏，只是改变电压的大小，而不改变极性。---变容二级管。 变容二极管的工作原理 根据普通二极管内部PN结结电容能随外加反向电压的变化而变化。 变容二级管用途:用于自动频率控制(AFC)和调谐用的小功率二极管，在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电流上，实现低频率信号调制到高频信号上，并发射出去。 变容二级管发生故障，主要表现为漏电或性能变差: 1) 发生漏电现象时，高频调制电路将不工作或调制性能变差。 2) 变容性能变差时，高频调制电路的工作不稳定，使调制后的高频信号发送到对方，被对方接收后产生失真。 3) 出现上述情况之一时，就应该更换同型号的变容二级管。

势垒电容概述

势垒电容(barrier capacitance) 在积累空间电荷的势垒区，当PN结外加电压变化时，引起积累在势垒区的空间电荷的变化，即耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少，这种现象与电容器的充、放电过程相同。耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容。 势垒电容具有非线性，它与结面积、耗尽层宽度、半导体的介电常数及外加电压有关。 势垒电容是二极管的两极间的等效电容组成部分之一，另一部分是扩散电容。 二极管的电容效应在交流信号作用下才会表现出来。 势垒电容在正偏和反偏时均不能忽略。而反向偏置时，由于少数载流子数目很少，可忽略扩散电容。 ------ 补充说明: 势垒电容是p-n结所具有的一种电容，即是p-n结空间电荷区(势垒区)的电容;由于势垒区中存在较强的电场，其中的载流子基本上都被驱赶出去了--耗尽，则势垒区可近似为耗尽层，故势垒电容往往也称为耗尽层电容。 耗尽层电容相当于极板间距为p-n结耗尽层厚度(W)的平板电容，它与外加电压V有关 (正向电压升高时，W减薄，电容增大;反向电压升高时，W增厚，电容减小)。因为dV ≈ W · dE = W·(dQ/ε)，所以耗尽层电容为Cj = dQ/dV = ε/W。对于单边突变p+-n结，有Cj = ( qεND / 2Vbi )1/2;对于线性缓变p-n结，有Cj = (q aε2 / 12Vbi)1/3。势垒电容是一种与电压有关的非线性电容，其电容的大小与p-n结面积、半导体介电常数和外加电压有关。当在p-n结正偏时，因有大量的载流子通过势垒区，耗尽层近似不再成立，则通常的计算公式也不再适用;这时一般可近似认为:正偏时的势垒电容等于0偏时的势垒电容的4倍。不过，实际上p-n结在较大正偏时所表现出的电容，主要不是势垒电容，而往往是所谓扩散电容。 值得注意的是，势垒电容是相应于多数载流子电荷变化的一种电容效应，因此势垒电容不管是在低频、还是高频下都将起到很大的作用(与此相反，扩散电容是相应于少数载流子电荷变化的一种电容效应，故在高频下不起作用)。实际上，半导体器件的最高工作频率往往就决定于势垒电容。

势垒电容常见问题

电容作用

在通常使用的家用电器中，电容器主要有三个作用：1 在需要直流电源的电路中，对交流电源整流后用电容器滤波，得到平滑的直流电。如不用这个电容器，交流电源经整流后的脉动直流电流不能经滤波成为平滑的...
什么样的电机需要加电容?电容作用？

用在单相电机的电容一般有两种：一种是我们较常见的启动电容，顾名思义，由于单相电机形成的磁场不是旋转的，在启动时就有了电机转向的不确定性或难以启动。通过电容的移相作用，使电机形成旋转的磁场，从而电机顺利...
电容运转电机的电容怎么计算容量？

行电容的容量可按下式计算：C=1950*In/(Un*COSФ) (μF)式中In、Un、cos十分别是原三相电机铭牌上的额定电流、额定电压和功率因数值，若铭牌上无功率因数，cosy可取0&#...

势垒电容文献

电容参数

电容参数

格式：pdf

大小：15KB

页数： 2页

一、电容的主要参数： 1、电压 1）额定电压：两端可以持续施加的电压，一般为直流电压，通常用 VDC。而专用于交流电的则为交流有效值电压，通常为 VAC。电容器的交直流额定电压换算关系直流额定电压 VR/VDC 50 63 100 250 400 630 1000 交流额定电压 VR/VAC 30 40 63 160 200 220 250 2）浪涌电压：电解电容特有的电压参数，是短时间可以承受的过电压，为额定电压的 1.15 倍。 3）瞬时过电压：是铝电解电容特有电压参数，为可以瞬时承受的过电压，这个浪涌电压约为额定电压的 1.3 倍，是铝电解电容的击穿电压。 4）介电强度：电容额定电压低于电容中介质的击穿电压。一般为额定电压的 1.5~2.5 倍。如：铝电解电容的击穿电压约为额定电压的 1.3 倍；其它介质则通常为 1.75~2 倍以上。 5）试验电压：薄膜电容

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电容

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大小：15KB

页数： 7页

在把电容装入你的应用装置之前请仔细阅读下面的安装与维护说明。关于本手册：这篇手册介绍了典型的用法。在安装前，请参考我们的产品使用说明书，或者要求我们对你的特殊要求作出认可。为了你的安全！不遵守手册指南可能会导致操作失败，爆炸和起火。如果你有疑问，请与当地的 EPCOS销售单位或发行人联系，取得帮助。安装与操作时的总体注意事项： ——保证电容外壳有良好的有效的接地。 ——在系统中，与任何故障元件 /区域要有绝缘措施。 ——搬运电容时要小心，由于放电元件故障，即使断开后，电容也有可能会有电。 ——遵守有关的工程实践要求。 ——不要使用 HRC 熔丝来来断电容（否则会有可能引起电弧导致危险）。 ——一旦施加了电压，同样要考虑电容接线端子、连接母线和电缆，还有任何其他的与其相连的元件。因为它们是带电的！存放和操作条件不要在腐蚀性的空气中，特别是氯化物气体、硫化物气体、酸性、碱

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密勒电容性能影响

密勒电容对器件的频率特性有直接的影响。 密勒电容对于BJT的影响 在共射（CE）组态中，集电结电容势垒电容正好是密勒电容，故CE组态的工作频率较低。而在共基极（CB）组态中，集电结和发射结的势垒电容都不是密勒电容，故CB组态的频率特性较好，工作频率高、频带宽。因此，把CE与CB组态结合起来，即可既提高了增益(CE的作用)，又改善了频率特性（CB的作用）。对于由CC和CE组态构成的达林顿管，情况与CE组态相同，故频率特性较差。而对于CC-CE复合管，因为去掉了密勒电容，故频率特性较好。 密勒电容对于MOSFET的影响 MOSFET的输出电容是源极与漏极之间的覆盖电容C_ds。在共源组态中，C_dg正好跨接在输入端(栅极)与输出端(漏极)之间，故密勒效应使得等效输入电容增大，导致频率特性降低。在共栅极组态中，C_dg不是密勒电容，故频率特性较好。对于MOSFET的共源-共栅组态，则既提高了增益（等于两级增益的乘积，共源组态起主要作用），又改善频率特性（共栅极组态起主要作用），从而可实现高增益、高速度和宽频带。

密勒电容影响

密勒电容对器件的频率特性有直接的影响: BJT的影响 在共射(CE)组态中，集电结电容势垒电容正好是密勒电容，故CE组态的工作频率较低。而在共基极(CB)组态中，集电结和发射结的势垒电容都不是密勒电容，故CB组态的频率特性较好，工作频率高、频带宽。因此，把CE与CB组态结合起来，即可既提高了增益(CE的作用)，又改善了频率特性(CB的作用)。对于由CC和CE组态构成的达林顿管，情况与CE组态相同，故频率特性较差。而对于CC-CE复合管，因为去掉了密勒电容，故频率特性较好。 MOSFET的影响 MOSFET的输出电容是栅极与漏极之间的覆盖电容Cdg。在共源组态中，Cdg正好跨接在输入端(栅极)与输出端(漏极)之间，故密勒效应使得等效输入电容增大，导致频率特性降低。在共栅极组态中，Cdg不是密勒电容，故频率特性较好。对于MOSFET的共源-共栅组态，则既提高了增益(等于两级增益的乘积，共源组态起主要作用)，又改善频率特性(共栅极组态起主要作用)，从而可实现高增益、高速度和宽频带。

半导体电容-电压技术简介

（1）对单边突变的p -n结，其势垒电容C与电压V之间的关系可表示为：1/C2 = 2( Vbi –V)/(qεNdA2 )，则可通过测量1/C2~V关系曲线的斜率和截距来求得n型一边的掺杂浓度Nd和结的内建电势Vbi 。对线性缓变结, 也可以通过测量1/C3~V关系曲线来求得Nd和Vbi 。 对于一般的p-n结或者金属-半导体接触，也可通过C-V曲线的测量来得到轻掺杂一边的杂质浓度的分布N(W) ： N(W) = (2/qA2ε) [d(1/C2)/dV] 。 （2）对于MOS系统，通过其高频C-V特性曲线的测量（或者再加热测量）还可以得到其中的界面态和固定的与可动的电荷的数量；在MOS器件及其IC的制造过程中，C-V测量技术已经成为了一种常规的检测手段，用来监控工艺的质量。 此外，通过测量瞬态的C-V关系（例如深能级瞬态谱[DLTS]技术），还可以获得关于系统中界面态的信息。2100433B

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