频率控制、闭环转矩控制、开环转矩控制、直流制动、输入过压保护、输入欠压保护、输出缺相保护、输出过流保护、过温保护、输出短路保护、桥臂贯穿保护。

输入电压DC550V-DC800V，输出电压AC0-500V，额定输出电流240A，输出频率范围0-160Hz，整机效率≥98%。

● 逆变部分由MOSFET单相逆变桥并联组成，单桥功率设计为120kW/60kW，逆变桥采用积木式方式完成功率叠加，每块桥板均设计为由滑道组成的抽屉式结构，方便安装与维修；

● 采用匹配变压器完成功率合成，采用次级谐振、无焊接变压器输出方式，由槽路谐振电容器（低压）与感应器直接谐振，通过输出极板实现钢管焊接所需功率的传递。

● 采用密封机箱，安装顶置空调。

Inverter Output Cabinet

● The inverter part is consisted of MOSFET single phase invert bridge in parallel style. Each bridge’s design power is 120 kW/60kW. We adopt building block mode to pile up power, it’s very convenient to install and maintenance because every single bridge board is designed as drawer structure consisted of slideway.

● We adopt matching transformer to realize power combination, also we adopt sub-resonance, no-welding transformer output mode and make resonance directly by tank resonance capacitor (low voltage) and inductor to achieve steel pipe welding power transmission by output lead.

● Use sealed box and install overhead air conditioning.

高频逆变器通过高频dc/dc变换技术，将低压直流电逆变为高频低压交流电，然后经过高频变压器升压后，再经过高频整流滤波电路整流成通常均在300v以上的高压直流电，最后通过工频逆变电路得到220v工频交流电供负载使用。 　分为：方波逆变器和阶梯波逆变器。 　高频逆变器的优缺点：高频逆变器采用的是体积较小，重量较轻的高频磁芯材料，以此来大大提高电路的功率密度，使得逆变电源的空载损耗很小，逆变效率得到了提高。通常高频逆变器峰值转换效率达到90%以上。但是它也有显著的缺点，即高频逆变器不能接满负荷的感性负载，而且它的过载能力较差。2100433B

■ AlSiC具有高导热率（180～240W/mK）和可调的热膨胀系数（6.5～9.5×10-6/K），因此一方面AlSiC的热膨胀系数与半导体芯片和陶瓷基片实现良好的匹配，能够防止疲劳失效的产生，甚至可以将功率芯片直接安装到AlSiC基板上；另一方面AlSiC的热导率是可伐合金的十倍，芯片产生的热量可以及时散发。这样，整个元器件的可靠性和稳定性大大提高。

■ AlSiC是复合材料，其热膨胀系数等性能可通过改变其组成而加以调整，因此产品可按用户的具体要求而灵活地设计，能够真正地做到量体裁衣，这是传统的金属材料或陶瓷材料无法做到的。

■ AlSiC的密度与铝相当，比铜和Kovar轻得多，还不到Cu/W的五分之一，特别适合于便携式器件、航空航天和其他对重量敏感领域的应用。

■ AlSiC的比刚度（刚度除以密度）是所有电子材料中最高的：是铝的3倍，是W-Cu和Kovar的5倍，是铜的25倍，另外AlSiC的抗震性比陶瓷 好，因此是恶劣环境（震动较大，如航天、汽车等领域）下的首选材料。

■ AlSiC可以大批量加工，但加工的工艺取决于碳化硅的含量，可以用电火花、金刚石、激光等加工。

■ AlSiC可以镀镍、金、锡等，表面也可以进行阳极氧化处理。

■ 金属化的陶瓷基片可以钎焊到镀好的AlSiC基板上，用粘结剂、树脂可以将印制电路板芯与AlSiC粘合。

■ AlSiC本身具有较好的气密性。但是，与金属或陶瓷封装后的气密性取决于合适的镀层和焊接。

■ AlSiC的物理性能及力学性能都是各向同性的。