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SiC紫外探测器

SiC紫外探测器简介

半导体SiC的禁带宽度为3.25eV,具有高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优点,特别是该器件的反向漏电流低。SiC紫外探测器只对波长400nm一下的辐射选择性接收,其紫外辐射的接收与硅探测器相比,要大两个数量级,并且不需要表面加工处理,可保持长期的稳定性。另外,灵敏度和暗电流在使用温度条件下几乎不受温度变化的影响,可在700K的高温下使用 。

随着体单晶及其同质外延SiC材料性能的不断提高,可在不同的沉积条件下用直流溅射法在玻璃底衬的SiC衬底上沉积ITO:TIO和Ni膜,并可由此制成SiC金属-半导体-金属紫外辐射探测器。

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SiC紫外探测器造价信息

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双红外/紫外三复合防爆火焰焰探测器

  • GS9208/UV/IR(Ex)
  • 13%
  • 广州捷耐瑞智能科技有限公司
  • 2022-12-06
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CO探测器

  • RXXF-CO
  • 荣夏
  • 13%
  • 江苏荣夏安全科技有限公司
  • 2022-12-06
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吸气式感烟探测器

  • RX-VT622T
  • 荣夏
  • 13%
  • 江苏荣夏安全科技有限公司
  • 2022-12-06
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组合式电气火灾探测器

  • RXEF L-C6/A Ф65
  • 荣夏
  • 13%
  • 江苏荣夏安全科技有限公司
  • 2022-12-06
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消防应急疏散余压探测器

  • RXYK YP
  • 荣夏
  • 13%
  • 江苏荣夏安全科技有限公司
  • 2022-12-06
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紫外火焰探测器

  • JTG-ZM-GST9614
  • 茂名市2009年9月信息价
  • 建筑工程
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紫外火焰探测器

  • JTG-ZF-GST9714
  • 茂名市2009年9月信息价
  • 建筑工程
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紫外火焰探测器

  • JTG-ZF-GST9714
  • 茂名市2009年7月信息价
  • 建筑工程
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紫外火焰探测器

  • JTG-ZM-GST9614
  • 茂名市2009年6月信息价
  • 建筑工程
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紫外火焰探测器

  • JTG-ZM-GST9614
  • 茂名市2009年5月信息价
  • 建筑工程
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紫外线火焰探测器

  • 配套产品-紫外线火焰探测器
  • 1422台
  • 1
  • 中档
  • 不含税费 | 不含运费
  • 2015-11-13
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氧气探测器

  • 氧气探测器
  • 1个
  • 1
  • 昆山翼捷
  • 中档
  • 含税费 | 含运费
  • 2021-06-10
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探测器

  • 探测器
  • 1个
  • 2
  • 中档
  • 不含税费 | 不含运费
  • 2022-06-10
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感光探测器

  • 感光探测器
  • 1个
  • 1
  • 依爱/海湾
  • 中档
  • 含税费 | 含运费
  • 2017-12-18
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探测器

  • 探测器
  • 28套
  • 2
  • 派诺,上海零线,华宇先锋,华力特,华宿,中电
  • 中高档
  • 含税费 | 不含运费
  • 2020-10-27
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SiC紫外探测器常见问题

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SiC紫外探测器文献

穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响 穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响

穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响

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页数: 6页

研究了GaN基p-i-n(p-AlGaN/i-GaN/n-GaN)结构紫外探测器的漏电机理.实验发现,在位错密度几乎相同的情况下,基于表面有较高密度的V形坑缺陷材料制备的器件表现出较高的反向漏电.进一步的SEM测试发现,这种V形坑穿透到有源区i-GaN、甚至n-GaN层.在制备p-AlGaN电极时,许多金属会落在V形坑中,从而与i-GaN形成了肖特基接触,有些甚至直接和n-GaN形成欧姆接触.正是由于并联的肖特基接触和欧姆接触的存在导致了漏电的增加.

薄p型层GaN基p-i-n型紫外探测器的反向漏电特性 薄p型层GaN基p-i-n型紫外探测器的反向漏电特性

薄p型层GaN基p-i-n型紫外探测器的反向漏电特性

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页数: 3页

制备了薄p型层GaN基p-i-n型紫外探测器,并对其反向漏电特性进行了研究。探测器材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上外延生长获得,p-GaN的厚度为30nm。基于该材料制作了具有共面电极的探测器器件,并采用SiO2对刻蚀侧壁进行了钝化。测试结果表明,结面积为1.825×10-4cm2的器件在-1V时的反向漏电流面密度为3.0×10-9 A/cm2,优质因子达到3.7×109Ω.cm2。

紫外探测器产品类型

一、光电真空探测器,如光电倍增管、像增强器和EBCCD等;

二、光电导探测器,如GaN基和AlGaN基电光导探测器等;

三、光伏探测器,如Si,SiC,GaN P-N结和肖特基势垒光伏探测器以及CCD。

紫外线探测器对紫外辐射具有高响应。其中,日盲紫外探测器的光谱响应区集中在中紫外(波长小于290nm),而对紫外区以外的可见光及红外辐射响应较低;光盲紫外探测器长波响应限在紫外与可见光交界处。

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紫外探测器材料简介

紫外探测器材料是对紫外光敏感的材料。主要采用氮化镓系列、金刚石等宽禁带半导体材料。

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国际紫外探测器应用典例

ICE越过贾科比尼一津纳彗星时,穿越了四个互不相同的区域。国际紫外探测器穿过第四个区域——该彗星的离子尾,离彗核约16,000公里(10,000英里)。国际紫外探测器观测到,该区域是来自该彗星的一个较冷的电离气体区,它为一个磁场所围绕。科学家们相信,随着太阳风中的磁场在彗星周围集积起来,便会形成一条磁尾,它包围着该彗星的离子尾。

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