半导体SiC的禁带宽度为3.25eV，具有高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优点，特别是该器件的反向漏电流低。SiC紫外探测器只对波长400nm一下的辐射选择性接收，其紫外辐射的接收与硅探测器相比，要大两个数量级，并且不需要表面加工处理，可保持长期的稳定性。另外，灵敏度和暗电流在使用温度条件下几乎不受温度变化的影响，可在700K的高温下使用 。
随着体单晶及其同质外延SiC材料性能的不断提高，可在不同的沉积条件下用直流溅射法在玻璃底衬的SiC衬底上沉积ITO：TIO和Ni膜，并可由此制成SiC金属-半导体-金属紫外辐射探测器。
