Richard Chi-Hsi Li，male， was born in NanAn，QuanZhou ，Fujian，China .He graduated in the Physics Department of FuDan Unversity，Shanghai，China in 1985.From 1958 to 1973 .he and been working for the Institute of Geophysics ，Chineseacademy and the University of China Science and Technology，Beijing， China.

Chapter 1 Importance of Impedance Matching

1．1 Difference between RF and Digital Circuit Design

1．1．1 Case 1: Digital Circuits at Low Data Rate

1．1．2 Case 2: Digital Circuits at High Data Rate

1．2 Significance of Impedance Matching

1．2．1 Power Transportation from a Source to a Load

1．2．2 Maximizing of Power Transportation without Phase Shift

1．2．3 Conjugate Impedance Matching and Voltage Reflection Coefficient

1．2．4 Impedance Matching Networ

1．3 Problems due to Unmatched Status of Impedance

1．3．1 General Expression of Power Transportation

1．3．2 Power Instability and Additional Power Los

1．3．3 Additional Distortion and Quasi-Noise

1．3．4 Power Measurement

1．3．5 Power Transportation and Voltage Transportatio

1．3．6 Burning of a Transistor

References

Chapter 2 Impedance Matching

2．1 Impedance Measured by Small Signal

2．1．1 Impedance Measured by S Parameter Measurement

2．1．2 The Smith Chart: Impedance and Admittance Coordinatio

2．1．3 Accuracy of Smith Chartl

2．1．4 Relationship between the Impedance in Series and in Parallel

2．2 Impedance Measured by Large Signal

2．3 Impedance Matching

2．3．1 One Part Matching Network

2．3．2 Recognition of Regions in a Smith Chart

2．3．3 Two Parts Matching Network

2．3．4 Two Parts Upward and Downward Impedance Transformer

2．3．5 Three Parts Matching Network and Impedance Transformer

2．3．5．1 Topology Limitation of Two Parts Matching Network

2．3．5．2 Π Type Matching Network

2．3．5．3 T Type Matching Network

2．4 Some Useful Schemes for Impedance Matching

2．4．1 Designs and Tests when ZL is not 50 Ω

2．4．2 Conversion between“T” and “Π” Type Matching Network

2．4．3 Parts in a Matching Network

2．4．4 Impedance Matching between Power Transportation Units

2．4．5 Impedance Matching for a Mixer

References

Chapter 3 RF Grounding

3．1 A True Story

3．2 Three Components for RF Grounding

3．2．1 “Zero” Capacitors

3．2．2 Micro Strip Line

3．2．3 RF Cable

3．3 Examples of RF grounding

3．3．1 Test PCB

3．3．1．1 Small Test PCB

3．3．1．1．1 Basic Types of Test PCB

3．3．1．1．2 RF Grounding with a Rectngular Metallic Frame

3．3．1．1．3 An Example

3．3．1．2 Large Test PCB

3．3．1．2．1 RF Grounding by “Zero” Chip Capacitors

3．3．1．2．2 RF Grounding by a Runner or a Cable with Half or Quarter Wavelength

3．3．2 Isolation between Input and Output in a Mixer or an Up-converter

3．3．3 Calibration for Network Analyzer

3．4 RF Grounding for Reduction of Return Current Coupling

3．4．1 A Circuit Built by Discrete Parts on a PCB

3．4．2 RFICs

References

Chapter 4 Equivalent Circuits of Passive Chip Parts

4．1 Modeling of Passive Chip Parts

4．2 Characterizing of Passive Chip Parts by Network Analyzer

4．3 Extraction from the Measurement by Network Analyzer

4．3．1 Chip Capacitor

4．3．2 Chip Inductor

4．3．3 Chip Resistor

4．4 Summary

References

Chapter 5 Single-ended Stage and Differential Pair

5．1 Basic Single-ended Stage

5．1．1 General Description

5．1．2 Small Signal Model of a Bipolar Transistor

5．1．2．1 Impedance of a CE (Common Emitter) Device

5．1．2．2 Impedance of a CB (Common Base) Device

5．1．2．3 Impedance of a CC (Common Collector) Device

5．1．2．4 Comparison between CE， CB， and CC Device

5．1．3 Small-signal Model ofa MOSFET

5．1．3．1 Impedance of a CS (Common Source) Device

5．1．3．2 Impedance ofa CG (Common Gate) Device

5．1．3．3 Impedance of a CD (Common Drain) Device

5．1．3．4 Comparison between CS， CG， and CD Device

5．2 Differential Pair

5．2．1 DC Transfer Characteristic

5．2．1．1　DC Transfer Characteristic of a Bipolar Differential Pair

5．2．1．2 DC Transfer Characteristic of a CMOS Differential Pair

5．2．2 Small Signal Characteristic

5．2．3 Improvement of CMRR

5．2．4 Increase of Voltage Swing

5．2．5 Cancellation of Interference

5．2．6 Noise in a Differential Pair

5．3 Apparent Difference between Single-ended Stage and Differential Pair

5．4 DC Offset

5．4．1 DC Offset in a Single-ended Device

5．4．2 Zero DC Offset in a Pseudo-Differential Pair

5．4．3 Why "Zero" IF or Direct Conversion

5．4．4 DC Offset Cancellation

5．4．4．1　"Chopping" Mixer

5．4．4．2 DC Offset Calibration

5．4．4．3 Hardware Schemes

References

Chapter 6 Balun

6．1 Coaxial Cable Balun

6．2 Ring Micro Strip Line Balun

6．3 Transformer Balun

6．4 Transformer Balun Composed by Two Stacked 22 Transformers

6．5 LCBalun

References

Chapter 7 Tolerance Analysis

7．1 Importance of Tolerance Analysis

7．2 Fundamentals of Tolerance Analysis

7．2．1 Tolerance and Normal Distribution

7．2．2 6a， Cp， and Cp，

7．2．3 Yield Rate and DPU

7．2．4 Poisson Distribution

7．3 An Approach to 6a Design and Production

7．4 An Example: A Tunable Filter Design

7．4．1 Description of the Tunable Filter Design

7．4．2 Monte-Carlo Analysis

7．5 Appendix: Table of the Normal Distribution

References

Chapter 8 Prospect of RFIC Design269

Chapter 9 Noise， Gain， and Sensitivity of a Receiver317

Chapter 10 Non-linearity and Spurious Products339

Chapter 11 Cascaded Equations and System Analysis 358

Chapter 12 From Analog to Digital Communication System376

《射频电路和射频集成电路设计中的关键课题》总共十二章，涵盖六个关键性的课题：1）阻抗匹配；2）射频接地；3）单端和差分线路；4）误差分析；5）展望射频集成电路设计；6）射频电路的基本参数和指标。

射频电路设计中最大的特点是阻抗匹配。没有阻抗匹配的电路设计就不是射频电路设计。阻抗匹配也是射频电路设计和数码电路设计的主要差别之处。由于它的重要性, 《射频电路和射频集成电路设计中的关键课题》的第一章和第二章比较详细地讨论了这一关键性课题。其余的章节是在射频电路设计中最需要的基本知识，包括：什么是射频电路的基本参数？为什么目前在射频和射频集成电路设计中出现从单端转化为差分结构的趋势？射频集成电路设计的主要难题是什么？如何克服这些障碍"para" label-module="para">

《射频电路和射频集成电路设计中的关键课题》有两个特色。

首先，在已出版了的大多数射频电路和射频集成电路设计的书中,其内容是讨论一个个射频电路单元,譬如,低噪声放大器,混频器,功率放大器, 压控振荡器,频率综合器。因此，可以把它们归类为纵向论述的书。《射频电路和射频集成电路设计中的关键课题》则不是讨论一个个射频电路单元, 而是着重论述和强调在射频电路和射集成电路设计中共同的关键性课题，因此，这是一本横向论述的书。其次，尽管有些内容是引自出版了的书刊和文献。在本讲座中不少内容是引自《射频电路和射频集成电路设计中的关键课题》作者的设计和工作报告。

《射频电路和射频集成电路设计中的关键课题》可作为以下读者在射频电路和射频集成电路的设计，研究和学习中的参考书：

射频电路和射频集成电路设计工程师,测试工程师,系统工程师和经理；

射频电路和射频集成电路的有关研究人员；

射频电路和射频集成电路有关专业的大学本科生，研究生和教授。

高频电路基本上是由无源元件、有源器件和无源网络组成的。高频电路中使用的元器件与低频电路中使用的元器件频率特性是不同的。高频电路中无源线性元件主要是电阻(器)、电容(器)和电感(器)。

在电子技术领域，射频电路的特性不同于普通的低频电路。主要原因是在高频条件下，电路的特性与低频条件下不同，因此需要利用射频电路理论去理解射频电路的工作原理。在高频条件下，杂散电容和杂散电感对电路的影响很大。杂散电感存在于导线连接以及组件本身存在的内部自感。杂散电容存在于电路的导体之间以及组件和地之间。在低频电路中，这些杂散参数对电路的性能影响很小，随着频率的增加，杂散参数的影响越来越大。在早期的VHF频段电视接收机中的高频头，以及通信接收机的前端电路中，杂散电容的影响都非常大以至于不再需要另外添加电容。

此外，在射频条件下电路存在趋肤效应。与直流不同的是，在直流条件下电流在整个导体中流动，而在高频条件下电流在导体表面流动。其结果是，高频的交流电阻要大于直流电阻。

在高频电路中的另一个问题是电磁辐射效应。随着频率的增加，当波长可与电路尺寸12比拟时，电路会变为一个辐射体。这时，在电路之间、电路和 外部环境之间会产生各种耦合效应，因而引出许多干扰问题。这些问题在低频条件下往往是无关紧要的。

《射频电路理论与设计（第2版）》

第1章 引言

1.1 射频概念

1.2 射频电路的特点

1.3 射频系统

1.4 本书安排

本章小结

思考题和练习题

第2章 传输线理论

2.1 传输线结构

2.2 传输线等效电路表示法

2.3 传输线方程及其解

2.4 传输线的基本特性参数

2.5 均匀无耗传输线工作状态分析

2.6 信号源的功率输出和有载传输线

2.7 微带线

本章小结

思考题和练习题

第3章 史密斯圆图

3.1 复平面上反射系数的表示方法

3.2 史密斯阻抗圆图

3.3 史密斯导纳圆图

3.4 史密斯圆图在集总参数元件电路中的应用

本章小结

思考题和练习题

第4章 射频网络基础

4.1 二端口低频网络参量

4.2 二端口射频网络参量

4.3 二端口网络的参量特性

4.4 二端口网络的参量互换

4.5 多端口网络的散射参量

4.6 信号流图

本章小结

思考题和练习题

第5章 谐振电路

5.1 串联谐振电路

5.2 并联谐振电路

5.3 传输线谐振器

5.4 介质谐振器

本章小结

思考题和练习题

第6章 匹配网络

6.1 匹配网络的目的及选择方法

6.2 集总参数元件电路的匹配网络设计

6.3 分布参数元件电路的匹配网络设计

6.4 混合参数元件电路的匹配网络设计

本章小结

思考题和练习题

第7章 滤波器的设计

7.1 滤波器的类型

7.2 用插入损耗法设计低通滤波器原型

7.3 滤波器的变换

7.4 短截线滤波器

7.5 阶梯阻抗低通滤波器

7.6 平行耦合微带线滤波器

本章小结

思考题和练习题

第8章 放大器的稳定性、增益和噪声

8.1 放大器的稳定性

8.2 放大器的增益

8.3 输入输出电压驻波比

8.4 放大器的噪声

本章小结

思考题和练习题

第9章 放大器的设计

9.1 放大器的工作状态和分类

9.2 放大器的偏置网络

9.3小信号放大器的设计

9.4 功率放大器的设计

9.5 多级放大器的设计

本章小结

思考题和练习题

第10章 振荡器的设计

10.1 振荡电路的形成

10.2 微波振荡器

10.3 振荡电路的一般分析

10.4 振荡器的技术指标

本章小结

思考题和练习题

第11章 混频器和检波器的设计

11.1 混频器

11.2 检波器

本章小结

思考题和练习题

第12章ADS射频电路仿真设计简介

12.1 美国安捷伦（Agilent）公司与ADS软件

12.2 ADS的设计功能

12.3 ADS的仿真功能

12.4 ADS的4种主要工作视窗

本章小结

思考题和练习题

附录A 国际单位制（SI）词头

附录B 电学、磁学和光学的量和单位

附录C 某些材料的电导率

附录D 某些材料的相对介电常数和损耗角正切

附录E 常用同轴射频电缆特性参数

思考题和练习题答案

参考文献