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射频与微波晶体管功率放大器工程

《射频与微波晶体管功率放大器工程》是电子工业出版社2013年出版的图书,作者是张玉兴,陈会,文继国。

射频与微波晶体管功率放大器工程基本信息

射频与微波晶体管功率放大器工程目录

前言

第一章 绪论

§1-1 现代数字通信体制的特点

§1-1-1 功率放大器在无线通信系统中的地位

§1-1-2 功率放大器波形质量的测量

§1-1-3 功率效率的测量

§1-1-4 功放线性化技术和效率提高技术

§1-2 射频与微波固体功率放大器的特点

§1-3 射频和微波功率放大器的分析方法综述

§1-3-1 线性近似化理论

§1-3-2 弱非线性器件的分析方法

§1-3-3 强非线性效应下的近似分析法

§1-3-4 计算机辅助设计(CAD)和非线性器件模型

§1-3-5 负载牵引设计法

§1-4 射频和微波固体功率放大器中的新颖技术

§1-4-1 功率放大器的线性化技术

§1-4-2 效率及线性化增强技术

第二章 射频和微波晶体管功率放大器基础

§2-1 射频和微波功率晶体管的直流参数和功能参数

§2-1-1 直流参数

§2-1-2 极限参数和热特性

§2-1-3 功率晶体管的功能特性

§2-1-4 低功率晶体管的功能特性

§2-1-5 线性模块的功能特性

§2-1-6 功率模块的功能性特

§2-2 射频和微波晶体管应用基础

§2-2-1 低功率晶体管的选择

§2-2-2 高功率晶体管的选择

§2-2-3 晶体管选择时的带宽考虑

§2-2-4 MOSFET与双极晶体管的选择

§2-2-5 选择功率晶体管其他考虑因素

§2-3 FET和双极晶体管的参数和电路比较

§2-3-1 晶体管类型

§2-3-2 参数的比较

§2-3-3 电路组态

§2-4 影响功率放大器设计的其他因素

§2-4-1 工作类别

§2-4-2 调制类型

§2-4-3 线性工作偏置的考虑

§2-4-4 脉冲模式工作的晶体管

§2-5 LDMOS功率晶体管及他们的应用

§2-5-1 LDMOSFET与垂直MOSFET的比较

§2-5-2 LDMOS器件设计

§2-5-3 LDMOS的特性

§2-5-4 FET的一些近似设计考虑

§2-5-5 LDMOS晶体管在现代移动蜂窝技术中的应用

§2-5-6 射频功率放大器的特性

§2-5-7 线性度考虑

§2-5-8 W-CDMA功率放大器设计实际例子

§2-5-9 CDMA放大器设计和优化的电路技术

§2-5-10 LDMOS晶体管的模型

§2-6 射频和微波功率放大器的附加电路

§2-6-1 固体功率放大器的VSWR保护

§2-6-2 功率放大器的负载失配量的"在线"测试电路

§2-6-3 输出滤波

§2-7 宽带阻抗匹配的基本概念

§2-7-1 宽带电路介绍

§2-7-2 传统的RF变压器阻抗变换器

§2-7-3 绞线RF变压器阻抗变换器

§2-7-4 传输线RF变压器阻抗变换器

§2-7-5 等延迟传输线RF变压器阻抗变换器

§2-8 射频和微波功率放大器的总体设计思想

§2-8-1 单端、平衡(并联)或者推挽功率放大器

§2-8-2 单端RF功率放大器设计思想

§2-8-3 双极晶体管并联功率放大器

§2-8-4 MOSFET晶体管并联功率放大器

§2-8-5 推挽功率放大器

§2-8-6 功率晶体管的阻抗和放大器的匹配网络

§2-8-7 功率放大器系统的级间匹配电路

§2-8-8 单级设计的实际例子

§2-9 计算机辅助设计程序

§2-9-1 概况

§2-9-2 Motorola阻抗匹配程序的内部

第三章 射频和微波功率放大器的结构技术及可靠性技术

§3-1 RF功率晶体管的封装类型

§3-2 封装对发射极/源极阻抗的影响

§3-3 射频和微波功率放大器印刷电路板的布局

§3-4 射频和微波元器件安排

§3-4-1 高功率晶体管的安装

§3-4-2 低功率晶体管的安装

§3-4-3 射频功率模块的安装

§3-5 射频和微波功率放大器的可靠性考虑

§3-5-1 芯片温度和他对可靠性的影响

§3-5-2 其他可靠性考虑

第四章 线性功率放大器的设计和功率放大器的线性化技术

§4-1 非线性电路基本概念与定义

§4-1-1 线性与非线性

§4-1-2 频率的产生

§4-1-3 非线性现象

§4-1-4 放大器中的非线性现象

§4-2 线性晶体管功率放大器的设计

§4-2-1 A类放大器和线性放大

§4-2-2 增益匹配和功率匹配

§4-2-3 负载牵引测量

§4-2-4 商用负载牵引测量设备

§4-2-5 负载线理论

§4-2-6 封装效应和负载牵引理论

§4-2-7 用CAD程序作负载牵引等功率

§4-2-8 A类功率放大器设计的实际例子

§4-2-9 总结

§4-3 功率放大器的线性化技术

§4-3-1 负反馈线性化技术

§4-3-2 预失真技术

§4-3-3 前馈技术

第五章 高效率射频和微波固体功率放大器设计

§5-1 功率放大器减小导通角的波形分析

§5-2 功率放大器输出端口

§5-3 减小导通角工作模式分析

§5-3-1 A类工作条件

§5-3-2 AB类工作条件

§5-3-3 B类工作状态

§5-3-4 C类工作状态

§5-3-5 晶体管的开启(膝)电压的影响

§5-3-6 功率转移特性和线性度

§5-3-7 对输入驱动的要求

§5-3-8 本节小结

§5-4 降低导通角高效率功率放大器的匹配网络的设计

§5-4-1 低通匹配网络

§5-4-2 传输线网络

§5-4-3 谐波短路

§5-4-4普通的的MESFET晶体管

§5-4-5 850MHz 2W B类功率放大器设计实例

§5-4-6 "π"型功率匹配网络

§5-4-7 功率放大器中的"π"型匹配网络设计和分析

§5-4-8 使用负载牵引法的网络设计和分析

§5-5 射频和微波功率放大器中的过驱动和限制效应

§5-5-1 过驱动A类功率放大器

§5-5-2 过驱动减小导通角模式的功率放大器

§5-5-3 正弦波的矩形化:F类和D类工作状态

§5-5-4 实际的F类功率放大器

§5-5-5 具有谐波短路的过驱动功率放大器

§5-6 射频应用的开关模式放大器

§5-6-1 简单的(射频应用)开关模式放大器

§5-6-2 调谐开关模功率放大器

§5-6-3 D类开关模功率放大器

§5-6-4 E类开关模功率放大器

第六章 射频和微波功率放大器的电路技术

§6-1 推挽放大器

§6-2 平衡功率放大器

§6-3 射频和微波功率放大器中的频率补偿和负反馈

§6-3-1 频率补偿

§6-3-2 负反馈

第七章 功率合成与分配技术

§7-1 概述

§7-1-1 合成概念的演变

§7-1-2 合成的基本原理

§7-1-3 合成的网络特性

§7-2 功率合成器/分配器的类型

§7-2-1 谐振和非谐振腔体合成器/功分器

§7-2-2 非谐振的N路合成器

§7-2-3 空间功率合成器

§7-3 功率合成器/分配器的分析方法

§7-3-1 传输线合成器的分析

§7-3-2 平面二维功率合成结构的分析

§7-3-3 波导和腔体合成器的分析

§7-3-4 空间功率合成结构的分析

§7-4 常规功率分配与合成技术

§7-4-1 Wilkinson 功率分配器

§7-4-2 耦合线定向耦合器

§7-4-3 微波混合桥

§7-4-4 同轴电缆变换器和合成器

§7-4-5 平行耦合线(双绞线)及同轴线阻抗变换器和平衡-不平衡变换器

§7-5 新型功率分配与合成技术

§7-5-1 基于DGS结构的不等分功率合成技术

§7-5-2 基于多层结构的小型化超宽带合成技术

§7-5-3 任意双频段功分与合成技术

§7-6 空间功率合成技术

§7-6-1 概述

§7-6-2 扩展同轴波导内空间功率合成技术

§7-6-3 径向波导空间功率合成技术

§7-6-4 基片集成波导空间功率合成技术

§7-7 大功率合成技术简介

§7-7-1 传输线的功率容量

§7-7-2 大功率合成器的设计实例

§7-8 小结

第八章 射频和微波功率放大器中的记忆效应和失真

§8-1 介绍

§8-1-1 本章的目的

§8-1-2 线性化和记忆效应

§8-1-3 本章的主要内容

§8-2 电路理论和方法

§8-2-1 电系统的分类

§8-2-2 非线性系统的频谱计算

§8-2-3 无记忆非线性系统中的频谱再生

§8-2-4 非线性效应与信号带宽的关系

§8-2-5 非线性系统分析

§8-2-6 小结

§8-2-7 需记住的要点

§8-3 射频功率放大器中的记忆效应

§8-3-1 效率

§8-3-2 线性化

§8-3-3 电记忆效应

§8-3-4 热记忆效应

§8-3-5 幅度域效应

§8-3-6 总结

§8-3-7 记忆要点

§8-4 Volterra模型

§8-4-1 非线性建模

§8-4-2 非线性I-V和Q-V特性

§8-4-3 共射BJT/HBT模型

§8-4-4 在BJT共射放大器中的IM3

§8-4-5 MESFET建模及分析

§8-4-6 小结

§8-4-7 记忆要点

§8-5 Volterra模型的特性描述

§8-5-1 拟合多项式模型

§8-5-2 自热效应

§8-5-3 直流I-V 特性

§8-5-4 交流特性描述步骤

§8-5-5 脉冲S-参数测量

§8-5-6 封装效应的去除

§8-5-7 小信号参数的计算

§8-5-8 拟合法交流测量

§8-5-9 1-W BJT的非线性模型

§8-5-10 1-W MESFET 的非线性模型

§8-5-11 30-W LDMOS的非线性模型

§8-5-12 小结

§8-5-13 记忆要点

§8-6 仿真及测量记忆效应

§8-6-1 仿真记忆效应

§8-6-2 记忆效应的测量

§8-6-3 记忆效应与线性化

§8-6-4 小结

§8-6-5 记忆要点

§8-7 记忆效应的抵消

§8-7-1 包络滤波法

§8-7-2 阻抗优化

§8-7-3 包络注入

§8-7-4 小结

§8-7-5 记忆要点

附录7A: Volterra 分析基础

附录7B: 截断误差

附录7C:平方非线性级联时的IM3公式

附录7D: 测量系统的有关问题

第九章 异相射频与微波功率放大器

§9-1异相微波功率放大器的介绍

§9-1-1 从历史角度来看异相放大器

§9-1-2 异相放大理论的介绍

§9-2 反相功率放大系统的线性性能

§9-2-1介绍

§9-2-2 数字调制技术

§9-2-3 数字数据的基带滤波

§9-2-4 异相放大器信号分量的分离

§9-2-5 路径不均衡和他对线性度的影响

§9-2-6 正交调制器误差对线性度的影响

§9-2-7 SCS量化误差对于异相系统的影响

§9-2-8 重构滤波器和DSP抽样率对线性度影响

§9-2-9总结

§9-3 异相放大器中降低路径失配的技术

§9-3-1 简介

§9-3-2 基于训练矢量的改进方法

§9-3-3 数据传输中路径失配误差的校正方案

§9-3-4 宽带应用中的失配校正方法

§9-3-5 VCO驱动合成

§9-4 异相功率放大器中的功率合成及效率增强技术

§9-4-1 介绍

§9-4-2 异相放大器中的功率合成技术

§9-4-3 异相系统的放大器选择

§9-4-4 利用A、B、C类放大器设计异相放大器

§9-4-5 Chireix功率合成技术

§9-4-6 开关模式放大器(D类和E类)的功率合成器的设计

§9-4-7 在异相功率放大器中使用有损耗的功率合成器

§9-4-8 输出功率的概率分布及其对效率带来的影响

§9-4-9 异相放大器中的功率回收

附录9A

9A.1 混合型功率合成器输出的资用功率

9A.2 任意二极管模型的回收效率和电压驻波比

第十章 通信系统中的功率放大器

§10-1 Kahn包络分离和恢复技术

§10-2 包络跟踪

§10-3 异相功率放大器

§10-4 Doherty功率放大器方案

§10-5 开关模和双途径功率放大器

§10-6 前馈线性化技术

§10-7 预失真线性化(技术)

§10-8 手持机应用的单片CMOS和HBT功率放大器

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射频与微波晶体管功率放大器工程造价信息

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射频与微波晶体管功率放大器工程内容介绍

本书主要阐述射频和微波晶体管功率放大器工程设计的基本理论、方法、设计技巧和工程实现。书中给出了较多的工程设计的实例和实现时需要注意的工程方法,为电子工程师提供了几乎所有的手段,以提高设计效率,缩短设计周期。书中不仅注重功率放大器的基本理论、传统的设计方法,还涉及最新的设计理念和分析方法--异相功率放大器、功率放大器中的记忆效应。

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射频与微波晶体管功率放大器工程常见问题

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射频与微波晶体管功率放大器工程文献

射频功率放大器 射频功率放大器

射频功率放大器

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页数: 1页

射频功率放大器 随着绿色环保、低碳经济理念在全球不断的推广深入人心,运营商对于 移动通信基站的效率提出了越来越高的需求。与此同时,由于移动通信市场 数据业务的飞速增长,移动通信基站的带宽要求也从最初的 20MHz 向 40MHz、60MHz 直至 100MHz 一路攀升,未来的 5G系统甚至需要 1GHz。 而在基站设备中,射频功放的能耗占到总能耗的 60%左右,因此,大带宽、 高效率、小体积,轻重量、低成本的射频功率放大器成为了未来移动运营商 降低 OPEX(运营成本 )、实现绿色节能的最为有效的手段。 ? ? 目前,整个业界移动通信基站使用的基本上都是基于 LDMOS 技术射频功 率放大器。 LDMOS 技术自上世纪九十年代应用于移动通信基站射频功率放 大器应用以来,以其优异的性能迅速占领了几乎全部的 2G和 3G市场份额。 全球每年用于移动通信基站的射频功率器件的销售数量大约一亿只,

功率放大器 功率放大器

功率放大器

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页数: 42页

功率放大器

射频与微波晶体管放大器基础内容简介

书籍

通信书籍

《射频与微波晶体管放大器基础》全面讲解了射频与微波晶体管放大器的各种类型,包括低噪声、窄带、宽带、线性、高功率、高效率、高压放大器,以及离散、单片集成与混合集成放大器。主要的研究主题包括晶体管建模、分析、设计、表征、测量、封装、热设计及制造技术。本书特别强调理论与实践的结合,读者将了解并学会解决与放大器相关的各类设计问题,从放大器的匹配网络设计、偏置电路设计到稳定性分析等。超过160道的习题有助于提高读者对基本的放大器和电路设计技巧的掌握。

《射频与微波晶体管放大器基础》注重理论、联系实践,可作为高等院校电子信息工程专业的高年级本科生或研究生的教材,也可作为广大教师、科研工作者和从事相关工作的专业技术人员的参考手册。

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射频与微波晶体管放大器基础目录

《射频与微波晶体管放大器基础》

第1章 引言

1.1 晶体管放大器

1.2 晶体管放大器的早期历史

1.3 晶体管放大器的优点

1.4 晶体管

1.5 放大器的设计

1.6 放大器制造技术

1.7 放大器的应用

1.8 放大器的成本

1.9 目前的趋势

1.10 本书的结构

参考文献

第2章 线性网络分析

2.1 阻抗矩阵

2.2 导纳矩阵

2.3 abcd参数

2.4 s参数

2.4.1 单端口网络的s参数

2.5 双端口参数之间的关系

.参考文献

习题

第3章 放大器特性和定义

3.1 带宽

3.2 功率增益

3.3 输入和输出电压驻波比

3.4 输出功率

3.5 功率附加效率

3.6 交调失真

3.6.1 ip3

3.6.2 acpr

3.6.3 evm

3.7 谐波功率

3.8 峰均比

3.9 合成器效率

3.10 噪声特性

3.10.1 噪声系数

3.10.2 噪声温度

3.10.3 噪声带宽

3.10.4 最佳噪声匹配

3.10.5 等噪声系数圆和等增益圆

3.10.6 输入和噪声同时匹配

3.11 动态范围

3.12 多级放大器特性

3.12.1 多级放大器ip3

3.12.2 多级放大器pae

3.12.3 多级放大器噪声系数

3.13 栅极和漏极的推移因子

3.14 放大器的温度系数

3.15 平均失效时间

参考文献

习题

第4章 晶体管

4.1 晶体管类型

4.2 硅双极型晶体管

4.2.1 关键性能系数

4.2.2 硅双极型晶体管的高频噪声特性

4.2.3 功率特性

4.3 gaas mesfet

4.3.1 小信号等效电路

4.3.2 性能系数

4.3.3 mesfet器件的高频噪声特性

4.4 异质结场效应晶体管

4.4.1 hemt器件的高频噪声性能

4.4.2 磷化铟phemt器件

4.5 异质结双极型晶体管

4.5.1 hbt的高频噪声特性

4.5.2 sige异质结双极型晶体管

4.6 mosfet

参考文献

习题

第5章 晶体管模型

5.1 晶体管模型的类型

5.1.1 基于物理学/电磁学理论的模型

5.1.2 解析或混合模型

5.1.3 以测量结果为基础的模型

5.2 mesfet模型

5.2.1 线性模型

5.2.2 非线性模型

5.3 phemt模型

5.3.1 线性模型

5.3.2 非线性模型

5.4 hbt模型

5.5 mosfet模型

5.6 bjt模型

5.7 晶体管模型缩放

5.8 源牵引和负载牵引数据

5.8.1 理论负载牵引数据

5.8.2 测试功率和pae的源牵引和负载牵引

5.8.3 测试ip3的源和负载阻抗

5.8.4 源和负载阻抗尺度变化

5.9 依赖温度的模型

参考文献

习题

第6章 匹配电路的元件

6.1 阻抗匹配元件

6.2 传输线匹配元件

6.2.1 微带线

6.2.2 共面线

6.3 集总元件

6.3.1 电容

6.3.2 电感

6.3.3 电阻

6.4 键合线电感

6.4.1 单线

6.4.2 地平面效应

6.4.3 多路线

6.4.4 线允许的最大电流

6.5 宽带电感

参考文献

习题

第7章 阻抗匹配技术

7.1 单端口和双端口网络

7.2 窄带匹配技术

7.2.1 集总元件匹配技术

7.2.2 传输线匹配技术

7.3 宽带匹配技术

7.3.1 增益-带宽限制

7.3.2 集总元件宽带匹配技术

7.3.3 传输线宽带匹配网络

7.3.4 巴伦型宽带匹配技术

7.3.5 t形桥式匹配网络

参考文献

习题

第8章 放大器分类及分析

8.1 放大器的分类

8.2 a类放大器的分析

8.3 b类放大器的分析

8.3.1 单端式b类放大器

8.3.2 推挽式b类放大器

8.3.3 过激励b类放大器

8.4 c类放大器的分析

8.5 e类放大器的分析

8.6 f类放大器的分析

8.7 不同种类放大器的比较

参考文献

习题

第9章 放大器设计方法

9.1 放大器的设计

9.1.1 晶体管类型和制造工艺

9.1.2 晶体管尺寸的选择

9.1.3 设计方法

9.1.4 电路拓扑

9.1.5 电路分析和优化

9.1.6 稳定性和热分析

9.2 放大器设计技术

9.2.1 负载线法

9.2.2 低损耗匹配设计技术

9.2.3 非线性设计方法

9.2.4 taguchi实验法

9.3 匹配网络

9.3.1 电抗/电阻性的匹配网络

9.3.2 群匹配技术

9.4 放大器设计的例子

9.4.1 低噪放设计

9.4.2 最大增益放大器设计

9.4.3 功放设计

9.4.4 多级驱动放大器的设计

9.4.5 gaas hbt功放

9.5 基于硅的放大器设计

9.5.1 si ic lna

9.5.2 si ic功率放大器

参考文献

习题

第10章 高效率放大器技术

10.1 高效率设计

10.1.1 过驱动放大器设计

10.1.2 b类放大器设计

10.1.3 e类放大器设计

10.1.4 f类放大器设计

10.2 谐波作用放大器

10.3 谐波注入技术

10.4 谐波控制放大器

10.5 高pae设计考虑

10.5.1 谐波调节平台

10.5.2 匹配网络损耗计算

10.5.3 匹配网络损耗的减小

参考文献

习题

第11章 宽带放大器

11.1 晶体管的带宽限制

11.1.1 晶体管的增益滚降

11.1.2 变化的输入和输出阻抗

11.1.3 功率-带宽积

11.2 宽带放大技术

11.2.1 电抗/电阻性拓扑

11.2.2 反馈放大器

11.2.3 平衡放大器

11.2.4 分布式放大器

11.2.5 有源宽带匹配技术

11.2.6 共源共栅结构

11.2.7 宽带技术的比较

11.3 宽带功率放大器设计的考虑事项

11.3.1 拓扑图的选择

11.3.2 器件长宽比

11.3.3 低损耗匹配网络

11.3.4 增益平坦技术

11.3.5 谐波终端

11.3.6 热设计

参考文献

习题

第12章 线性化技术

12.1 非线性分析

12.1.1 单音信号分析

12.1.2 双音信号分析

12.2 相位失真

12.3 功率放大器的线性化技术

12.3.1 脉冲掺杂器件及匹配优化

12.3.2 预失真技术

12.3.3 前馈技术

12.4 提高线性放大器效率的技术

12.4.1 反相

12.4.2 doherty 放大器

12.4.3 包络消除与恢复

12.4.4 自适应偏置

12.5 线性放大器的设计

12.5.1 放大器增益

12.5.2 减小源和负载失配

12.6 线性放大器设计实例

参考文献

习题

第13章 高压功率放大器设计

13.1 高压晶体管性能概述

13.1.1 优点

13.1.2 应用

13.2 高压晶体管

13.2.1 si双极型晶体管

13.2.2 si ldmos晶体管

13.2.3 gaas场板mesfet

13.2.4 gaas 场板phemt

13.2.5 gaas hbt

13.2.6 sic mesfet

13.2.7 sic gan hemt

13.3 高压放大器设计的必要考虑

13.3.1 有源器件的热设计

13.3.2 无源元件的功率处理

13.4 功率放大器设计实例

13.4.1 高压混合放大器

13.4.2 高压单片式放大器

13.5 宽带hv放大器

13.6 串联fet放大器

参考文献

习题

第14章 混合放大器

14.1 混合放大器技术

14.2 印制电路板

14.3 混合集成电路

14.3.1 薄膜mic技术

14.3.2 厚膜mic技术

14.3.3 共烧陶瓷和玻璃--陶瓷技术

14.4 内匹配功率放大器设计

14.5 低噪声放大器

14.5.1 窄带低噪声放大器

14.5.2 超宽带低噪声放大器

14.5.3 宽带分布式低噪声放大器

14.6 功率放大器

14.6.1 窄带功率放大器

14.6.2 宽带功率放大器

参考文献

习题

第15章 单片放大器

15.1 单片放大器的优点

15.2 单片ic技术

15.2.1 mmic制作

15.2.2 mmic基底

15.2.3 mmic有源器件

15.2.4 mmic匹配元件

15.3 mmic设计

15.3.1 cad工具

15.3.2 设计流程

15.3.3 em仿真器

15.4 设计实例

15.4.1 低噪声放大器

15.4.2 大功率限幅器/lna

15.4.3 窄带pa

15.4.4 宽带pa

15.4.5 超宽带pa

15.4.6 高功率放大器

15.4.7 高效率pa

15.4.8 毫米波pa

15.4.9 无线功率放大器设计实例

15.5 cmos制造

参考文献

习题

第16章 热设计

16.1 热力学基础

16.2 晶体管热设计

16.2.1 cooke 模型

16.2.2 单栅热模型

16.2.3 多栅热模型

16.3 放大器热设计

16.4 脉冲工作

16.5 导热槽设计

16.5.1 传导降温和强制降温

16.5.2 设计实例

16.6 热阻测量

16.6.1 ir成像测量

16.6.2 液晶测量

16.6.3 电气测量技术

参考文献

习题

第17章 稳定性分析

17.1 偶模振荡

17.1.1 偶模稳定性分析

17.1.2 偶模振荡消除技术

17.2 奇模振荡

17.2.1 奇模稳定性分析

17.2.2 奇模振荡抑制技术

17.2.3 分布式放大器的不稳定性

17.3 参数式振荡

17.4 杂散参数式振荡

17.5 低频振荡

参考文献

习题

第18章 偏置网络

18.1 晶体管偏置

18.1.1 晶体管偏置点

18.1.2 偏置方案

18.2 偏置电路设计需要考虑的条件

18.2.1 微带偏置电路

18.2.2 集总元件偏置电路

18.2.3 高pae偏置电路

18.2.4 迁移电流限制

18.3 自偏置技术

18.4 多级放大器偏置

18.5 偏置电路的低频稳定性

18.6 偏置顺序

参考文献

习题

第19章 功率合成

19.1 器件级功率合成

19.2 电路级功率合成

19.2.1 功能衰减

19.2.2 功率合成效率

19.3 功分器、 正交混合网络和耦合器

19.3.1 功分器

19.3.2 90°混合网络

19.3.3 耦合线定向耦合器

19.4 n路合成器

19.5 共同合成器结构

19.6 隔离电阻的功率处理

19.7 空间功率合成

19.8 功率合成技术的比较

参考文献

习题

第20章 集成的功能放大器

20.1 集成的限幅器/lna

20.1.1 限幅器/lna拓扑结构

20.1.2 限幅器的要求

20.1.3 肖特基二极管设计与限幅器结构

20.1.4 10 w限幅器/lna设计

20.1.5 测试数据与讨论

20.2 发射链

20.2.1 可变增益放大器

20.2.2 可变功率放大器

20.2.3 放大器的温度补偿

20.2.4 功率监视/检测

20.2.5 负载失配保护

20.3 放大器的级联

参考文献

习题

第21章 放大器封装

21.1 放大器封装概述

21.1.1 历史简介

21.1.2 封装类型

21.2 封装材料

21.2.1 陶瓷

21.2.2 高分子化合物

21.2.3 金属

21.3 陶瓷封装设计

21.3.1 rf馈通的设计

21.3.2 腔孔设计

21.3.3 偏置线

21.3.4 陶瓷封装结构

21.3.5 陶瓷封装模型

21.4 塑料封装设计

21.4.1 塑料封装

21.4.2 塑料封装模型

21.5 封装组装

21.5.1 芯片贴装

21.5.2 芯片引线键合

21.5.3 陶瓷封装的组装

21.5.4 塑料封装的组装

21.5.5 密封和包装

21.6 热性能考虑

21.7 封装使用的cad工具

21.8 功率放大器模块

参考文献

习题

第22章 晶体管和放大器的测量

22.1 晶体管测量

22.1.1 i-v测量

22.1.2 s参数测量

22.1.3 噪声参数测量

22.1.4 源牵引和负载牵引测量

22.2 放大器测量

22.2.1 使用rf探针测量

22.2.2 驱动放大器和hpa的测试

22.2.3 大信号输出vswr

22.2.4 噪声系数测量

22.3 失真测量

22.3.1 am-am和am-pm

22.3.2 ip3/im3测量

22.3.3 acpr测量

22.3.4 npr测量

22.3.5 evm测量

22.4 相位噪声测量

22.5 恢复时间测量

参考文献

习题

附录a 物理常数和其他数据

附录b 单位和符号

附录c 频带命名

附录d 分贝单位

附录e 数学关系式

附录f 史密斯圆图

附录g 图形符号

附录h 首字母缩略词及缩写词

附录i 符号列表

附录j 多通道与调制技术

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微波晶体管放大器微波功率放大器

微波功率放大器用于放大较强的微波信号。主要指标有:①输出功率,②非线性失真。非线性失真将引起幅度调制信号,如AM、MQAM等的畸变,使限带信号频谱展宽。减小非线性失真的措施一般有功率回退法和预失真法。功率回退法是降低输出功率,使晶体管工作于线性区。是在输入信号内加入适当的失真成分,使其在放大器中与新产生的失真抵消。在采取了这些措施之后,非线性失真一般能达到要求。

当微波晶体管输出功率有限,且需要更大功率输出时,就要采用功率合成技术(见功率放大器),原理如图(a)所示。可用图(b)所示的功率合成器,也可用其它耦合结构。当采用功率合成器时,要求有一对输入端的信号幅度和相位必须相同,否则将不能完全相加而损耗功率。

微波功率放大器的结构一般为微带结构,散射参量及相关的特征参数由计算机系统进行辅助设计。

微波晶体管放大器发展很快,微波金属半导体场效应管、MESFET的出现使工作频段可以由1GHz延伸至30GHz,线性输出功率大于几十瓦,三阶交调系 数优于-40dBc大大提高了微波通信设备的性能。

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