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碳化硅晶片

碳化硅晶片的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件。该材料具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性，在高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波性等电子应用领域和航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优势。国内独家碳化硅单晶供应商，在研发、技术、市场开发及商业运作等方面处绝对领先地位，已成功掌握76mm(3英寸)超大宝石级SiC2晶体生长核心技术工艺，达到国际2001年先进水平。

碳化硅晶片基本信息

中文名称碳化硅晶片
应用领域LED固体照明和高频率器件
特性高出传统硅数倍的禁带、漂移速度
市场前景市场应用前景诱人
产地青海、宁夏、河南、四川、贵州
输往国别美国、日本、韩国、及欧洲国家

碳化硅晶片性质和用途

.性质 碳化硅的硬度很大，具有优良的导热和导电性能，高温时能抗氧化。 用途 (1)作为磨料，可用来做磨具，如砂轮、油石、磨头、砂瓦类等。 (2)作为冶金脱氧剂和耐高温材料。 碳化硅主要有四大应用领域,即: 功能陶瓷、高级耐火材料、磨料及冶金原料。碳化硅粗料已能大量供应, 不能算高新技术产品,而技术含量极高的纳米级碳化硅粉体的应用短时间不可能形成规模经济。 (3)高纯度的单晶，可用于制造半导体、制造碳化硅纤维。 产地、输往国别及品质规格 (1)产地:青海、宁夏、河南、四川、贵州等地。 (2)输往国别:美国、日本、韩国、及某些欧洲国家。 (3)品质规格: ①磨料级碳化硅技术条件按GB/T2480-96。各牌号的化学成分由表6-6-47和表6-6-48给出。 ②磨料粒度及其组成按GB/T2477-83。磨料粒度组成测定方法按GB/T2481-83。

碳化硅晶片造价信息

市场价
信息价
询价

碳化硅砖

规格型号：
230×115×65规格:长×宽×厚(mm):230×115×65;分型:普型;品种:碳砖;
价格行情：
材料单位：
t
材料品牌：
华林
材料税率：
13%
供应商：
抚顺市华林耐火材料厂
报价时间：
2022-12-08

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碳化硅粉

规格型号：
价格行情：
材料单位：
kg
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
巩义市恒立耐火材料厂佛山办事处
报价时间：
2022-12-08

查看价格

碳化硅砖

规格型号：
分型:普型;厚度(mm):65;品种:碳砖;宽度(mm):115;规格:长×宽×厚(mm):230×115×65;长度(mm):230
价格行情：
材料单位：
t
材料品牌：
华林
材料税率：
13%
供应商：
抚顺市华林耐火材料厂通化销售处
报价时间：
2022-12-08

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碳化硅砖

规格型号：
耐火温度 1580～1770℃（℃）
价格行情：
材料单位：
t
材料品牌：
淮林
材料税率：
13%
供应商：
大石桥淮林耐火材料有限公司
报价时间：
2022-12-08

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碳化硅砖

规格型号：
分型:标型;厚度(mm):65;品种:碳砖;宽度(mm):115;规格:长×宽×厚(mm):230×115×65;长度(mm):230
价格行情：
材料单位：
块
材料品牌：
新东
材料税率：
13%
供应商：
长春市新东保温耐火材料有限公司
报价时间：
2022-12-08

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碳化硅粉

规格型号：
TH180-280
价格行情：
材料单位：
kg
材料税率：
地区时间：
韶关市2010年6月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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碳化硅砂轮

规格型号：
Ф290×185
价格行情：
材料单位：
个
材料税率：
地区时间：
肇庆市2003年3季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

铝碳化硅耐火泥

规格型号：
价格行情：
材料单位：
kg
材料税率：
地区时间：
韶关市2010年5月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

碳化硅砂轮片

规格型号：
Ф290×185
价格行情：
材料单位：
片
材料税率：
地区时间：
韶关市2010年4月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

碳化硅砂轮片

规格型号：
Ф400×25×4
价格行情：
材料单位：
片
材料税率：
地区时间：
韶关市2010年4月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

碳化硅

规格型号：
粒径0.5-2mm
需求量：
1000m³
报价数：
3
材料品牌：
材料档次：
中高档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2021-11-03

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碳化硅粉

规格型号：
需求量：
8106kg
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2015-05-08

查看价格

碳化硅平六碳化硅砖

规格型号：
690×230×65
需求量：
12件
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中高档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2019-05-30

查看价格

碳化硅平四碳化硅砖

规格型号：
460×230×65
需求量：
12件
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中高档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2019-05-30

查看价格

绿碳化硅砂轮

规格型号：
材质绿碳化硅规格 250X25X32
需求量：
9335片
报价数：
4
材料品牌：
材料档次：
普通
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2015-07-20

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碳化硅晶片概况

在半导体器件的应用方面，随着碳化硅生产成本的降低，碳化硅由于其优良的性能而可能取代硅作芯片，打破硅芯片由于材料本身性能的瓶颈，将给电子业带来革命性的变革。 碳化硅的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件，未来手机和笔记本电脑的背景光市场将给碳化硅提供巨大的需求增长。 而由于一些特殊方面的应用，国外碳化硅生产企业对中国进行禁运，而碳化硅晶体巨大的技术壁垒又导致中国国内到目前为止仍没有企业能够生产，因此，国内下游企业和研究机构都在"等米下锅"。 全球主要碳化硅晶片制造商美国Cree公司在NASDAQ上市的Cree公司的碳化硅晶片产量为30万片，占全球出货量的85%。是全球碳化硅晶片行业的先行者，为后续有自主创新能力的企业开拓了市场和发展路径。

碳化硅晶片常见问题

碳化硅的价格

碳化硅 SiC >99% 8000元/吨以上 SiC <98% 3800-4200元/吨价格近期来不是很稳定，买卖都需慎重
碳化硅和刚玉哪个耐磨

最好的棕刚玉硬度是不是比碳化硅硬度会高一些。好的棕刚玉氧化铝含量能达到96，所以硬度很高，由于它们的生产原材料不同，所以硬度也有差别，棕刚玉的莫氏硬度9.0.，而碳化硅则可以达到9.5，所以棕刚玉不能...
碳化硅有什么用途？

回答尽可能用自己的语言组织，大量复制网络上已有的内容，答案将被删除并扣分。请一定对自己的回答负责，尽可能准确、详细和有效(1)作为磨料，可用来做磨具，如砂轮、油石、磨头、砂瓦类等。 &nb...

碳化硅晶片文献

碳化硅专利分析-单晶,晶片和外延片制造研究报告

碳化硅专利分析-单晶,晶片和外延片制造研究报告

碳化硅专利分析-单晶,晶片和外延片制造研究报告

格式：pdf

大小：641KB

页数： 7页

北京佐思信息咨询有限责任公司 Beijing OKOKOK Information Consulting Co.,Ltd 北京佐思 www.okokok.com.cn 地址：北京市海淀区长远天地 C座 3-502 #, 100080 碳化硅专利分析 -单晶，晶片和外延片制造研究报告 ——SiC Patent Analysis single crystal, wafer and epiwafer manufacturing 1772 patent families to support a $80M business in 2012 ⋯ 1772 PATENT FAMILIES TO SUPPORT A $80M BUSINESS IN 2012⋯ Despite a cumulative raw wafers + epi wafers market that won’t exceed

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碳化硅生产新工艺,碳化硅制备加工配方设计,碳化硅技术专利全集

碳化硅生产新工艺,碳化硅制备加工配方设计,碳化硅技术专利全集

碳化硅生产新工艺,碳化硅制备加工配方设计,碳化硅技术专利全集

格式：pdf

大小：641KB

页数： 17页

碳化硅生产新工艺与制备加工配方设计及技术专利全集主编：国家专利局编写组出版发行：中国知识出版社 2011年规格：全四卷 16 开精装 +1张 CD光盘定价： 1180元优惠价： 680元详细目录 1 200410030786.8 铝电解槽侧墙用氮化硅结合碳化硅耐火砖及其制备方法 2 200410023747.5 一种向缸套铬层内部挤入碳化硅的方法 3 200410012271.5 一种制备碳化硅纳米纤维的方法 4 200410020538.5 黑色碳化硅冶炼降低单位耗料的工艺 5 200410026085.7 一种碳化硅发热元件冷端部的制造方法 6 200410026086.1 酚醛树脂作为结合剂的碳化硅陶瓷常温挤压成形方法 7 02822412.4 大面积碳化硅器件及其制造方法 8 03125220.6 掺加助剂热压烧结块体钛碳化硅陶瓷材料的方法 9 03138926.0

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我国成功研制出6英寸碳化硅晶片年产7万片

从2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅单晶衬底，陈小龙团队花了10多年时间，在国内率先实现了碳化硅单晶衬底自主研发和产业化。

不久前，中国科学院物理研究所研究员陈小龙研究组与北京天科合达蓝光半导体有限公司(以下简称天科合达)合作，解决了6英寸扩径技术和晶片加工技术，成功研制出了6英寸碳化硅单晶衬底。

从2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅单晶衬底，陈小龙团队花了10多年时间，在国内率先实现了碳化硅单晶衬底自主研发和产业化。

第三代半导体材料

研究人员表示，上世纪五六十年代，硅和锗构成了第一代半导体材料，主要应用于低压、低频、中功率晶体管以及光电探测器中。相比于锗半导体器件，硅材料制造的半导体器件耐高温和抗辐射性能较好。

到了上世纪60年代后期，95%以上的半导体、99%的集成电路都是用硅半导体材料制造的。直到现在，我们使用的半导体产品大多是基于硅材料的。

进入上世纪90年代后，砷化镓、磷化铟代表了第二代半导体材料，可用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件。因信息高速公路和互联网的兴起，第二代半导体材料被广泛应用于卫星通讯、移动通讯、光通信和GPS导航等领域。

与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料通常又被称为宽禁带半导体材料或高温半导体材料。其中，碳化硅和氮化镓在第三代半导体材料中是发展成熟的代表。

据了解到，碳化硅单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，临界击穿场强大，热导率高，饱和漂移速度高等诸多特点，被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。

关于氮化镓，曾有报道称，一片2英寸的氮化镓晶片，可以生产出1万盏亮度为节能灯10倍、发光效率为节能灯3～4倍、寿命为节能灯10倍的高亮度LED照明灯;也可以制造出5000个平均售价在100美元左右的蓝光激光器;还可以被应用在电力电子器件上，使系统能耗降低30%以上。

由于碳化硅和氮化镓的晶格失配小，碳化硅单晶是氮化镓基LED、肖特基二极管、金氧半场效晶体管等器件的理想衬底材料。物理所先进材料与结构分析实验室陈小龙研究组(功能晶体研究与应用中心)长期从事碳化硅单晶生长研究工作。

大尺寸晶片的突围

虽然用于氮化镓生长最理想的衬底是氮化镓单晶材料，该材料不仅可以大大提高外延膜的晶体质量，降低位错密度，还能提高器件工作寿命、工作电流密度和发光效率。但是，制备氮化镓体单晶材料非常困难，到目前为止尚未有行之有效的办法。

为此，科研人员在其他衬底(如碳化硅)上生长氮化镓厚膜，然后通过剥离技术实现衬底和氮化镓厚膜的分离，分离后的氮化镓厚膜可作为外延用的衬底。尽管以氮化镓厚膜为衬底的外延，相比在碳化硅材料上外延的氮化镓薄膜，位元错密度要明显低，但价格昂贵。

于是，陈小龙团队选择了碳化硅单晶衬底研究。他指出，碳化硅单晶衬底有许多突出的优点，如化学稳定性好、导电性能好、导热性能好、不吸收可见光等，但也有不足，如价格太高。

碳化硅又称金钢砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料在电阻炉内经高温冶炼而成。碳化硅单晶系第三代高温宽带隙半导体材料。

早年，全球市场上碳化硅晶片价格十分昂贵，一片2英寸碳化硅晶片的国际市场价格曾高达500美元(2006年)，但仍供不应求。高昂的原材料成本占碳化硅半导体器件价格的10%以上，“碳化硅晶片价格已成为第三代半导体产业发展的瓶颈。”陈小龙说。

为了降低器件成本，下游产业对碳化硅单晶衬底提出了大尺寸的要求。因而，采用先进的碳化硅晶体生长技术，实现规模化生产，降低碳化硅晶片生产成本，将促进第三代半导体产业的迅猛发展，拓展市场需求。

天科合达成立于2006年，依托于陈小龙研究团队中在碳化硅领域的研究成果。自成立以来，天科合达研发出碳化硅晶体生长炉和碳化硅晶体生长、加工技术及专业设备，建立了完整的碳化硅晶片生产线。

这些年来，天科合达致力于提高碳化硅晶体的质量，以及大尺寸碳化硅晶体的研发，将先进的碳化硅晶体生长和加工技术产业化，大规模生产和销售具有自主知识产权的碳化硅晶片。

10年自主创新之路

美国科锐公司作为碳化硅衬底提供商，曾长期垄断国际市场。2011年，科锐公司发布了6英寸碳化硅晶体，同年，天科合达才开始量产4英寸碳化硅晶体。

2013年，陈小龙团队开始进行6英寸碳化硅晶体的研发工作，用了近一年的时间，团队研发的国产6英寸碳化硅单晶衬底问世。测试证明，国产6英寸碳化硅晶体的结晶质量很好，该成果标志着物理所碳化硅单晶生长研发工作已达到国际先进水平，可以为高性能碳化硅基电子器件的国产化提供材料基础。

“虽然起步有点晚，但通过10多年的自主研发，我们与国外的技术差距在逐步缩小。”陈小龙说。作为国内碳化硅晶片生产制造的先行者，天科合达打破了国外垄断，填补了国内空白，生产的碳化硅晶片不仅技术成熟，还低于国际同类产品价格。

截至2014年3月，天科合达形成了一条年产7万片碳化硅晶片的生产线，促进了我国第三代半导体产业的持续稳定发展，取得了较好的经济效益和社会效益。

陈小龙指出，当前碳化硅主要应用于三大领域：高亮度LED、电力电子以及先进雷达，以后还可能走进家用市场，这意味着陈小龙团队的自主创新和产业化之路还将延续。

半导体硅晶片的前沿

天富热电控股子公司北京天科合达蓝光半导体有限公司一直致力于碳化硅晶片的研发工作，经过长期努力，该项目研究取得了较大的突破。 目前，天科合达共安装碳化硅晶体生长炉33台，晶片加工设备一批，初步具备了批量生产2英寸6H/4H导电型碳化硅晶片的能力，目前正在积极开拓市场，向全球研发机构提供较高性价比的产品，以此打开销售局面。截止目前，天科合达碳化硅晶片产品还未有大批量的商业订单销售。此外，天科合达已开发出非掺杂半绝缘碳化硅晶体生长技术，目前正致力于此类产品生长技术的优化工作。我们给予"继续持有"评级。 2009-临003新疆天富热电股份有限公司碳化硅晶片项目进展公告公司控股子公司北京天科合达蓝光半导体有限公司一直致力于碳化硅晶片的研发工作，经过长期努力，该项目研究取得了较大的突破。 目前，天科合达共安装碳化硅晶体生长炉33台(其中北京研发中心9台，新疆生产基地24台)，晶片加工设备一批，初步具备了批量生产2英寸6H/4H导电型碳化硅晶片的能力，目前正在积极开拓市场，向全球研发机构提供较高性价比的产品，以此打开销售局面。截止目前，天科合达碳化硅晶片产品还未有大批量的商业订单销售。此外，天科合达已开发出非掺杂半绝缘碳化硅晶体生长技术，目前正致力于此类产品生长技术的优化工作 行业前景分析: 参考资料:

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