本项目主要针对我国同步辐射用高分辨率以及高热负载晶体器件的性能要求，展开所需晶体光学元件的物性研究与制备工艺探索。在硬X射线能区，晶体是实现同步光单色化的重要光学元件，高晶面指数大切偏角非对称切割硅单晶具有分辨本领高、抗辐照能力强以及易于加工等诸多优点，可以作为单色装置应用于同步辐射光束线上。通过研究高指数晶体在非对称切割模式下的物理性质，包括不同能点的衍射效率、摇摆曲线半高宽等物理参数，对将来的同步辐射应用提供技术支撑。对所需晶体进行了超精密加工工艺探索，研究了单晶硅以及石英等晶体的完整加工工艺包括金刚石线切割，双轴精密研磨，化学机械抛光以及厚度减薄等，获得了不同晶体的超精密加工工艺流程并申请了相关专利。 系统性的比较了高低指数晶面的差异以及工艺对元件性能的影响。分别制备了从（111），（220），（311）（400），（422），到（511），（620）、（531）、（975）、（1222）不同晶向样品。发现了工艺条件对不同指数晶面的差异化影响。相同工艺对不同指数晶面表面粗糙度的影响较小，但是对损伤层的影响较大，加工会导致晶体内部应力应变发生改变。相同研磨工艺条件下高指数晶面的表面和亚表面损伤更小。从宏观上而言，其原因在于高指数晶面具有更大的表面张力，更高的硬度以及弹性模量。微观上来说是由于高指数晶面的近邻原子数以及表面自由能的不同造成同一块硅单晶的不同晶面之间出现较大性能差异。着重研究了非对称切割硅单晶的物理特性，分别制备了切偏角从0°到12°的一系列非对称晶体样品，对其X射线衍射特性做了详细研究。通过分子动力学从理论上计算了切偏角对X射线衍射特性的影响。非对称角越大，衍射曲线半峰宽越小，衍射强度越低。非对称角的大小直接影响晶体衍射曲线的拟合结果。通过理论计算和实验对比给出了相应结果为，晶体实际表面与晶格表面之间的角度差如果大于0.5°将会导致5%以上的数据误差。搭建了小型的非对称晶体成像测试平台，可以搭载两块不同晶面指数的晶体，每一块晶体元件均可在多维度上进行位置和角度的调节，以此实现不同入射角衍射组合实现高分辨单色应用，成功进行了初步实验，为后续应用打下了坚实基础。

针对我国同步辐射用高分辨率以及高热负载晶体器件的性能要求，展开所需晶体光学元件的物性研究与制备工艺探索。在能量大于8KeV的硬X射线能区，晶体是实现同步光单色化的重要光学元件，高晶面指数大切偏角非对称切割硅单晶具有分辨本领高、抗辐照能力强以及易于加工等诸多优点，可以应用于同步辐射光束线上的单色装置，同时由于具有放大和缩小功能也被应用于光学谱仪和KB镜等成像系统。通过研究高晶面指数晶体在大切偏角这种非对称切割模式下的物理性质，包括不同能点的衍射效率、摇摆曲线半高宽等物理参数，确定高能端硬X射线所匹配的晶格指数，晶体衍射效率与晶格切偏角度的最佳对应关系。对所需晶体进行超精密加工工艺探索，试制的晶体将在同步辐射束线上进行检测，为我国的同步辐射用硅晶体光学器件打下技术基础，并希望最终能为我国的同步辐射光源和束线提供所需国产光学元件。

同步辐射加速器主要用于产生第二代同步辐射光源，利用电子在圆形轨道中的运动，发出单色光。

我国的同步辐射加速器建立在中国科学技术大学校内。 国家同步辐射实验室坐落在安徽合肥中国科技大学西校园中，这是国家计委批准建设的我国第一个国家级实验室。实验室拥有的同步辐射光源是国内高校中唯一一台大科学装置和国家级实验研究平台。

国家同步辐射实验室建有我国第一台以真空紫外和软X射线cvnbd为主的专用同步辐射光源。其主体设备是一台能量为800MeV、平均流强为100~300mA的电子储存环，用一台能量200MeV的电子直线加速器作注入器。来自储存环弯铁和扭摆磁铁的同步辐射特征波长分别为2.4nm和0.5nm。

国家同步辐射实验室一期工程1984年11月20日破土动工，1989年建成出光，1991年12月通过国家验收，总投资8,040万元人民币。1999年国家又投资11,800万元人民币进行国家同步辐射实验室二期工程建设，2004年12月二期工程通过国家验收。

国家同步辐射实验室现建有X射线光刻、红外与远红外、高空间分辨X射线成像、X射线衍射与散射、扩展X光吸收精细结构、燃烧、X射线显微术、原子与分子物理、真空紫外分析、表面物理、软X射线磁性圆二色、光电子能谱、真空紫外光谱、光声与真空紫外圆二色光谱、光谱辐射标准与计量等15条光束线和相应的实验站。国家同步辐射实验室是向国内外用户开放的国家级共用实验室，现有注册用户150余家。