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[通态]阈值电压出处

[通态]阈值电压出处

《电气工程名词》。 2100433B

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[通态]阈值电压造价信息

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压出线

  • GGD
  • 大顺
  • 13%
  • 重庆大顺电力设备有限公司
  • 2022-12-08
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压出线柜

  • 800×1500×2300
  • 13%
  • 佛山市华南开关有限公司
  • 2022-12-08
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电压端子

  • 品种:铜接线端子;导线截面面积(mm2):无;规格(mm):凤凰端子;
  • 固力发
  • 13%
  • 昆明求是电力设备有限公司
  • 2022-12-08
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口收费设备

  • 产品说明:内含台式读写器ZK-RWID/P;
  • 中矿智能
  • 13%
  • 重庆中矿电子信息技术有限公司
  • 2022-12-08
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栏杆

  • Ф51不锈钢扶手
  • m
  • 13%
  • 佛山市禅城区博展兴五金制品经营部
  • 2022-12-08
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  • 机械用
  • kW·h
  • 阳江市2022年10月信息价
  • 建筑工程
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  • 机械用
  • kW·h
  • 潮州市饶平县2022年10月信息价
  • 建筑工程
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  • 机械用
  • kW·h
  • 阳江市2022年9月信息价
  • 建筑工程
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  • 机械用
  • kW.h
  • 阳江市阳西县2022年9月信息价
  • 建筑工程
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  • 机械用
  • kW.h
  • 阳江市海陵岛区2022年9月信息价
  • 建筑工程
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竹木

  • Lx137x30厚瓷竹木
  • 10.81m³
  • 3
  • 中档
  • 含税费 | 含运费
  • 2022-09-22
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檐线(突出处)

  • 2064×640×600
  • 4根
  • 3
  • 中档
  • 含税费 | 含运费
  • 2021-06-23
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牌匾墩(突出处)

  • 如图
  • 2个
  • 3
  • 中档
  • 含税费 | 含运费
  • 2021-06-23
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檐线(突出处)

  • 如图
  • 9根
  • 3
  • 中档
  • 含税费 | 含运费
  • 2021-06-23
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檐线(突出处)

  • 如图
  • 4根
  • 3
  • 中档
  • 含税费 | 含运费
  • 2021-06-23
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[通态]阈值电压公布时间

1998年经全国科学技术名词审定委员会审定发布。

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[通态]阈值电压出处常见问题

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[通态]阈值电压出处文献

基于双电源电压和双阈值电压的全局互连性能优化 基于双电源电压和双阈值电压的全局互连性能优化

基于双电源电压和双阈值电压的全局互连性能优化

格式:pdf

大小:195KB

页数: 8页

基于双电源电压和双阈值电压技术,提出了一种优化全局互连性能的新方法.文中首先定义了一个包含互连延时、带宽和功耗等因素的品质因子用以描述全局互连特性,然后在给定延时牺牲的前提下,通过最大化品质因子求得优化的双电压数值用以节省功耗.仿真结果显示,在65nm工艺下,针对5%,10%和20%的允许牺牲延时,所提方法相较于单电压方法可分别获得27.8%,40.3%和56.9%的功耗节省.同时发现,随着工艺进步,功耗节省更加明显.该方法可用于高性能全局互连的优化和设计.

低阈值电压RF MEMS开关的力学模型 低阈值电压RF MEMS开关的力学模型

低阈值电压RF MEMS开关的力学模型

格式:pdf

大小:195KB

页数: 5页

采用大激励极板的螺旋型膜开关在保持优异的高频特性的同时 ,可以获得较低的阈值电压。但是对这种结构的设计缺乏足够理论分析。文中将在 Ansys软件数值求解的基础上 ,研究缺口尺寸和开关阈值电压的关系 ,其结果对设计低驱动开关有一定指导意义

阈值电压概述

如MOS管,当器件由耗尽向反型转变时,要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态,器件的栅电压定义为阈值电压,它是MOSFET的重要参数之一 。MOS管的阈值电压等于背栅(backgate)和源极(source)接在一起时形成沟道(channel)需要的栅极(gate)对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压,就没有沟道(channel)。

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通态峰值电压简介

符号:VTM

英文单词参数: Peak on-state voltage drop

含义:

指器件通过规定正向峰值电流IFM(整流管)或通态峰值电流ITM(晶闸管)时的峰值电压也称峰值压降该参数直接反映了器件的通态损耗特性影响着器件的通态电流额定能力。

2100433B

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阈值电压影响因素

一个特定的晶体管的阈值电压和很多因素有关,包括backgate的掺杂,电介质的厚度,栅极材质和电介质中的过剩电荷。

阈值电压背栅的掺杂

背栅(backgate)的掺杂是决定阈值电压的主要因素。如果背栅掺杂越重,它就越难反转。要反转就要更强的电场,阈值电压就上升了。MOS管的背栅掺杂能通过在介电层表面下的稍微的implant来调整。这种implant被叫做阈值调整implant(或Vt调整implant)。考虑一下Vt调整implant对NMOS管的影响。如果implant是由受主组成的,那么硅表面就更难反转,阈值电压也升高了。如果implant是由施主组成的,那么硅表面更容易反转,阈值电压下降。如果注入的donors够多,硅表面实际上就反向掺杂了。这样,在零偏置下就有了一薄层N型硅来形成永久的沟道(channel)。随着栅极偏置电压的上升,沟道变得越来越强的反转。随着栅极偏置电压的下降,沟道变的越来越弱,最后消失了。这种NMOS管的阈值电压实际上是负的。这样的晶体管称为耗尽模式NMOS,或简单的叫做耗尽型NMOS。相反,一个有正阈值电压的的NMOS叫做增强模式NMOS,或增强型NMOS。绝大多数商业化生产的MOS管是增强型器件,但也有一些应用场合需要耗尽型器件。耗尽型PMOS也能被生产出来。这样的器件的阈值电压是正的。耗尽型的器件应该尽量的被明确的标识出来。不能靠阈值电压的正负符号来判断,因为通常许多工程师忽略阈值电压的极性。因此,应该说“阈值电压为0.7V的耗尽型PMOS”而不是阈值电压为0.7V的PMOS。很多工程师会把后者解释为阈值电压为-0.7V的增强型PMOS而不是阈值电压为 0.7V的耗尽型PMOS。明白无误的指出是耗尽型器件可以省掉很多误会的可能性。

阈值电压电介质

电介质在决定阈值电压方面也起了重要作用。厚电介质由于比较厚而削弱了电场。所以厚电介质使阈值电压上升,而薄电介质使阈值电压下降。理论上,电介质成分也会影响电场强度。而实际上,几乎所有的MOS管都用纯二氧化硅作为gate dielectric。这种物质可以以极纯的纯度和均匀性生长成非常薄的薄膜;其他物质跟它都不能相提并论。因此其他电介质物质只有很少的应用。(也有用高介电常数的物质比如氮化硅作为gate dielectric的器件。有些作者把所有的MOS类晶体管,包括非氧化物电介质,称为insulated-gate field effect transistor(IGFET))

阈值电压栅极的物质成分

栅极(gate)的物质成分对阈值电压也有所影响。如上所述,当GATE和BACKGATE短接时,电场就施加在gate oxide上。这主要是因为GATE和BACKGATE物质之间的work function差值造成的。大多数实际应用的晶体管都用重掺杂的多晶硅作为gate极。改变多晶硅的掺杂程度就能控制它的work function。

阈值电压介电层与栅极界面上过剩的电荷

GATE OXIDE或氧化物和硅表面之间界面上过剩的电荷也可能影响阈值电压。这些电荷中可能有离子化的杂质原子,捕获的载流子,或结构缺陷。电介质或它表面捕获的电荷会影响电场并进一步影响阈值电压。如果被捕获的电子随着时间,温度或偏置电压而变化,那么阈值电压也会跟着变化。2100433B

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