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VLSI设计基础开课信息

VLSI设计基础开课信息

开课次数 开课时间 学时安排 授课教师 参与人数 第1次开课 2017年04月28日~2017年06月30日 1.5小时每周 单伟伟、杨军、刘新宁、黄见秋 938 第2次开课 2017年09月15日~2018年01月21日 2小时每周 1128 第3次开课 2018年03月30日~2018年06月20日 待定 单伟伟 1505 第4次开课 2018年09月12日~2018年12月29日 1.5~2小时每周 单伟伟、杨军、刘新宁、黄见秋 1294 第5次开课 2019年03月15日~2019年07月31日 1.5~2.5小时每周 1675 第6次开课 2019年10月13日~2020年01月22日 1.5~3小时每周 1795 第7次开课 2020年02月24日~2021年03月03日 4016 （表格内容参考资料）

VLSI设计基础造价信息

市场价
信息价
询价

基础梁

规格型号：
品种:基础梁;规格型号:C30商砼;类别:土建工程;
价格行情：
材料单位：
m3
材料品牌：
炬龙钢结构
材料税率：
13%
供应商：
四川炬龙钢结构建筑工程有限公司
报价时间：
2022-12-07

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铁塔基础

规格型号：
M48×1680
价格行情：
材料单位：
个
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
广州铧茂钢构材料制造有限公司
报价时间：
2022-12-07

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桩基础砼

规格型号：
C10
价格行情：
材料单位：
m³
材料品牌：
盛达
材料税率：
13%
供应商：
广西盛达混凝土有限公司
报价时间：
2022-12-07

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桩基础砼

规格型号：
C30
价格行情：
材料单位：
m³
材料品牌：
盛达
材料税率：
13%
供应商：
广西盛达混凝土有限公司
报价时间：
2022-12-07

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桩基础砼

规格型号：
C40
价格行情：
材料单位：
m³
材料品牌：
盛达
材料税率：
13%
供应商：
广西盛达混凝土有限公司
报价时间：
2022-12-07

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桩基础(约)

规格型号：
价格行情：
材料单位：
m²
材料税率：
地区时间：
江门市台山市2006年1季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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桩基础(约)

规格型号：
价格行情：
材料单位：
m²
材料税率：
地区时间：
江门市台山市2006年3季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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信息插

规格型号：
单联八芯
价格行情：
材料单位：
个
材料税率：
地区时间：
江门市台山市2007年3季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

信息插

规格型号：
双联八芯
价格行情：
材料单位：
个
材料税率：
地区时间：
江门市台山市2007年3季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

信息插

规格型号：
单联八芯
价格行情：
材料单位：
个
材料税率：
地区时间：
江门市台山市2006年3季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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基础信息模块

规格型号：
1.名称:基础信息模块2.技术参数:当事人选择本功能模块后,
需求量：
2套
报价数：
2
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2021-04-15

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监所基础信息模块

规格型号：
显示看守所在押人员详细信息、民警信息、监所关押动态信息(关押数量、三大刑数量、风险人员数量、重病患数量、临时出所人员数量、入所人员数量、出所人员数量、家属会见数量、提讯会见数量、短期医嘱数量、长期医嘱数量、代购订单数量、访客送物数量等)
需求量：
5人月
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
高档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2020-06-19

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园区云及大数据支撑平台-园区基础信息库

规格型号：
使用大数据技术建设园区基础信息库
需求量：
1套
报价数：
3
材料品牌：
珠海港信息技术股份有限公司、湛江市华讯通信技术发展有限公司、
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2017-09-27

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园区云及大数据支撑平台-园区基础信息库

规格型号：
使用大数据技术建设园区基础信息库
需求量：
1套
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2017-07-27

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直饮水点,包含制作、安装、基础、过滤系统、深化设计等

规格型号：
直饮水点,包含制作、安装、基础、过滤系统、深化设计等
需求量：
2个
报价数：
3
材料品牌：
材料档次：
高档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2022-06-15

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VLSI设计基础适应专业

VLSI设计基础课程适合电子和计算机相关专业的本科生和研究生，也适合工作后需要重温专业基础知识的工程师。

VLSI设计基础课程性质

VLSI设计基础课程背景 集成电路（IntegratedCircuit）在人们的数字化生活中无处不在，是大部分电子产品运行的核心，而其中大部分是超大规模集成电路（VLSI）。遵循着“摩尔定律”，其集成度、功能和性能的大幅度提升，创造了空前的奇迹。在此背景下，东南大学开设了VLSI设计基础课程，带领学习者进入到超大规模集成电路的设计领域，了解其背后的原理。 VLSI设计基础课程定位 VLSI设计基础课程课是微电子专业的主干课程，专注于超大规模集成电路的设计技术。

VLSI设计基础开课信息常见问题

机械设计基础？
照明设计基础知识有哪些？

在现代家居生活中，灯饰的作用不仅仅只限于照明，灯饰更是一件艺术品，一件装饰品，随着人们生活品味的提高，对灯饰的要求也在逐步提高，但是小编提醒消费者在选择灯饰时一定要“因地制宜灯饰在艺术处理上，应根据整...
为单管塔设计基础

根据地基承载力确定基础尺寸、埋深，根据承台内力确定承台高度，并进行配筋。并进行抗冲切和抗倾覆验算。注意最小配筋率等构造。

VLSI设计基础课程简介

VLSI设计基础课程教学内容为超大规模集成电路设计的基础理论与基本方法，从CMOS集成电路的主流技术介绍入手引入VLSI设计主要技术基础：CMOS器件基础，组合逻辑电路，时序逻辑电路，存储器设计和。主要内容如下：第一章：VLSI设计概述，了解VLSI系统设计的方法与技术。第二章：MOS晶体管原理：掌握MOS器件的基本结构、模型与特性，了解集成电路制造工艺过程。第三章：反相器和组合逻辑电路，掌握CMOS反相器和组合逻辑电路分析与设计方法。第四章：时序逻辑电路和同步设计技术；第五章：设计与工艺接口，了解设计与工艺的关系及接口。第六章：单元库设计技术，掌握标准单元和IO的设计，建立系统模块化设计的思想；认识集成电路的基本版图。第七章：存储器设计。第八章：低功耗专题。

VLSI设计基础课程大纲

第一章概论 知识点1-课程介绍 知识点2-微电子发展史和摩尔定律 补充：从沙子到CPU-芯片是如何制造的 知识点3-系统与系统集成 知识点4：VLSI设计方法 调研你手机的应用处理器信息 第一章测试 第二章 MOS晶体管原理 知识点1-mos晶体管结构 知识点2-MOS晶体管的工作原理 知识点3-MOS晶体管的I-V方程 知识点4-MOS管的转移特性和PMOS管的I-V特性、耗尽型MOS管及MOS器件的频率特征 知识点5-CMOS结构及其优势 知识点6-短沟器件的工作原理和I-V方程 知识点7-MOS晶体管的二级效应 漫谈摩尔定律 第二章测试 第三章反相器和组合逻辑电路 知识点1-CMOS反相器设计 知识点2-CMOS反相器的动态指标 知识点3-CMOS逻辑门构造-与非门及复杂门 知识点4-等效反相器设计方法 知识点5-例子-复杂门等效反相器设计 知识点6-等效反相器练习及其修正 知识点7-异或门和同或门电路 知识点8-传输门 知识点9-三态门 第三章测试 第四章 -时序逻辑电路 知识点15-时序逻辑作用及状态机举例 知识点16-双稳态结构和D触发器 知识点17：触发器时序参数 知识点18：时序逻辑的性能优化 知识点19：时序逻辑的功耗优化 知识点20：偏差和抖动对电路的影响 畅所欲言-你所理解的时序（timing） 第四章测试 第四章时序逻辑作业 第五章设计与工艺接口 知识点1-问题的提出及选择工艺线的原则 知识点2-NMOS管导通条件的再思考 知识点3-电学设计规则的形式及应用举例-三输入与门的SPICE仿真 知识点4-几何设计规则 知识点0-工艺基础 第六章单元库设计技术 知识点1：单元库概念和真实单元库示例 知识点2：标准单元设计技术 知识点3：用标准单元实现集成电路的过程 知识点4：输入输出单元的功能 知识点5：输入单元的版图设计 知识点6：倒向输出I/O PAD设计 知识点7：其他输出I/O PAD 知识点8：积木块设计技术和单元库小结 第六章测试 第七章存储器 知识点1-Memory的重要性及其分类 知识点2-SRAM结构 知识点3-SRAM的bitcell设计 知识点4-SRAM的decoder及SA设计、 第七章测试 第八章数据通路设计-乘法器、加法器和移位器 知识点1-加法器设计 知识点2- 乘法器设计 知识点3-移位器设计 第八章测试 第七章-低功耗专题 知识点1-低功耗专题（上） 知识点2-低功耗专题（下） （注：课程大纲排版从左到右列）

VLSI设计基础授课目标

通过学习VLSI设计基础课程，了解VLSI系统设计的方法与技术；掌握MOS器件的基本结构、模型与特性，掌握基本的组合逻辑电路和时序逻辑电路的原理；了解半导体工艺基本过程；认识集成电路的基本版图；掌握集主要的成电路设计技术，建立系统集成和系统模块化设计的思想。具备开展集成电路设计的基础知识和基本方法。

VLSI设计基础课前预备

VLSI设计基础预备知识 学习VLSI设计基础课程，学习者需要具备一定的半导体原理和器件知识，必须具备一定的电路知识基础。 VLSI设计基础学习资料 书名 中译本 作者 译者 出版社 《Digital Integrated Circuits, A Design Perspective》 《数字集成电路-电路、系统与设计》 Jan.M.Rabaey, Anantha Chandrakasan 周润德 电子工业出版社 《VLSI设计基础（第三版）》 - 李伟华 - （注：表格内容参考资料）

VLSI设计基础所获荣誉

2019年1月8日，该课程被中华人民共和国教育部认定为“2018年国家精品在线开放课程”。

VLSI设计基础授课教师

单伟伟，副教授、博士生导师。2009年1月毕业于清华大学微电子学研究所，获工学博士学位。 黄见秋，东南大学副教授。2004年于东南大学获学士学位，2011年在东南大学获博士学位并留校任教。 刘新宁，东南大学讲师，主要从数字低功耗电路研究，有5年以上VLSI课程教学经验。 杨军，东南大学教授，博士生导师。

VLSI设计基础开课信息文献

全流水FFT处理器的VLSI设计与实现

全流水FFT处理器的VLSI设计与实现

全流水FFT处理器的VLSI设计与实现

格式：pdf

大小：531KB

页数： 4页

提出了一种适用于OFDM系统的快速全流水FFT处理器结构.考虑时域抽取(DIT)和频域抽取(DIF)算法的有限字长效应,采用DIF算法.首先对FFT碟形变换的复乘法进行简化,然后提出相应的流水线碟形处理单元(BPE),最后采用0.13μm1.08 V CMOS工艺实现了64点基2 DIF FFT处理器.综合结果显示,该处理器能够工作在200 MHz,面积和功耗分别为2.9 mm2和15 mW.提出的全流水FFT处理器能够广泛应用于WALN、DVB-T、ADSL以及其它基于OFDM的多载波系统.

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一种新型VLSI电路外部电光探测器

一种新型VLSI电路外部电光探测器

一种新型VLSI电路外部电光探测器

格式：pdf

大小：531KB

页数：未知

采用极化聚合物电光材料,设计制作出一种结构新颖的亚微米VLSI电路正面入射式外部电光探测器。通过在探测器中引入参考电极,实现了电压的标定测量;利用1μm线宽指状电极的电场分布,验证了触立式极化聚合物电光探测器对电场具有较高的空间分辨率。实验证明,该新型外部电光探测器的空间分辨率可达0.5μm,完全满足亚微米电路无损探测的要求。

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VLSI设计基础内容介绍

本教材为“普通十一五国家级规划教材”，全书共有10章。第1~3章重点介绍了VLSI设计的大基础，包括三个主要部分：信息接收、传输、处理体系结构及与相关硬件的关系。第4~6章介绍了数字VLSI设计的技术与方法。第7章介绍了数字系统的测试问题和可测试性设计技术。第8章介绍了VLSI中的模拟单元和变换电路的设计技术。第9章介绍了微机电系统（MEMS)及其在系统集成中的关键技术。第10章主要介绍了设计系统、HDL，对可制造性设计（DFM)的一些特殊问题进行了讨论。

VLSI设计基础图书目录

第1章 VLSI设计概述 1.1 系统及系统集成 1.1.1 信息链 1.1.2 模块与硬件 1.1.3 系统集成 1.2 VLSI设计方法与管理 1.2.1 设计层次与设计方法 1.2.2 复杂性管理 1.2.3 版图设计理念 1.3 VLSI设计技术基础与主流制造技术 1.4 新技术对VLSI的贡献 1.5 设计问题与设计工具 1.6 一些术语与概念 1.7 本书主要内容与学习方法指导 练习与思考一 第2章 MOS器件与工艺基础 2.1 MOS晶体管基础 2.1.1 MOS晶体管结构及基本工作原理 2.1.2 MOS晶体管的阈值电压VT 2.1.3 MOS晶体管的电流—电压方程 2.1.4 MOS器件的平方律转移特性 2.1.5 MOS晶体管的跨导gm 2.1.6 MOS器件的直流导通电阻 2.1.7 MOS器件的交流电阻 2.1.8 MOS器件的最高工作频率 2.1.9 MOS器件的衬底偏置效应 2.1.10 CMOS结构 2.2 CMOS逻辑部件 2.2.1 CMOS倒相器设计 2.2.2 CMOS与非门和或非门的结构及其等效倒相器设计方法 2.2.3 其他CMOS逻辑门 2.2.4 D触发器 2.2.5 内部信号的分布式驱动结构 2.3 MOS集成电路工艺基础 2.3.1 基本的集成电路加工工艺 2.3.2 CMOS工艺简化流程 2.3.3 Bi-CMOS工艺技术 2.4 版图设计 2.4.1 简单MOSFET版图 2.4.2 大尺寸MOSFET的版图设计 2.4.3 失配与匹配设计 2.5 发展的MOS器件技术 2.5.1 物理效应对器件特性的影响 2.5.2 材料技术 2.5.3 器件结构 练习与思考二 第3章设计与工艺接口 3.1 设计与工艺接口问题 3.1.1 基本问题——工艺线选择 3.1.2 设计的困惑 3.1.3 设计与工艺接口 3.2 工艺抽象 3.2.1 工艺对设计的制约 3.2.2 工艺抽象 3.3 电学设计规则 3.3.1 电学规则的一般描述 3.3.2 器件模型参数 3.3.3 模型参数的离散及仿真方法 3.4 几何设计规则 3.4.1 几何设计规则描述 3.4.2 一个版图设计的例子 3.5 工艺检查与监控 3.5.1 PCM（Process Control Monitor） 3.5.2 测试图形及参数测量 本章结束语 练习与思考三 第4章晶体管规则阵列设计技术 4.1 晶体管阵列及其逻辑设计应用 4.1.1 全NMOS结构ROM 4.1.2 ROM版图 4.2 MOS晶体管开关逻辑 4.3 PLA及其拓展结构 4.3.1 “与非—与非”阵列结构 4.3.2 “或非—或非”阵列结构 4.3.3 多级门阵列(MGA) 4.4 门阵列 4.4.1 门阵列单元 4.4.2 整体结构设计准则 4.4.3 门阵列在VLSI设计中的应用形式 4.5 晶体管规则阵列设计技术应用示例 练习与思考四 第5章单元库设计技术 第6章微处理器 第7章测试技术和可测试性设计 第8章模拟单元与变换电路 第9章微机电系统（MEMS） 第10章设计系统与设计技术 结束语 参考文献

非曼哈顿结构下VLSI多层总体布线算法研究结题摘要

总体布线是VLSI物理设计中极为重要的一个环节。非曼哈顿结构的提出为物理设计带来诸多性能的提高，但该结构的引入和多层工艺的普及，使得总体布线问题更为复杂，且目前研究工作只就某些局部目标展开，缺乏一种该结构下有效完整的总体布线方案。正是在这样的背景下，本项目对非曼哈顿结构VLSI总体布线相关问题展开一些研究工作，选取X结构作为非曼哈顿结构的代表，完成的主要工作如下：（1）基于多目标PSO和Elmore时延模型提出了一种构建时延驱动X结构Steiner树的有效算法，从而有助于性能驱动X结构总体布线问题的研究。（2）绕障Steiner最小树的构建是VLSI物理设计中一个极为重要问题，为此，提出一种基于粒子群优化的有效算法用于求解X结构下的绕障Steiner最小树问题。考虑到粒子群优化算法存在收敛速度慢的不足，进一步设计一种四步骤的高效启发式算法用于求解该问题。（3）针对ML-OAXSMT问题，以最小化布线总代价为目标，并同时考虑到通孔数的优化，提出了一种基于PSO算法和惩罚机制的ML-OAXSMT构建算法。为了进一步提高求解多ML-OAXSMT问题的算法质量，基于查找表的思想，提出了一种高效的绕障策略，可以准确获得多层环境下的Steiner点位置，从而构建一棵高质量的ML-OAXSMT。(4) 针对X结构下的总体布线问题，提出一种基于ILP模型、划分策略及PSO等技术的高质量X结构总体布线算法。本项目进一步扩宽研究思路，针对曼哈顿结构下绕障Steiner树构建问题并且将PSO扩展应用于VLSI电路划分阶段，主要完成以下工作：（1）研究了电压转换速率的计算模型和RSMT-RERR问题中的电压转换速率约束，基于SPCF算法框架提出考虑电压转换速率约束的直角Steiner树构造算法。（2）研究了ML-OARSMT问题的特征，提出了该问题布线图的构造方法。考虑避开障碍和连通相邻层，选择了三种类型候选通孔位置。（3）电路划分作为VLSI物理设计中的首个关键环节，通过附加考虑时延因素，构造了电路划分的多目标问题模型，引入局部搜索策略以及基于小生境技术的表现型共享粒子评价机制，设计了一个求解多目标电路划分问题的混合DPSO。 2100433B

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