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吸收电容

吸收电容在电路中起的作用类似于低通滤波器,可以吸收掉尖峰电压。通常用在有绝缘栅双极型晶体管(IGBT),消除由于母排的杂散电感引起的尖峰电压,避免绝缘栅双极型晶体管的损坏。

吸收电容基本信息

吸收电容技术参数

电容量: 0.0047 to 6.8μF

额定电压: 700 to 3000 Vdc

损耗角正切:

测试条件 1000±20 Hz , 25±5℃.

Cr≤1.0μF, 4×10-4; Cr>1.0μF, 6×10-4

绝缘,以及无感泄放电阻;第四,其它有效措施。目前,缓冲电路的制作工艺也有多种方式:有用分立件连接的;有通过印制版连接的;更有用缓冲电容模块直接安装在IGBT 模块上的。显然,最后一种方式因符合上述第二、第三种降感措施,因而缓冲效果最好,能最大限度地保护IGBT 安全运行。

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吸收电容造价信息

  • 市场价
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智能电容

  • MJDTL-30GB/14
  • 13%
  • 重庆宇轩机电设备有限公司
  • 2022-12-08
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补偿器电容

  • YC-4,荧光灯用,配套支架及灯盘/4uf补
  • 13%
  • 杭州市江干区吉易照明电器经营部
  • 2022-12-08
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补偿器电容

  • YC-12,荧光灯用,配套支架及灯盘/12uf
  • 13%
  • 杭州市江干区吉易照明电器经营部
  • 2022-12-08
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自愈式低压并联电容

  • BSMJK0.4-15-3
  • 天正
  • 13%
  • 广西玉林市易建商贸有限公司(玉林市厂商期刊)
  • 2022-12-08
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4uf补偿器电容

  • YC-4,荧光灯用,配套支架及灯盘
  • 华艺
  • 13%
  • 中山市华艺灯饰照明股份有限公司福建经销商
  • 2022-12-08
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荧光灯电容

  • 4.75mFb
  • 十个
  • 韶关市2010年2月信息价
  • 建筑工程
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荧光灯电容

  • 3.7mFb
  • 十个
  • 韶关市2009年10月信息价
  • 建筑工程
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荧光灯电容

  • 3.7mFb
  • 十个
  • 韶关市2009年6月信息价
  • 建筑工程
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荧光灯电容

  • 4.75mFb
  • 十个
  • 韶关市2009年6月信息价
  • 建筑工程
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荧光灯电容

  • 3.7mFb
  • 十个
  • 韶关市2009年4月信息价
  • 建筑工程
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电容

  • 电容50uF/440V/105℃
  • 1874台
  • 4
  • 亚牌
  • 中高档
  • 含税费 | 不含运费
  • 2015-09-04
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电容

  • 电容
  • 1台
  • 1
  • 不含税费 | 不含运费
  • 2010-06-21
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电容

  • 电容补偿柜 PO2
  • 1台
  • 3
  • 国产一线品牌
  • 高档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2017-06-01
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启动电容

  • 30VF启动电容
  • 3396只
  • 2
  • 欧司朗
  • 中高档
  • 含税费 | 不含运费
  • 2015-05-13
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补偿电容

  • 飞牌补偿电容CP 12UF
  • 5625支
  • 4
  • 飞利浦
  • 高档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2015-11-04
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吸收电容作用

母线电感以及缓冲电路及其元件内部的杂散电感,对IGBT 电路尤其是大功率IGBT 电路,有极大的影响。因此,希望它愈小愈好。要减小这些电感,需从多方面入手。第一,直流母线要尽量地短;第二,缓冲电路要尽可能地贴近模块;第三,选用 低电感的聚丙烯无极电容,与IGBT 相匹配的快速缓冲二极管, 以及无感泄放电阻;第四,其它有效措施。缓冲电路的制作工艺也有多种方式:有用分立件连接的;有通过印制版连接的;更有用缓冲电容模块直接安装在 IGBT 模块上的。显然,最后一种方式因符合上述第二、第三种降感措施,因而缓冲效果最好,能最大限度地保护IGBT 安全运行。 2100433B

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吸收电容结构特点

双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术,使电容具低感抗,多条引线设计,可承受更高纹波电流,高du/dv以及高过压能力。用于各类IGBT缓冲线路突波吸收,各类高频谐振线路。

尺寸: 适合于各种IGBT保护。

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吸收电容常见问题

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吸收电容文献

高压双面金属聚丙烯薄膜吸收电容 高压双面金属聚丙烯薄膜吸收电容

高压双面金属聚丙烯薄膜吸收电容

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大小:1.3MB

页数: 3页

高压双面金属聚丙烯薄膜吸收电容

电容参数 电容参数

电容参数

格式:pdf

大小:1.3MB

页数: 2页

一、电容的主要参数: 1、 电压 1) 额定电压:两端可以持续施加的电压,一般为直流电压,通常用 VDC。而专用于 交流电的则为交流有效值电压,通常为 VAC。 电容器的交直流额定电压换算关系 直流额定电压 VR/VDC 50 63 100 250 400 630 1000 交流额定电压 VR/VAC 30 40 63 160 200 220 250 2) 浪涌电压:电解电容特有的电压参数,是短时间可以承受的过电压,为额定电压的 1.15 倍。 3) 瞬时过电压:是铝电解电容特有电压参数,为可以瞬时承受的过电压,这个浪涌电 压约为额定电压的 1.3 倍,是铝电解电容的击穿电压。 4) 介电强度:电容额定电压低于电容中介质的击穿电压。一般为额定电压的 1.5~2.5 倍。如:铝电解电容的击穿电压约为额定电压的 1.3 倍;其它介质则通常为 1.75~2 倍以上。 5) 试验电压:薄膜电容

IGBT吸收电容产品参数

额定电压   700V.DC~3000V.DC  

额定容量   0.0047μF~10μF  

温度范围   -40°C~85°C  

容量偏差   ±5%, ±10%  

极间耐电压   2Ur(DC) 10s 25±5℃  

极壳耐电压   3000V 50Hz 60S, 25±5℃  

损耗角正切   Cr≤1.0μF tgδ≤5×10-4,Cr>1.0μF tgδ≤6×10-4  

绝缘电阻   C*IR≥30000S, at 100VDC,25±5℃,60S  

预期寿命   100000h at Ur and 70℃  

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吸收电容器概述

1、标称电容量和允许偏差

标称电容量是标志在电容器上的电容量。

电容器的基本单位是法拉(F),但是,这个单位太大,在实地标注中很少采用。

其它单位关系如下:

1F=1000mF

1mF=1000μF

1μF=1000nF

1n=1000pF

电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差,在允许的偏差范围称精度。

精度等级与允许误差对应关系:00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%)

一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级,电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级,根据用途选取。

2、额定电压

在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值,一般直接标注在电容器外壳上,如果工作电压超过电容器的耐压,电容器击穿,造成不可修复的永久损坏。

3、绝缘电阻

直流电压加在电容上,并产生漏电电流,两者之比称为绝缘电阻.

当电容较小时,主要取决于电容的表面状态,容量〉0.1uf时,主要取决于介质的性能,绝缘电阻越小越好。

电容的时间常数:为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数,他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。

4、损耗

电容在电场作用下,在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值,电容的损耗主要由介质损耗,电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。

在直流电场的作用下,电容器的损耗以漏导损耗的形式存在,一般较小,在交变电场的作用下,电容的损耗不仅与漏导有关,而且与周期性的极化建立过程有关。

5、频率特性

随着频率的上升,一般电容器的电容量呈现下降的规律。

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IGBT吸收电容产品特点

双面金属化薄膜、无感结构、低等效串联电感、可承受较高的du/dt 能承受高脉冲电,ESR小,具有自愈性等。

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