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建设工程知识

吸收电容技术参数

2018/06/19153 作者：佚名
导读： 电容量: 0.0047 to 6.8μF额定电压: 700 to 3000 Vdc损耗角正切:测试条件 1000±20 Hz ， 25±5℃.Cr≤1.0μF， 4×10-4; Cr>1.0μF， 6×10-4绝缘，以及无感泄放电阻;第四，其它有效措施。目前，缓冲电路的制作工艺也有多种方式：有用分立件连接的;有通过印制版连接的;更有用缓冲电容模块直接安装在IGBT 模块上的。显然，最后

电容量: 0.0047 to 6.8μF

额定电压: 700 to 3000 Vdc

损耗角正切:

测试条件 1000±20 Hz ， 25±5℃.

Cr≤1.0μF， 4×10-4; Cr>1.0μF， 6×10-4

绝缘，以及无感泄放电阻;第四，其它有效措施。目前，缓冲电路的制作工艺也有多种方式：有用分立件连接的;有通过印制版连接的;更有用缓冲电容模块直接安装在IGBT 模块上的。显然，最后一种方式因符合上述第二、第三种降感措施，因而缓冲效果最好，能最大限度地保护IGBT 安全运行。

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