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1.用作光谱纯试剂和电子元件的材料等
2.用于金属反射镜面的保护涂层、光电显示半导体薄膜,也用于制造铟盐、玻璃。
电阻式触摸屏中经常使用的原材料,主要用于荧光屏、玻璃、陶瓷、化学试剂等。另外,广泛应用于有色玻璃、陶瓷、碱锰电池代汞缓蚀刘、化学试剂等传统领域。近年来大量应用于光电行业等高新技术领域和军事领域,特别适用于加工为铟锡氧化物(ITO)靶材,制造透明电极和透明热反射体材料,用于生产平面液晶显示器和除雾冰器。
1.疏水参数计算参考值(XlogP):无
2.氢键供体数量:0
3.氢键受体数量:3
4.可旋转化学键数量:0
5.互变异构体数量:无
6.拓扑分子极性表面积3
7.重原子数量:5
8.表面电荷:0
9.复杂度:0
10.同位素原子数量:0
11.确定原子立构中心数量:0
12.不确定原子立构中心数量:0
13.确定化学键立构中心数量:0
14.不确定化学键立构中心数量:0
15.共价键单元数量:5
通常来说对水是无害的,若无政府许可,勿将材料排入周围环境。
记住四个字:降氧升还 化合价降低的是氧化剂,生成还原产物;化合价升高的还原剂,生成氧化产物。 CUO+CO=CU+CO2 铜从+2变成0,降低,氧化剂,生成对应的CU单质就是还原产物。
在氧化还原反应中,获得电子的物质称作氧化剂与此对应,失去电子的物质称作还原剂。狭义地说,氧化剂又可以指可以使另一物质得到氧的物质,以此类推,氟化剂是可以使物质得到氟的物质,氯化剂、溴化剂等亦然。(注:...
一个达标,一个不达标次氧化锌的成分有些是达不到国家标准的
1.将高纯金属铟在空气中燃烧或将碳酸铟煅烧生成In2O、InO、In2O3,精细控制还原条件可制得高纯In2O3。也可用喷雾燃烧工艺制得平均粒径为20nm的三氧化二铟陶瓷粉。
2.将氢氧化铟灼烧制备三氧化二铟时,温度过高的话,In2O3有热分解的可能性,若温度过低则难以完全脱水,而且生成的氧化物具有吸湿性,因此,加热温度和时间是重要的因素。另外,因为In2O3容易被还原,所以必须经常保持在氧化气氛中。
3.将氢氧化铟在空气中,于850℃灼烧至恒重,生成In2O3,再在空气中于1000℃加热30min。其他硝酸铟、碳酸铟、硫酸铟在空气中灼烧也可以制得三氧化二铟。
中文名称:氧化铟
中文别名:氧化铟(III);纳米氧化铟;三氧化二铟;氧化铟/纳米氧化铟;
英文名称:Indium Oxide
英文别名:Diindium trioxide,Indium sesquioxide;Indium(III) oxide;Diindium trioxide Indium sesquioxide;
Diindium trioxide,Indium sesquioxide,Indium(III) oxide;Indium oxide;
CAS号:1312-43-2
分子式:In2O3
分子量:277.63400
精确质量:277.79200
PSA:43.37000
蒸气压(mmHg,25ºC):<0.01
溶解性:不溶于水,溶于热的无机酸
In2O3含量:99.99%,(其它杂质以%计) |
|||
氯化物<=0.001 |
硫酸盐<= 0.002 |
氮化合物<=0.003 |
Cu <=0.0002 |
Pb <=0.0004 |
Cd <=0.00079 |
Ti <=0.0003 |
Sn <=0.00063 |
Al<=0.0002 |
Fe <=0.0015 |
Ag<=0.00005 |
其它再议 |
RTECS号:NL1770000
急性毒性:大鼠口经LD:>10gm/kg;小鼠引入腹膜LDLo:5gm/kg;小鼠口经LDLo:10gm/kg
在氢气或其他还原剂存在下,加热至400~500℃可还原成金属铟或低价铟的氧化物。
在高温下分解为低级氧化物。另外,在高温下可与金属铟发生反应,低温灼烧生成的In2O3虽易溶于酸,但经过高温处理得越完全就越难溶,吸湿性也消失了。三氧化二铟在赤热状态下用氢气还原时,则生成金属铟。
1、单一同位素质量:277.7925 Da
2、标称质量:278 Da
3、平均质量:277.6342 Da
保持贮藏器密封、储存在阴凉、干燥的地方,确保工作间有良好的通风或排气装置。
本产品可按用户要求,装入塑料桶,热塑套管封口。
包装(Package): 20公斤/袋
年产200万m2氧化铟锡(ito)镀膜玻璃环境影响报告书
建设项目环境影响报告表 项目名称: 年产 200 万 m 2氧化铟锡( ITO)镀膜玻 璃项目 建设单位: 杭州迈达科技有限公司 编制单位:浙江省工业环保设计研究院有限公司 编制日期: 2013 年 10 月 2 目 录 一、建设项目基本情况 ......................................................................................................... 1 二、建设项目拟建地自然环境社会环境简况 ................................................................... 4 三、环境质量状况 ....................................................................
中华人民共和国机械行业标准 银氧化锡氧化铟电触头材料化学分析方法(报批稿)碘量法测定锡量
中华人民共和国机械行业标准 银氧化锡氧化铟电触头材料化学分析方法(报批稿)碘量法测定锡量
国家标准《氧化铟锡靶材》(GB/T 20510-2017 )的制定,有利于打破发达国家设置的技术壁垒,促进氧化铟锡靶材国产化;有利于规范中国国内氧化铟锡靶材的生产。
国家标准《氧化铟锡靶材》(GB/T 20510-2017 )规定了氧化铟锡靶材的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、质量证明书、订货单(或合同)内容等。该标准适用于以99.99%金属铟、锡为原料生产的氧化铟锡靶材,用于制作透明导电膜。
标准计划
2014年11月19日,国家标准计划《氧化铟锡靶材》(20140965-T-610)下达,项目周期48个月,由中国有色金属工业协会提出,由TC243(全国有色金属标准化技术委员会)归口上报,TC243SC2(全国有色金属标准化技术委员会重金属分会)执行,主管部门为中国有色金属工业协会。
发布实施
2021年3月9日,国家标准《氧化铟锡靶材》(GB/T 20510-2017 )由中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中华人民共和国国家标准化管理委员会发布。
2021年8月1日,国家标准《氧化铟锡靶材》(GB/T 20510-2017 )实施。
国家标准《氧化铟锡靶材》(GB/T 20510-2017 )依据中国国家标准《标准化工作导则—第1部分:标准的结构和编写》(GB/T 1.1-2009)规则起草。
国家标准《氧化铟锡靶材》(GB/T 20510-2017 )代替《氧化铟锡靶材》(GB/T 20510-2006),与《氧化铟锡靶材》(GB/T 20510-2006)相比,主要变动如下:
删除了“失氧率”的要求对氧化铟锡靶材的化学成分进行了修改,删除了对杂质元素锌、钙、镁量的控制,增加了杂质铬、铊量的控制;
修改了相对密度的含量范围;
增加了“表面粗糙度”;
增加了“组织均匀性;
修改了组批的方式;
删除了标准附录“失氧率的测定”。
主要起草单位:株洲冶炼集团股份有限公司、中国船舶重工集团公司第725研究所、北京冶科纳米科技有限公司。
主要起草人:谭仪文、黄剑、彭小苏、郗雨林、孙振德、梅方胜、崔晓芳、张士察。