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阈值电压

阈值电压 ( Threshold voltage):通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。

阈值电压基本信息

中文名阈值电压
外文名The threshold voltage
性质专业术语
领域物理学

阈值电压影响因素

一个特定的晶体管的阈值电压和很多因素有关，包括backgate的掺杂，电介质的厚度，栅极材质和电介质中的过剩电荷。 阈值电压背栅的掺杂 背栅（backgate）的掺杂是决定阈值电压的主要因素。如果背栅掺杂越重，它就越难反转。要反转就要更强的电场，阈值电压就上升了。MOS管的背栅掺杂能通过在介电层表面下的稍微的implant来调整。这种implant被叫做阈值调整implant（或Vt调整implant）。考虑一下Vt调整implant对NMOS管的影响。如果implant是由受主组成的，那么硅表面就更难反转，阈值电压也升高了。如果implant是由施主组成的，那么硅表面更容易反转，阈值电压下降。如果注入的donors够多，硅表面实际上就反向掺杂了。这样，在零偏置下就有了一薄层N型硅来形成永久的沟道（channel）。随着栅极偏置电压的上升，沟道变得越来越强的反转。随着栅极偏置电压的下降，沟道变的越来越弱，最后消失了。这种NMOS管的阈值电压实际上是负的。这样的晶体管称为耗尽模式NMOS，或简单的叫做耗尽型NMOS。相反，一个有正阈值电压的的NMOS叫做增强模式NMOS，或增强型NMOS。绝大多数商业化生产的MOS管是增强型器件，但也有一些应用场合需要耗尽型器件。耗尽型PMOS也能被生产出来。这样的器件的阈值电压是正的。耗尽型的器件应该尽量的被明确的标识出来。不能靠阈值电压的正负符号来判断，因为通常许多工程师忽略阈值电压的极性。因此，应该说“阈值电压为0.7V的耗尽型PMOS”而不是阈值电压为0.7V的PMOS。很多工程师会把后者解释为阈值电压为-0.7V的增强型PMOS而不是阈值电压为 0.7V的耗尽型PMOS。明白无误的指出是耗尽型器件可以省掉很多误会的可能性。 阈值电压电介质 电介质在决定阈值电压方面也起了重要作用。厚电介质由于比较厚而削弱了电场。所以厚电介质使阈值电压上升，而薄电介质使阈值电压下降。理论上，电介质成分也会影响电场强度。而实际上，几乎所有的MOS管都用纯二氧化硅作为gate dielectric。这种物质可以以极纯的纯度和均匀性生长成非常薄的薄膜；其他物质跟它都不能相提并论。因此其他电介质物质只有很少的应用。（也有用高介电常数的物质比如氮化硅作为gate dielectric的器件。有些作者把所有的MOS类晶体管，包括非氧化物电介质，称为insulated-gate field effect transistor（IGFET）） 阈值电压栅极的物质成分 栅极（gate）的物质成分对阈值电压也有所影响。如上所述，当GATE和BACKGATE短接时，电场就施加在gate oxide上。这主要是因为GATE和BACKGATE物质之间的work function差值造成的。大多数实际应用的晶体管都用重掺杂的多晶硅作为gate极。改变多晶硅的掺杂程度就能控制它的work function。 阈值电压介电层与栅极界面上过剩的电荷 GATE OXIDE或氧化物和硅表面之间界面上过剩的电荷也可能影响阈值电压。这些电荷中可能有离子化的杂质原子，捕获的载流子，或结构缺陷。电介质或它表面捕获的电荷会影响电场并进一步影响阈值电压。如果被捕获的电子随着时间，温度或偏置电压而变化，那么阈值电压也会跟着变化。2100433B

阈值电压造价信息

市场价
信息价
询价

欠电压

规格型号：
品种:断路器附件;型号:30;电流规格:250A;
价格行情：
材料单位：
个
材料品牌：
新驰
材料税率：
13%
供应商：
西安新驰电气有限公司
报价时间：
2022-12-07

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欠电压

规格型号：
品种:断路器附件;型号:30;说明:注;电流规格:125A;
价格行情：
材料单位：
个
材料品牌：
新驰
材料税率：
13%
供应商：
西安新驰电气有限公司
报价时间：
2022-12-07

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欠电压

规格型号：
品种:断路器附件;型号:30;说明:注;电流规格:800A;
价格行情：
材料单位：
个
材料品牌：
新驰
材料税率：
13%
供应商：
西安新驰电气有限公司
报价时间：
2022-12-07

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欠电压

规格型号：
品种:断路器附件;型号:30;电流规格:125A;
价格行情：
材料单位：
个
材料品牌：
新驰
材料税率：
13%
供应商：
西安新驰电气有限公司
报价时间：
2022-12-07

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欠电压

规格型号：
品种:断路器附件;型号:30;说明:注;电流规格:63A;
价格行情：
材料单位：
个
材料品牌：
新驰
材料税率：
13%
供应商：
西安新驰电气有限公司
报价时间：
2022-12-07

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木工压刨

规格型号：
600mm
价格行情：
材料单位：
台·月
材料税率：
地区时间：
深圳市2010年7月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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木工压刨

规格型号：
600mm
价格行情：
材料单位：
台·月
材料税率：
地区时间：
深圳市2010年5月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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木工压刨

规格型号：
600mm
价格行情：
材料单位：
台·月
材料税率：
地区时间：
深圳市2010年4月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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木工压刨

规格型号：
600mm
价格行情：
材料单位：
台·月
材料税率：
地区时间：
深圳市2010年6月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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木工压刨床

规格型号：
刨削宽度单面600
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2012年4季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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电压转换

规格型号：
LW8-10YH3/3
需求量：
1个
报价数：
2
材料品牌：
德力西
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2018-01-25

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电压转换

规格型号：
LW8-10YH3/3
需求量：
1个
报价数：
1
材料品牌：
德力西
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2018-01-09

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欠电压

规格型号：
QSM1QS90、 225型(3极)
需求量：
7167个
报价数：
1
材料品牌：
奇胜
材料档次：
中高档
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2015-12-16

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欠电压

规格型号：
QSM1QS90、800型(4极)
需求量：
2815个
报价数：
1
材料品牌：
奇胜
材料档次：
中高档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2015-12-02

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欠电压

规格型号：
QSM1QS90 、100型(3极)
需求量：
2224个
报价数：
1
材料品牌：
奇胜
材料档次：
中高档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2015-10-24

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阈值电压概述

如MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一。MOS管的阈值电压等于背栅（backgate）和源极（source）接在一起时形成沟道（channel）需要的栅极（gate）对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道（channel）。

阈值电压常见问题

端电压和线电压

端电压是对零电压（将零线视为参考点），通常也等于对地电压。线电压是相间电压通常端电压220v，线电压380v
低电压如何变成高电压？

低电压如何变成高电压？不同的电源用不同的升压方法、不同的电压、不同的功率采用不同的升压方法。（1）交流电源常见通过变压器升压。（2）小电流通过倍压整流升压（3）直流过振荡产生高压（3）直流通过逆变升压
电压表一般测出的是相电压还是线电压？

你是学生吧？学生实验里面测得的数据要根据你所测三相电链接方式：星形链接的测出的是相电压，线电流；三角形链接测得的是线电压、相电流。

阈值电压文献

基于双电源电压和双阈值电压的全局互连性能优化

基于双电源电压和双阈值电压的全局互连性能优化

基于双电源电压和双阈值电压的全局互连性能优化

格式：pdf

大小：195KB

页数： 8页

基于双电源电压和双阈值电压技术,提出了一种优化全局互连性能的新方法.文中首先定义了一个包含互连延时、带宽和功耗等因素的品质因子用以描述全局互连特性,然后在给定延时牺牲的前提下,通过最大化品质因子求得优化的双电压数值用以节省功耗.仿真结果显示,在65nm工艺下,针对5%,10%和20%的允许牺牲延时,所提方法相较于单电压方法可分别获得27.8%,40.3%和56.9%的功耗节省.同时发现,随着工艺进步,功耗节省更加明显.该方法可用于高性能全局互连的优化和设计.

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低阈值电压RF MEMS开关的力学模型

低阈值电压RF MEMS开关的力学模型

低阈值电压RF MEMS开关的力学模型

格式：pdf

大小：195KB

页数： 5页

采用大激励极板的螺旋型膜开关在保持优异的高频特性的同时 ,可以获得较低的阈值电压。但是对这种结构的设计缺乏足够理论分析。文中将在 Ansys软件数值求解的基础上 ,研究缺口尺寸和开关阈值电压的关系 ,其结果对设计低驱动开关有一定指导意义

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晶体管阈值电压概述

晶体管阈值电压（Threshold voltage）： 场效应晶体管（FET）的阈值电压就是指耗尽型FET的夹断电压与增强型FET的开启电压。 （1）对于JFET： 对于长沟道JFET，一般只有耗尽型的器件；SIT（静电感应晶体管）也可以看成为一种短沟道JFET，该器件就是增强型的器件。 （2）对于MOSFET： *增强型MOSFET的阈值电压VT是指刚刚产生出沟道(表面强反型层)时的外加栅电压。 ①对于理想的增强型MOSFET（即系统中不含有任何电荷状态，在栅电压Vgs = 0时，半导体表面的能带为平带状态），阈值电压可给出为VT = ( SiO2层上的电压Vi ) + 2ψb = －[2εεo q Na ( 2ψb )] / Ci + 2ψb ,式中Vi ≈ (耗尽层电荷Qb) / Ci，Qb =－( 2εεo q Na [ 2ψb ] )，Ci是单位面积的SiO2电容，ψb是半导体的Fermi势（等于本征Fermi能级Ei与Ef之差）。 ②对于实际的增强型MOSFET，由于金属-半导体功函数差φms 和Si-SiO2系统中电荷的影响, 在Vgs = 0时半导体表面能带即已经发生了弯曲，从而需要另外再加上一定的电压——“平带电压”才能使表面附近的能带与体内拉平。 因为金属-半导体的功函数差可以用Fermi势来表示:φms = (栅金属的Fermi势ψG )－(半导体的Fermi势ψB ) ,ψb = ( kT/q ) ln(Na/ni) ，对多晶硅栅电极(通常是高掺杂)，ψg≈±0.56 V [+用于p型, －用于n型栅]。而且SiO2/Si 系统内部和界面的电荷的影响可用有效界面电荷Qf表示。从而可给出平带电压为 Vfb = φms－Qf /Ci 。 所以，实际MOSFET的阈值电压为VT = －[2εεo q Na ( 2ψb )] /Ci + 2ψb +φms－Qf /Ci 。 进一步，若当半导体衬底还加有反向偏压Vbs时，则将使沟道下面的耗尽层宽度有一定的增厚, 从而使阈值电压变化为：VT = －[2εεo q Na ( 2ψb+Vbs )] /Ci + 2ψb +φms－Qf /Ci 。 在制造MOSFET时，为了获得所需要的VT值和使VT值稳定，就需要采取若干有效的技术措施；这里主要是控制Si-SiO2系统中电荷Qf ：其中的固定正电荷(直接影响到VT值的大小) 与半导体表面状态和氧化速度等有关(可达到<1012/cm2); 而可动电荷 (影响到VT值的稳定性) 与Na+等的沾污有关。因此特别需要注意在氧化等高温工艺过程中的清洁度。 *耗尽型MOSFET的阈值电压VT是指刚好夹断沟道时的栅极电压。情况与增强型器件的类似。 （3）对于BJT，阈值电压VTB是指输出电流Ic等于某一定值Ict (如1mA) 时的Vbe值。由VTB = (kT/q) ln(Ict/Isn) 得知：a)凡是能导致Ic发生明显变化的因素 (如掺杂浓度和结面积等)，却对VTB影响不大，则BJT的VTB可控性较好；b) VTB 对于温度很敏感，将随着温度的升高而灵敏地降低，则可用VTB值来感测温度。

晶体管阈值电压简介

包装清单 晶体管阈值电压（Threshold voltage）： 场效应晶体管（FET）的阈值电压就是指耗尽型FET的夹断电压与增强型FET的开启电压。 （1）对于JFET： 对于长沟道JFET，一般只有耗尽型的器件；SIT（静电感应晶体管）也可以看成为一种短沟道JFET，该器件就是增强型的器件。 （2）对于MOSFET： *增强型MOSFET的阈值电压VT是指刚刚产生出沟道(表面强反型层)时的外加栅电压。 ①对于理想的增强型MOSFET（即系统中不含有任何电荷状态，在栅电压Vgs = 0时，半导体表面的能带为平带状态），阈值电压可给出为VT = ( SiO2层上的电压Vi ) 2ψb = －[2εεo q Na ( 2ψb )] / Ci 2ψb ,式中Vi ≈ (耗尽层电荷Qb) / Ci，Qb =－( 2εεo q Na [ 2ψb ] )，Ci是单位面积的SiO2电容，ψb是半导体的Fermi势（等于本征Fermi能级Ei与Ef之差）。 ②对于实际的增强型MOSFET，由于金属-半导体功函数差φms 和Si-SiO2系统中电荷的影响, 在Vgs = 0时半导体表面能带即已经发生了弯曲，从而需要另外再加上一定的电压——“平带电压”才能使表面附近的能带与体内拉平。 因为金属-半导体的功函数差可以用Fermi势来表示:φms = (栅金属的Fermi势ψG )－(半导体的Fermi势ψB ) ,ψb = ( kT/q ) ln(Na/ni) ，对多晶硅栅电极(通常是高掺杂)，ψg≈±0.56 V [ 用于p型, －用于n型栅]。而且SiO2/Si 系统内部和界面的电荷的影响可用有效界面电荷Qf表示。从而可给出平带电压为 Vfb = φms－Qf /Ci 。 所以，实际MOSFET的阈值电压为VT = －[2εεo q Na ( 2ψb )] /Ci 2ψb φms－Qf /Ci 。 进一步，若当半导体衬底还加有反向偏压Vbs时，则将使沟道下面的耗尽层宽度有一定的增厚, 从而使阈值电压变化为：VT = －[2εεo q Na ( 2ψb Vbs )] /Ci 2ψb φms－Qf /Ci 。 在制造MOSFET时，为了获得所需要的VT值和使VT值稳定，就需要采取若干有效的技术措施；这里主要是控制Si-SiO2系统中电荷Qf ：其中的固定正电荷(直接影响到VT值的大小) 与半导体表面状态和氧化速度等有关(可达到<1012/cm2); 而可动电荷 (影响到VT值的稳定性) 与Na 等的沾污有关。因此特别需要注意在氧化等高温工艺过程中的清洁度。 *耗尽型MOSFET的阈值电压VT是指刚好夹断沟道时的栅极电压。情况与增强型器件的类似。 （3）对于BJT，阈值电压VTB是指输出电流Ic等于某一定值Ict (如1mA) 时的Vbe值。由VTB = (kT/q) ln(Ict/Isn) 得知：a)凡是能导致Ic发生明显变化的因素 (如掺杂浓度和结面积等)，却对VTB影响不大，则BJT的VTB可控性较好；b) VTB 对于温度很敏感，将随着温度的升高而灵敏地降低，则可用VTB值来感测温度。 2100433B

mos晶体管阈值电压

MOS管的阈值电压等于backgate和source接在一起时形成channel需要的gate对source偏置电压。如果gate对source偏置电压小于阈值电压，就没有channel。一个特定的晶体管的阈值电压和很多因素有关，包括backgate的掺杂，电介质的厚度，gate材质和电介质中的过剩电荷。每个因素都会被简单的介绍下。 Bakegate的掺杂是决定阈值电压的主要因素。如果backgate越重掺杂，它就越难反转。要反转就要更强的电场，阈值电压就上升了。MOS管的backgate掺杂能通过在gate dielectric表面下的稍微的implant来调整。这种implant被叫做阈值调整implant（或Vt调整implant）。 考虑一下Vt调整implant对NMOS管的影响。如果implant是由acceptors组成的，那么硅表面就更难反转，阈值电压也升高了。如果implant是由donors组成的，那么硅表面更容易反转，阈值电压下降。如果注入的donors够多，硅表面实际上就反向掺杂了。这样，在零偏置下就有了一薄层N型硅来形成永久的channel。随着GATE偏置电压的上升，channel变得越来越强的反转。随着GATE偏置电压的下降，channel变的越来越弱，最后消失了。这种NMOS管的阈值电压实际上是负的。这样的晶体管称为耗尽模式NMOS，或简单的叫做耗尽型NMOS。相反，一个有正阈值电压的的NMOS叫做增强模式NMOS，或增强型NMOS。绝大多数商业化生产的MOS管是增强型器件，但也有一些应用场合需要耗尽型器件。耗尽型PMOS也能被生产出来。这样的器件的阈值电压是正的。 耗尽型的器件应该尽量的被明确的标识出来。不能靠阈值电压的正负符号来判断，因为通常许多工程师忽略阈值电压的极性。因此，应该说“阈值电压为0.7V的耗尽型PMOS”而不是阈值电压为0.7V的PMOS。很多工程师会把后者解释为阈值电压为-0.7V的增强型PMOS而不是阈值电压为+0.7V的耗尽型PMOS。明白无误的指出是耗尽型器件可以省掉很多误会的可能性。 为了区别不同的MOS管有很多特殊的符号。图7就是这些符号。（符号A,B,E,F,G,和H被许多不同的作者使用）符号A和B分别是NMOS和PMOS管的标准符号。这些符号在工业界没有被普遍使用；相反，符号C和D分别代表NMOS和PMOS。这些符号被设计的很像NPN和PNP管。这么做能突出MOS和双极型电路之间基本的相似点。符号E和F用在backgates接到已知电位上时。每个MOS管都有一个backgate，所以它总得接到什么地方。符号E和F可能有点让人看不懂，因为读者必须自己推断bakgate的接法。尽管如此，这些符号还是非常流行，因为他们使电路同看上去更易读。符号G和H经常被用在耗尽型器件上，符号中从drain到source的粗线就表示了零偏置时的channel。符号I和J表示高电位drain的非对称晶体管，符号K和L表示drain和source都是高电位的对称晶体管。除了这些，MOS管还有其他很多电路符号；图1.24仅仅是其中的一小部分。 电介质在决定阈值电压方面也起了重要作用。厚电介质由于比较厚而削弱了电场。所以厚电介质使阈值电压上升，而薄电介质使阈值电压下降。理论上，电介质成分也会影响电场强度。而实际上，几乎所有的MOS管都用纯二氧化硅作为gate dielectric。这种物质可以以极纯的纯度和均匀性生长成非常薄的薄膜；其他物质跟它都不能相提并论。因此其他电介质物质只有很少的应用。（也有用高介电常数的物质比如氮化硅作为gate dielectric的器件。有些作者把所有的MOS类晶体管，包括非氧化物电介质，称为insulated-gate field effect transistor（IGFET）） gate的物质成分对阈值电压也有所影响。如上所述，当GATE和BACKGATE短接时，电场就出现在gate oxide上。这主要是因为GATE和BACKGATE物质之间的work function差值造成的。大多数实际应用的晶体管都用重掺杂的多晶硅作为gate极。改变多晶硅的掺杂程度就能控制它的work function。 GATE OXIDE或氧化物和硅表面之间界面上过剩的电荷也可能影响阈值电压。这些电荷中可能有离子化的杂质原子，捕获的载流子，或结构缺陷。电介质或它表面捕获的电荷会影响电场并进一步影响阈值电压。如果被捕获的电子随着时间，温度或偏置电压而变化，那么阈值电压也会跟着变化。

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