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成果名称 |
一种具有防盗结构的封闭式户外开关柜柜体 |
成果完成单位 |
安徽万华电气股份有限公司 |
批准登记单位 |
安徽省科学技术厅 |
登记日期 |
2020-08-19 |
登记号 |
2020N993Y006196 |
成果登记年份 |
2020 |
张合生
开关柜的基本框架采用拼装组合式结构,由KB型钢通过自攻锁紧螺钉互相紧固联接成基本框架,再按方案变化需要,加上相应的门、封板、隔板、安装支架以及母线、功能单元等零件组一台完整的开关柜,柜内结构都经过镀锌...
推荐杰力厂家的产品,具有以下的优点:1. 采用高强度的结构设计和特殊的喷粉表面处理工艺,能适应工厂较复杂的工作环境。2.装有优质轴承的导轨,保证单个抽屉承受额定载荷时亦能轻松顺...
柜体材料 颜色 整组柜排列 进出线方式 母线出线大小 开关等柜内元器件配置 防护等级 操作方式 门锁要求 电气柜与柜间的连锁 ...... 当然,最主要的还是价格(要货比三家哦) &nbs...
XGN2-12箱型固定式开关柜柜体
XGN2-12 箱型固定式开关柜柜体 由浙江汉西电力提供 概述 0577-62822172 13173522733 向伟琳 XGN2-12 箱型固定式金属封闭开关设备柜体是由我公司开发和研制的高压成套开关设备 柜体柜体采用 C 型材和 G 型材组合装配式结构,可灵活适用各种主接线方案为成套组合节省了 加工时间。从而大大提高了成套厂家交货周期。 XGN2 —12 型开关柜是一种防护型固定式金属封闭高压开关设备,广泛地运用于高压电动 机的起动,投切运行等场合。可频繁操作,无爆炸、火灾等危险。 主要特点 本开关柜为金属封闭箱型结构,柜体骨架由 C 型材和 G 型材组装而成,柜内用铜板分隔成 断路器室、母线室,电缆室,继电器室,并可通过门面上的观察窗和照明灯观察柜内各主要元件 的运行情况。根据柜体布置,前上部为继电器室内部可安装继电器。门上可装设信号继电器, 指 示仪表,信号灯,转换开关安装于操作
10KV高压开关柜柜体设计
- 1 - 10kV 高压开关柜柜体设计 1、绝缘距离 由于 10kV开关柜用于对三相交流电进行分配,因此相间及相对地之间必须保证一定的距离, 否则会引起短路, 对整个电力系统造成危害。 但我们单纯以空气作为绝缘介质时, 绝缘距离要求如表 1。 有时为了减少开关柜外形尺寸,可以有以下几种方法: 1)在空气间隙中插入一块非金属的绝缘隔板,从而缩小对绝缘距离的要求。但要注意的是空气净距离 不小于 60毫米,相间绝缘隔板应设置在中间位置。该方法的缺点是绝缘隔板受使用环境影响很大,存 在绝缘老化的问题。 2)使用热缩套管把高压带电导体整个套起来,实践中要确保绝缘距离不小于 100 毫米。缺点是热缩套 管同样存在绝缘老化的问题。 序号 位置 绝缘距离 (mm) 1 导体至接地间净距 125 2 不同相的导体之间的净距 125 3 导体至无孔遮拦间净距 155 4 导体至网状遮拦间净距 22
《一种具有电子阻挡与空穴调整层的外延结构》所解决的技术问题在于提供一种具有电子阻挡与空穴调整层的外延结构及制备方法,以解决上述背景技术中所提及的问题。
《一种具有电子阻挡与空穴调整层的外延结构》提供的技术方案为:一种具有电子阻挡与空穴调整层的外延结构,从下至上依次包括衬底、缓冲层、N型掺杂半导体层、发光层和P型掺杂半导体层,其中,所述发光层与P型掺杂半导体层之间还包含材料为Alx0Iny0Ga1-x0-y0N的P型掺杂空穴注入层和复数个子组合层堆叠形成的多层结构;所述每一个子组合层由材料为Alx1Iny1Ga1-x1-y1N的电子阻挡层与材料为Alx2Iny2Ga1-x2-y2N的空穴调整层组成,其中,y0>x0>0,x1>y1>0,x2≥y2>0,x1>x2≥x0,y0>y2>y1。
优选的,所述多层结构中位于下部的子组合层为非故意P型掺杂层,位于上部的子组合层为故意P型掺杂层,所述非故意P型掺杂的子组合层个数大于或等于所述故意P型掺杂的子组合层个数。优选的,所述空穴注入层的P型杂质浓度大于多层结构的P型杂质浓度。优选的,所述空穴注入层形成过程中的P型杂质通过延迟效应及后续高温条件下的扩散作用进入非故意P型掺杂子组合层内。优选的,所述故意P型掺杂的子组合层个数≤3。优选的,所述多层结构中至少2个子组合层的Al组分不同。优选的,所述多层结构中子组合层的个数≥2。优选的,每一所述子组合层的总厚度为10埃~200埃。优选的,所述空穴注入层的厚度为50埃~1000埃。
优选的,所述空穴注入层、电子阻挡层与空穴调整层的Al组分的变化方式为恒定掺杂、抛物线形、递增或递减变化掺杂。优选的,所述空穴注入层的P型杂质平均浓度≥1×1018。优选的,所述多层结构的P型杂质平均浓度≥1×1016。为制备上述的外延结构,该发明同时提出一种具有电子阻挡与空穴调整层的外延结构的制备方法,所述方法包括以下步骤:
提供一衬底;沉积缓冲层于所述衬底之上;沉积N型掺杂半导体层于所述缓冲层之上;沉积发光层于所述N型掺杂半导体层之上;沉积材料为Alx0Iny0Ga1-x0-y0N的P型掺杂空穴注入层于所述发光层之上;沉积材料为Alx1Iny1Ga1-x1-y1N的电子阻挡层与材料为Alx2Iny2Ga1-x2-y2N的空穴调整层交替堆叠组成的多层结构于所述空穴注入层之上,其中,y0>x0>0,x1>y1>0,x2≥y2>0,x1>x2≥x0,y0>y2>y1;沉积P型掺杂半导体层于所述多层结构之上,形成外延结构。
优选的,沉积所述P型掺杂空穴注入层时反应室的温度低于沉积所述多层结构时反应室的温度。
优选的,沉积所述P型掺杂空穴注入层时反应室的温度与沉积所述多层结构时反应室的温度差值为50~100℃。
优选的,沉积所述P型掺杂空穴注入层时反应室的压力与沉积所述多层结构时反应室的压力相同,压力值为50~500托。
优选的,沉积多层结构过程中,首先停止通入P型杂质源,沉积位于多层结构下部的非故意P型掺杂子组合层,所述空穴注入层形成过程中的P型杂质通过延迟效应及后续高温条件下的扩散作用进入所述非故意P型掺杂子组合层内;然后再次通入P型杂质源,沉积形成位于所述多层结构上部的故意P型掺杂子组合层。
优选的,所述非故意P型掺杂子组合层的个数大于或等于所述故意P型掺杂子组合层的个数。
优选的,所述故意P型掺杂子组合层的个数≤3。
优选的,所述空穴注入层的P型杂质浓度大于多层结构的P型杂质浓度。
优选的,所述空穴注入层的P型杂质平均浓度≥1×1018。
优选的,所述多层结构的P型杂质平均浓度≥1×1016。
优选的,所述多层结构中至少2个子组合层的Al组分不同。
优选的,所述多层结构中子组合层的个数≥2。
优选的,每一所述子组合层的总厚度为10埃~200埃。
优选的,所述空穴注入层的厚度为50埃~1000埃。
优选的,所述空穴注入层、电子阻挡层与空穴调整层的Al组分的变化方式为恒定掺杂、抛物线形、递增或递减变化掺杂。
《一种具有电子阻挡与空穴调整层的外延结构》通过在外延结构中的发光层与P型掺杂半导体层之间插入一层P型空穴注入层,以高浓度掺杂提供足够的空穴,且临近发光层,可有效提升发光效率,同时为缓冲发光层与后续多层结构的晶格差异及实现低能阶特性,该空穴注入层采用低Al组分高In组分的材料组成。
随后生长高Al组分的电子阻挡层和低Al组分的空穴调整层交替层叠组成的多层结构,利用高Al组分与低Al组分交替分布的结构避免高Al组分引起的材料质量降低现象,同时利用In组分低能阶的特性与Al组分搭配调变多层结构的能阶变化以进一步改善多层结构整体电子阻挡及空穴调整的作用。
此外,在沉积临近空穴注入层的多层结构的子组合层时不通入P型杂质源,而是通过P型杂质的延迟效应及后续高温条件下的扩散作用进入该子组合层内;然后在继续生长的临近P型掺杂半导体层的子组合层中掺入P型杂质,在保证不增加电压特性的前提下,提升多层结构的晶体质量。
同时,所述空穴注入层和多层结构均为氮化铝铟镓材料层,调整多层结构中铝和铟的组分含量,在形成良好的电子阻挡性能的同时降低其阻值,且结合前述的空穴注入层提供的有效空穴来源改善芯片的抗静电性能。
成果名称 |
一种具有安全保护设备的防盗门生产设备 |
成果完成单位 |
池州海琳服装有限公司 |
批准登记单位 |
安徽省科学技术厅 |
登记日期 |
2020-03-05 |
登记号 |
2020N993Y000699 |
成果登记年份 |
2020 |
成果名称 |
一种具有安保组件的防盗铁门冲压设备 |
成果完成单位 |
池州海琳服装有限公司 |
批准登记单位 |
安徽省科学技术厅 |
登记日期 |
2020-03-05 |
登记号 |
2020N993Y000702 |
成果登记年份 |
2020 |