工作原理：

它主要用于金属热加、热处理、焊接和熔化等。这种加热技术也适用于包装行业（医药、食品等铝箔的封口）、半导体材料（如拉伸单晶硅、汽车玻璃加热粘贴金属件等）

感应加热系统的基本组成包括感应线圈、交流电源和工件。根据加热对象不同，可以把感应线圈制成不同的形状。线圈和电源相连，电源为线圈提供交变电流，通过线圈的交变电流产生一个通过工件的交变磁场，该磁场使工伯产生涡流来加热特点：

1、 主要通过坩埚容器把贵金属瞬间感应声问候进行熔炼、提纯、铸造等工艺

2、 针对贵金属：铂金、钯金、铑金、黄金、银、铜、钢铁、金精粉、金沙、锡灰、锡渣等高熔金金属

3、 最高炉温可达1500度——2000度

4、 针对灰渣状金属粉提成数量高可达九成七

5、 采用最新MOSFET、IGBT变频控制技术，高效节能，输出功率大。

6、 百分百满负载设计，可持续24小时不断工作。

7、 最快加热速度不到1秒(速度快慢可调节).

8、 加热非常均匀(可通过调节感应圈的疏密,使工作各部位获得各自需要的温度),升温快,氧化层少,退火后无废品.

9、 消除高压免除了产生近万伏高压的升日变压器,安全性很高.

中频熔金炉提纯黄金

方法：熔金炉亦可提纯黄金，在熔金炉中放入除渣粉后，经过炉内高温，杂质就被除去了。除渣粉也叫硼砂，所有化工店有销售，售价大概是10元/合500克。

用量：1公斤黄金放20克，以此标准，适量添减。2100433B

电源控制部分原理及优势：

（2）IGBT中频电源为一种恒功率输出电源，加少量料即可达到满功率输出，并且始终保持不变，所以熔化速度快；因逆变部分采用串联谐振，且逆变电压高，所以IGBT中频比普通可控硅中频节能；IGBT中频采用调频调功，整流部分采用全桥整流，电感和电容滤波，且一直工作在500V，所以IGBT中频产生高次谐波小，对电网产生污染工低。

（3）节能型IGBT晶体管中频电源比传统可控硅中频电源可节能15%-25%,节能的主要原因有以下几下方面：

A、逆变电压高，电流小，线路损耗小，此部分可节能15%左右，节能型IGBT晶体管中频电源逆变电压为2800V，而传统可控硅中频电源逆变电压仅为750V，电流小了近4倍，线路损耗大大降低。

B、功率因数高，功率因数始终大于0.98，无功损耗小，此部分比可控硅中频电源节能3%-5%。由于节能型IGBT晶体管中频电源采用了半可控整流方式，整流部分不调可控硅导通角，所以整个工作过程功率因数始终大于0.98，无功率损耗小。

B、 炉品热损失小，由于节能型IGBT晶体管中频电源比同等功率可控硅中频电源一炉可快15分钟左右，15分钟的时间内炉口损失的热量可占整个过程的3%，所以此部分比可控硅中频可节能3%左右。

（4）高次谐波干扰：高次谐波主要来自整流部分调压时可控硅产生的毛刺电压，会严重污染电网，导致其他设备无法正常工作，而节能型IGBT晶体管中频电源的整流部分 采用半可控整流方式，直流电压始终工作在最高，不调导通角，所以它不会产生高次谐波，不会污染电网、变压器，开关不发热，不会干扰工厂内其他电子设备运行。

（5）恒功率输出：可控硅中频电源采用调压调功，而节能型IGBT晶体管中频电源采用调频调功，它不受炉料多少和炉衬厚薄的影响，在整个熔炼过程中保持恒功率输出，尤其是生产不锈钢、铜、铝等不导磁物质时，更显示它的优越性，熔化速度快，炉料元素烧损少，降低铸造成本。