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紫外探测器

紫外探测器是将一种形式的电磁辐射信号转换成另一种易被接收处理信号形式的传感器，光电探测器利用光电效应，把光学辐射转化成电学信号。光电效应可分为外光电效应和内光电效应。外光电效应中，光子激发光阴极产生光电子，然后被外电极收集，获得的光信号（电流等）是接收到的辐射转换值。

紫外探测器基本信息

中文名紫外探测器
原理将一种形式的电磁辐射信号
类型3
属性机器

紫外探测器概述

探测器是将一种形式的电磁辐射信号转换成另一种易被接收处理信号形式的传感器，光电探测器利用光电效应，把光学辐射转化成电学信号。光电效应可分为外光电效应和内光电效应。外光电效应中，光子激发光阴极产生光电子，然后被外电极收集，获得的光信号(电流等)是接收到的辐射转换值。 外光电效应器件通常指光敏电真空器件，主要用于紫外、红外和近红外等波段。具有内增益的外光电效应器件包括光电敏倍增管、像增强器等光敏电真空器件，它们具有极高灵敏度，能将极微弱的光信号转换成电信号，可进行单光子检测，其灵敏度比内电光效应的半导体器件高几个量级。 内光电效应分为光导效应和光伏效应。光导效应中，半导体吸收足够能量的光子后，把其中的一些电子或空穴从原来不导电的束缚状态激活到能导电的自由状态，导致半导体电导率增加、电路中电阻下降。光伏效应中，光生电荷在半导体内产生跨越结的P-N小势差。产生的光电压通过光电器件放大并可直接进行测量。根据光导效应和光伏效应制成的器件分别称为半导体光导探测器和光伏探测器。 常用的紫外线探测器主要有三种类型: 一、光电真空探测器，如光电倍增管、像增强器和EBCCD等; 二、光电导探测器，如GaN基和AlGaN基电光导探测器等; 三、光伏探测器，如Si，SiC,GaN P-N结和肖特基势垒光伏探测器以及CCD。 紫外线探测器对紫外辐射具有高响应。其中，日盲紫外探测器的光谱响应区集中在中紫外(波长小于290nm),而对紫外区以外的可见光及红外辐射响应较低;光盲紫外探测器长波响应限在紫外与可见光交界处。

紫外探测器造价信息

市场价
信息价
询价

双红外/紫外三复合防爆火焰焰探测器

规格型号：
GS9208/UV/IR(Ex)
价格行情：
材料单位：
个
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
广州捷耐瑞智能科技有限公司
报价时间：
2022-12-06

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点型紫外火焰探测器

规格型号：
JTG-ZW-G1
价格行情：
材料单位：
只
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
海湾安全技术有限公司
报价时间：
2022-12-06

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点型紫外火焰探测器

规格型号：
JTG-ZW-G1B
价格行情：
材料单位：
只
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
海湾安全技术有限公司
报价时间：
2022-12-06

查看价格

点型紫外火焰探测器

规格型号：
JTG-ZM-GST9614
价格行情：
材料单位：
只
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
海湾安全技术有限公司
报价时间：
2022-12-06

查看价格

点型紫外火焰探测器

规格型号：
JTGB-ZW-7015
价格行情：
材料单位：
个
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
上海鸿真电子有限公司(湖州市厂商期刊)
报价时间：
2022-12-06

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紫外火焰探测器

规格型号：
JTG-ZM-GST9614
价格行情：
材料单位：
个
材料税率：
地区时间：
茂名市2009年9月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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紫外火焰探测器

规格型号：
JTG-ZF-GST9714
价格行情：
材料单位：
个
材料税率：
地区时间：
茂名市2009年9月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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紫外火焰探测器

规格型号：
JTG-ZF-GST9714
价格行情：
材料单位：
个
材料税率：
地区时间：
茂名市2009年7月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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紫外火焰探测器

规格型号：
JTG-ZM-GST9614
价格行情：
材料单位：
个
材料税率：
地区时间：
茂名市2009年6月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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紫外火焰探测器

规格型号：
JTG-ZM-GST9614
价格行情：
材料单位：
个
材料税率：
地区时间：
茂名市2009年5月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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紫外线火焰探测器

规格型号：
配套产品-紫外线火焰探测器
需求量：
1422台
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2015-11-13

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探测器

规格型号：
探测器
需求量：
1个
报价数：
2
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2022-06-10

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感光探测器

规格型号：
感光探测器
需求量：
1个
报价数：
1
材料品牌：
依爱/海湾
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2017-12-18

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氧气探测器

规格型号：
氧气探测器
需求量：
1个
报价数：
1
材料品牌：
昆山翼捷
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2021-06-10

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探测器

规格型号：
探测器
需求量：
28套
报价数：
2
材料品牌：
派诺，上海零线，华宇先锋，华力特，华宿，中电
材料档次：
中高档
费用说明：
含税费 | 不含运费
询价时间：
2020-10-27

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紫外探测器产品类型

一、光电真空探测器，如光电倍增管、像增强器和EBCCD等； 二、光电导探测器，如GaN基和AlGaN基电光导探测器等； 三、光伏探测器，如Si，SiC,GaN P-N结和肖特基势垒光伏探测器以及CCD。 紫外线探测器对紫外辐射具有高响应。其中，日盲紫外探测器的光谱响应区集中在中紫外（波长小于290nm）,而对紫外区以外的可见光及红外辐射响应较低；光盲紫外探测器长波响应限在紫外与可见光交界处。

紫外探测器产品简介

外光电效应器件通常指光敏电真空器件，主要用于紫外、红外和近红外等波段。具有内增益的外光电效应器件包括光电敏倍增管、像增强器等光敏电真空器件，它们具有极高灵敏度，能将极微弱的光信号转换成电信号，可进行单光子检测，其灵敏度比内电光效应的半导体器件高几个量级。 内光电效应分为光导效应和光伏效应。光导效应中，半导体吸收足够能量的光子后，把其中的一些电子或空穴从原来不导电的束缚状态激活到能导电的自由状态，导致半导体电导率增加、电路中电阻下降。光伏效应中，光生电荷在半导体内产生跨越结的P-N小势差。产生的光电压通过光电器件放大并可直接进行测量。根据光导效应和光伏效应制成的器件分别称为半导体光导探测器和光伏探测器。

紫外探测器常见问题

点型探测器

附图，按烟感探测器，修改主材就可以
探测器问题？

对浓度的检测要求不同。
感烟探测器的感烟探测器分类

感烟式火灾探测器分为点型与线型，点型分为离子型感烟和光电型感烟，线型分为激光感烟分离式红外光束感烟。它是对警戒范围内某一线状窄条周围烟气参数响应的火灾探测器。它同前面两种点型感烟探测器的主要区别在于...

紫外探测器文献

穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响

穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响

穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响

格式：pdf

大小：1.0MB

页数： 6页

研究了GaN基p-i-n(p-AlGaN/i-GaN/n-GaN)结构紫外探测器的漏电机理.实验发现,在位错密度几乎相同的情况下,基于表面有较高密度的V形坑缺陷材料制备的器件表现出较高的反向漏电.进一步的SEM测试发现,这种V形坑穿透到有源区i-GaN、甚至n-GaN层.在制备p-AlGaN电极时,许多金属会落在V形坑中,从而与i-GaN形成了肖特基接触,有些甚至直接和n-GaN形成欧姆接触.正是由于并联的肖特基接触和欧姆接触的存在导致了漏电的增加.

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薄p型层GaN基p-i-n型紫外探测器的反向漏电特性

薄p型层GaN基p-i-n型紫外探测器的反向漏电特性

薄p型层GaN基p-i-n型紫外探测器的反向漏电特性

格式：pdf

大小：1.0MB

页数： 3页

制备了薄p型层GaN基p-i-n型紫外探测器,并对其反向漏电特性进行了研究。探测器材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上外延生长获得,p-GaN的厚度为30nm。基于该材料制作了具有共面电极的探测器器件,并采用SiO2对刻蚀侧壁进行了钝化。测试结果表明,结面积为1.825×10-4cm2的器件在-1V时的反向漏电流面密度为3.0×10-9 A/cm2,优质因子达到3.7×109Ω.cm2。

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国际紫外探测器应用典例

ICE越过贾科比尼一津纳彗星时，穿越了四个互不相同的区域。国际紫外探测器穿过第四个区域——该彗星的离子尾，离彗核约16，000公里（10，000英里)。国际紫外探测器观测到，该区域是来自该彗星的一个较冷的电离气体区，它为一个磁场所围绕。科学家们相信，随着太阳风中的磁场在彗星周围集积起来，便会形成一条磁尾，它包围着该彗星的离子尾。

紫外探测器材料简介

紫外探测器材料是对紫外光敏感的材料。主要采用氮化镓系列、金刚石等宽禁带半导体材料。

SiC紫外探测器简介

半导体SiC的禁带宽度为3.25eV，具有高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优点，特别是该器件的反向漏电流低。SiC紫外探测器只对波长400nm一下的辐射选择性接收，其紫外辐射的接收与硅探测器相比，要大两个数量级，并且不需要表面加工处理，可保持长期的稳定性。另外，灵敏度和暗电流在使用温度条件下几乎不受温度变化的影响，可在700K的高温下使用。 随着体单晶及其同质外延SiC材料性能的不断提高，可在不同的沉积条件下用直流溅射法在玻璃底衬的SiC衬底上沉积ITO：TIO和Ni膜，并可由此制成SiC金属-半导体-金属紫外辐射探测器。

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