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紫外光电子器件——氮化物技术及应用内容简介

紫外光电子器件——氮化物技术及应用内容简介

本书全面介绍了基于Ⅲ族氮化物的紫外LED、激光器和探测器的新技术,涵盖不同的衬底及外延方法,InAlGaN材料的光学、电学和结构特性以及各种光电子器件,如UV-LED、紫外激光器和紫外日盲探测器。此外,综述了紫外发光器件和探测的一些关键应用领域,包括水净化、光疗、气敏、荧光激发、植物生长照明和UV固化。

本书含有大量翔实的图表和参考文献,可供读者进一步了解和认识氮化物紫外光电器件及其应用。本书由德国、美国、日本、爱尔兰等国的知名专家共同执笔,各章的作者都在相关领域有着丰富的经验,其对技术发展的独到见解,能够开拓读者思路,为国内氮化物紫外光电子器件的发展提供借鉴和参考。

本书可供电气工程、材料科学、物理学研究生层次的学生、研究人员和科学家,以及将紫外发光器件和探测器用到各种领域的开发人员参考。

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紫外光电子器件——氮化物技术及应用造价信息

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  • 北京华堂立业科技有限公司
  • 2022-12-06
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紫外光灯组

  • N=30KW
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  • 广西绿城环境工程技术有限公司
  • 2022-12-06
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紫外光灯组

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  • 2022-12-06
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紫外光消毒设备

  • Q=300m3/h P=3.52kw
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  • 高新技术产业开发区文华机械设备经营部
  • 2022-12-06
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紫外光消毒设备

  • Q=50m3/h P=0.6kw
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  • 高新技术产业开发区文华机械设备经营部
  • 2022-12-06
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动卷扬机(单快速)

  • 牵引力10kN
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动卷扬机(单快速)

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动卷扬机(单快速)

  • 牵引力10kN
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动卷扬机(单快速)

  • 牵引力10kN
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动卷扬机(单快速)

  • 牵引力10kN
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光电子整流器

  • PLC插拨管 1×13W
  • 400套
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  • 2009-12-30
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光电子支架

  • YZBK-E20A 20W单支
  • 7512根
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光电子整流器

  • T5 1×21W
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  • 2009-12-30
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光电子支架

  • YZBK-E40A 40W单支
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光电子灯架

  • T8/36W
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紫外光电子器件——氮化物技术及应用图书目录

第1章氮化物紫外光电子器件技术及应用概述/001

摘要001

1.1背景002

1.2UV发光器件及其应用003

1.3UV-LED的最新技术和未来挑战004

1.4UV-LED的主要参数和器件性能007

1.5缺陷对UV-LED IQE的作用008

1.6UV-LED的电注入效率和工作电压010

1.7UV-LED的光提取011

1.8UV-LED的热管理与退化012

1.9展望013

1.10小结014

致谢015

参考文献015

第2章AlN体衬底的生长与性能/025

摘要025

2.1AlN晶体的特性与历史026

2.2PVT法生长AlN体单晶:理论027

2.3PVT法生长AlN体单晶:技术029

2.4籽晶生长与晶体长大031

2.5PVT生长AlN体单晶的结构缺陷033

2.6AlN衬底的杂质及相应性质034

2.7结论与展望037

致谢038

参考文献038

第3章蓝宝石衬底上氮化物UV发光器件用AlGaN层气相外延/044

摘要044

3.1简介045

3.2MOVPE生长Al(Ga)N缓冲层046

3.3减少MOVPE生长Al(Ga)N层TDD的技术048

3.4HVPE生长AlGaN层050

3.4.1HVPE技术基础050

3.4.2衬底的选择053

3.4.3HVPE选择生长AlGaN层结果054

3.5小结062

致谢063

参考文献063

第4章AlN/AlGaN生长技术和高效DUV-LED开发/067

摘要067

4.1简介068

4.2DUV-LED研究背景068

4.3蓝宝石衬底上高质量AlN的生长技术073

4.4内量子效率(IQE)的显著提高076

4.5222~351nm AlGaN和InAlGaN DUV-LED080

4.6电注入效率(EIE)通过MQB的增加086

4.7未来高光提取效率(LEE)的LED设计092

4.8小结098

参考文献098

第5章位错和点缺陷对近带边发射AlGaN基DUV发光材料内量子效率的影响/101

摘要101

5.1简介103

5.2实验细节104

5.3杂质和点缺陷对AlN近带边发光动力学的影响107

5.4AlxGa1-xN薄膜的近带边有效辐射寿命112

5.5硅掺杂及引起的阳离子空位形成对AlN模板上生长Al0.6Ga0.4N薄膜近带边发光的发光动力学影响113

5.6小结117

致谢118

参考文献118

第6章UV-LED的光偏振和光提取/122

摘要122

6.1紫外LED光提取123

6.2光偏振125

6.2.1影响AlGaN层光偏振开关的因素127

6.2.2光学偏振与衬底方向的关系130

6.2.3光学偏振对光提取效率的影响132

6.3改善光提取的概念134

6.3.1接触材料与设计134

6.3.2表面制备138

6.3.3封装144

参考文献145

第7章半导体AlN衬底上高性能UVC-LED的制造及其使用点水消毒系统的应用前景/151

摘要151

7.1简介153

7.1.1UVC光源类型153

7.1.2什么是UVC光?153

7.1.3紫外杀菌如何工作?155

7.2AlN衬底上UVC LED的制造156

7.3提升POU水消毒用的UVC-LED性能增益162

7.3.1UVT效应162

7.3.2设计灵活性164

7.3.3流动单元建模165

7.3.4流动分析案例165

7.3.5UVC光的使用168

参考文献169

第8章AlGaN基紫外激光二极管/171

摘要171

8.1简介172

8.2AlN体材上的最高材料质量生长174

8.2.1AlN体衬底174

8.2.2同质外延AlN174

8.2.3AlGaN激光器异质结构175

8.2.4多量子阱有源区176

8.3宽带隙AlGaN材料的大电流能力177

8.4大电流水平下的高注入效率180

8.5光泵浦UV激光器183

8.6紧凑深紫外Ⅲ-N激光器的其他概念186

8.6.1电子束泵浦激光器186

8.6.2InGaN基VECSEL 二次谐波产生187

8.7小结187

致谢188

参考文献188

第9章日盲和可见光盲AlGaN探测器/192

摘要192

9.1简介193

9.2光电探测器基础195

9.2.1特征参数与现象195

9.2.2各种类型的半导体光电探测器202

9.3Ⅲ族氮化物用于固态UV光电检测211

9.3.1AlGaN基光电导体213

9.3.2AlGaN基MSM光电探测器213

9.3.3AlGaN基肖特基势垒光电二极管214

9.3.4AlGaN基PIN光电二极管215

9.3.5AlGaN基雪崩光电探测器217

9.3.6AlGaN基光阴极219

9.3.7高度集成的Ⅲ氮族器件220

9.4宽禁带光电探测器现状221

9.5小结223

参考文献224

第10章紫外LED水消毒应用/234

摘要234

10.1简介235

10.2紫外消毒的基本原则235

10.2.1影响紫外能流的因素237

10.2.2紫外反应器性能的建模与验证239

10.3案例分析240

10.3.1测试紫外LED的实验设置提案241

10.3.2测试条件243

10.3.3使用紫外LED测试的结果246

10.4紫外LED水消毒应用潜力251

致谢252

参考文献252

第11章紫外发光器件皮肤病光疗应用/256

摘要256

11.1简介257

11.2紫外光疗的光源257

11.2.1自然日光258

11.2.2气体放电灯259

11.2.3激光器261

11.2.4UV-LED261

11.3皮肤紫外光疗的变化262

11.3.1补骨脂素加UVA(PUVA)治疗262

11.3.2宽谱UVB(BB-UVB)治疗263

11.3.3窄谱UVB(NB-UVB)治疗264

11.3.4UVA-1治疗265

11.3.5靶向紫外光疗265

11.3.6体外光化学治疗(ECP)266

11.4主要皮肤适应证的作用机制267

11.4.1牛皮癣268

11.4.2特应性皮炎268

11.4.3白癜风269

11.4.4皮肤T细胞淋巴瘤269

11.4.5扁平藓和斑秃269

11.4.6全身性硬化症和硬斑病270

11.4.7移植体抗宿主病270

11.4.8多形性日光疹270

11.5采用新型UV发光器件的临床研究271

11.5.1使用无极准分子灯的研究271

11.5.2使用紫外LED的研究272

11.6总结与展望273

参考文献273

第12章紫外发光器件气体传感应用/281

摘要281

12.1简介282

12.2吸收光谱284

12.3吸收光谱系统288

12.4紫外光谱仪光源291

12.5光谱仪用LED的光学和电学性质295

12.6UV-LED吸收光谱仪的应用298

12.6.1臭氧传感器299

12.6.2臭氧传感器设计299

12.6.3测量配置300

12.6.4结果300

12.6.5SO2和NO2传感器301

12.6.6SO2/NO2气体排放传感器设计301

12.6.7测量配置302

12.7结论与展望303

参考文献304

第13章化学与生命科学中的紫外荧光探测和光谱仪/306

摘要306

13.1简介307

13.2荧光检测和光谱仪的基础和装置308

13.3实验室分析仪器用荧光313

13.4环境监测和生物分析用荧光化学传感315

13.5用自发荧光探测微生物322

13.6皮肤病医疗诊断用荧光326

13.7总结与展望329

参考文献329

第14章UVB诱导次生植物代谢物/339

摘要339

14.1次生植物代谢物的本质和形成340

14.2次生植物代谢物的营养生理学341

14.3水果蔬菜消费与慢性病的关系342

14.4植物-环境相互作用中的次生植物代谢物342

14.4.1植物的UVB感知和信令342

14.4.2UVB应激源及植物生长调节剂344

14.5结构分化UVB响应345

14.5.1类黄酮和其他酚类346

14.5.2硫代葡萄糖苷349

14.6定制的UVB-LED次生植物代谢物UVB诱导351

14.6.1研究现状:UVB-LED用于植物照明351

14.6.2UVB-LED针对性植物属性触发的优势352

14.6.3UVB-LED针对性植物属性触发实验装置353

14.7展望354

参考文献354

第15章紫外LED固化应用/365

摘要365

15.1简介366

15.2光源367

15.3化学机制368

15.4动力学371

15.5医学应用372

15.6涂层、油墨和印刷375

15.7光固化快速成型377

15.8结论与展望378

参考文献379

专业术语中英文对照表383

单位换算表400

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紫外光电子器件——氮化物技术及应用内容简介常见问题

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紫外光电子器件——氮化物技术及应用内容简介文献

光电探测器件-光电子探测成像器件的设计 光电探测器件-光电子探测成像器件的设计

光电探测器件-光电子探测成像器件的设计

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光电探测器件-光电子探测成像器件的设计

肖特基型氮化镓紫外光电探测器性能 肖特基型氮化镓紫外光电探测器性能

肖特基型氮化镓紫外光电探测器性能

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最小标准模型(MSM)结构的光电探测器主要分为光导型和肖特基型两种。制备得到了肖特基型的氮化镓(GaN)MSM结构紫外光电探测器,采用这种结构的器件主要是因为其暗电流低、响应时间快、响应度大、寄生电容小等优点。MSM形状的叉指电极是通过传统的紫外光刻和湿法刻蚀得到的,并采用Au作为金属电极。得到的肖特基型GaN紫外光电探测器的暗电流在1 V偏压下为3.5 nA,器件在1 V偏压下的最大响应度值出现在362 nm处,大小为0.12 A/W,器件的上升时间小于10 ns,下降时间为210 ns。并对器件响应时间的影响因素进行了深入的分析。

常用电子器件原理及典型应用内容介绍

《常用电子器件原理及典型应用》汇集了在电气工程、电子技术、仪器仪表、自动控制、通信技术等许多学科领域中广泛应用的多种新型的电子器件,简明扼要地论述了其结构原理、主要特性、应用方法和典型实例等。

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常用电子器件及典型应用内容简介

本书主要以图解形式介绍现代电子器件的基本知识、原理、识别及在不同领域、不同环境中的典型应用。其特点以现代器件为例,介绍它们在新产品或高技术产品中的使用,突出应用实例与效果。

本书适合广大电子技术初学者、深造者、电子爱好者、电器设计者及相关院校师生参考。

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LED紫外光源发展及应用探讨分析

由中国LED行业机构举办的全国紫外线光源及装置技术研讨会2014年12月15日-16日在无锡举办。会上共同探讨了紫外线光源及装置的发展动向和LED紫外光源发展及应用等热点问题。

十几个研究报告包括紫外辐射、紫外杀菌消毒、紫外水处理、紫外固化、紫外杀虫诱虫、动植物专用紫外补钙等技术领域的发展趋势、产品设计与研发、控制与测试技术等方面。

气体放电和固态紫外光源特性的综合比较,借用数据表示,2012年全球UV市场容量为3.5亿美元,2017年有望达到近8亿美元,其中,UVLED将从2012年的13%占比升至2017年的35%,达到2.69亿美元。另外,复旦电光源研究所的大功率紫外LED光固化系统已研发出系列样机,实线产业化,还获得了2014年工博会高校展区优秀展品奖特等奖。张所长十分看好紫外光源行业,表示行业前景光明,固态紫外光源是照明行业的“新蓝海”。

在UVA市场的70%是固化应用,其中>90%是380nm+。印刷固化应用的市场份额为60%;工业应用市场份额为30%;粘结固化市场份额为10%。

固化系统相关产品在2012年的市场营业收入超过14亿美元。

UVA市场的年平均增长幅度超过40%。

随着消费者对纯白视觉的追求,UVA将迎来爆发性的增长。

目前,Nichia是365nm产品系列中的王者;

随着SemiLEDs新型油墨的应用推广,将使得固化应用市场的客户从365nm转为380nm+;

自2013年起,LGIT在385nm+产品上取得飞速的发展,从SemiLEDs手中夺取了相当的市场份额;

LG、Seoul和Nichia建立了完整的从UVA到UVC的产品线。

在2012年,传统UV灯管的销售数量达到3320万只,营业额达到4.954亿美元。UVLED业务从2011年的4500万美元将会迅猛增长到2017年的2.7亿美元,在此期间,UVLED市场将增长6倍,而同期的低压紫外汞灯的增长仅仅只有1.6倍。市场应关注:UV灯具的应用必须适应与其各个波长段的功能以及其光学效率的提升,固化市场是唯一一个全方位和全周期的应用产品市场。

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