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free dielectric constant,压电体在恒定应力或应力为零(自由状态)时的介电常数。
自由介电常数free dielectric constant压电体在但足ri力或应力为零(自由状态少时的介电常数。用。Tam表示。。TE mn的上标7.表示应力恒定,。、二、分别为电位移分量和电场强度分量的方向。。~是二阶对称张量,有六个独立张量元。随晶体对称性增高,其独立的。。n的数目减少。压电陶瓷只有。,:和。:。两个独立的介电常数,因此相应的自由介电常数只有ey和F 3两个。由于压电材料的各向异性,其介电常数是张量,并具有分量。通常测试频率远低于基波谐振频率时测得的介电常数是自由介电常数。它是压电材料等效电路参数之一,对压电材料和元件的评价和使用具有重要意义。
25℃时水介电常数78.36F/m介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场,原外加电场(真空中)与介质中电场的比值即为相对介电常数(relative permittivity或dielectric c...
表征介质在外电场作用下极化程度的物理量叫介电常数.(在交变电场作用下,介质的介电常数是复数,虚数部分反映了介质的损耗).实际上,介电常数并不是一个不变的数,在不同的条件下,其介电常数也不相同.介电常数...
介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场,原外加电场(真空中)与介质中电场的比值即为相对介电常数(relative permittivity或dielectric constant),又称诱电率,与频...
钡镧钛系列高介电常数陶瓷研究
采用固相烧结法制备了BaO-La2O3-nTiO2(n=3,4,5和6,BLT)微波介质陶瓷。研究了TiO2含量以及添加Bi2O3和SrTiO3对所制BLT陶瓷的微观结构及介电性能的影响。结果表明:当n=4时,BLT陶瓷晶体结构致密。当n=5并添加Bi2O3和SrTiO3进行改性,所制BLT陶瓷的相对介电常数εr从93增大到210,介质损耗tanδ从2.5减小到1.2,电容温度系数αc向负方向移动。
基于介电常数沥青路面均匀性评价
现有沥青路面均匀性评价方法由于工作量原因局限于小范围检测评价,无法进行长距离大面积的评价。通过分析沥青路面离析现象的存在位置与频率,结合三维探地雷达与无核密度仪检测工作效率,提出两者最佳检测区间长度。根据三维探地雷达与无核密度仪检测原理提出检测控制因素。通过实地检测获得新建沥青路面介电常数与空隙率数据,采用多层前向反馈神经网络构建沥青路面介电常数与空隙率的关系,确定沥青路面介电常数离析阈值;进而实现通过介电常数进行长距离大面积的沥青路面均匀性评价工作。
介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场,原外加电场(真空中)与最终介质中电场比值即为相对介电常数(relative permittivity 或 dielectric constant),又称诱电率,与频率相关。介电常数是相对介电常数与真空中绝对介电常数乘积。如果有高介电常数的材料放在电场中,电场强度会在电介质内有可观的下降。理想导体的相对介电常数为无穷大。
根据物质的介电常数可以判别高分子材料的极性大小。通常,相对介电常数大于3.6的物质为极性物质;相对介电常数在2.8~3.6范围内的物质为弱极性物质;相对介电常数小于2.8为非极性物质。
介电常数频谱又称介电谱。复介电常数随电磁场频率而变化的现象,一般分别做出实部ε´(ω)频谱和虚部ε"(ω)频谱。介电常数频谱可以给出有关极化机制和晶格振动等重要信息 。
近十年来,半导体工业界对低介电常数材料的研究日益增多,材料的种类也五花八门。然而这些低介电常数材料能够在集成电路生产工艺中应用的速度却远没有人们想象的那么快。其主要原因是许多低介电常数材料并不能满足集成电路工艺应用的要求。图2是不同时期半导体工业界预计低介电常数材料在集成电路工艺中应用的前景预测。
早在1997年,人们就认为在2003年,集成电路工艺中将使用的绝缘材料的介电常数(k值)将达到1.5。然而随着时间的推移,这种乐观的估计被不断更新。到2003年,国际半导体技术规划(ITRS 2003[7])给出低介电常数材料在集成电路未来几年的应用,其介电常数范围已经变成2.7~3.1。
造成人们的预计与现实如此大差异的原因是,在集成电路工艺中,低介电常数材料必须满足诸多条件,例如:足够的机械强度(MECHANICAL strength)以支撑多层连线的架构、高杨氏系数(Young's modulus)、高击穿电压(breakdown voltage>4MV/cm)、低漏电(leakage current<10^(-9) at 1MV/cm)、高热稳定性(thermal stability>450oC)、良好的粘合强度(adhesion strength)、低吸水性(low moisture uptake)、低薄膜应力(low film stress)、高平坦化能力(planarization)、低热涨系数(coefficient of thermal expansion)以及与化学机械抛光工艺的兼容性(compatibility with CMP process)等等。能够满足上述特性的低介电常数材料并不容易获得。例如,薄膜的介电常数与热传导系数往往就呈反比关系。因此,低介电常数材料本身的特性就直接影响到工艺集成的难易度。
在超大规模集成电路制造商中,TSMC、 Motorola、AMD以及NEC等许多公司为了开发90nm及其以下技术的研究,先后选用了应用材料公司(Applied Materials)的 Black Diamond 作为低介电常数材料。该材料采用PE-CVD技术[8] ,与现有集成电路生产工艺完全融合,并且引入BLOk薄膜作为低介电常数材料与金属间的隔离层,很好的解决了上述提及的诸多问题,是已经用于集成电路商业化生产为数不多的低介电常数材料之一。