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AD712技术特征

2018/06/19327 作者:佚名
导读: 交流性能±0.01%建立时间:1.0 µs 压摆率:16 V/µs(最小值,AD712J单位增益带宽:3 MHz(最小 值,AD712J)直流性能失调电压:0.30 mV(最大值,AD712C) 漂移:5 µV/°C(最大值,AD712C) 开环增益:200 V/mV(最小值,AD712K) 噪声:4 µV p-p(最大值,0.1 Hz至10 Hz,AD712C) 表贴封装产品依据EIA-4

交流性能±0.01%建立时间:1.0 µs 压摆率:16 V/µs(最小值,AD712J

单位增益带宽:3 MHz(最小 值,AD712J)

直流性能失调电压:0.30 mV(最大值,AD712C) 漂移:5 µV/°C(最大值,AD712C) 开环增益:

200 V/mV(最小值,AD712K) 噪声:4 µV p-p(最大值,0.1 Hz至10 Hz,AD712C) 表贴封装产

品依据EIA-481A标准提供卷带和卷盘形式

LF412的增强型替代产品

提供符合MIL-STD-883标准的器件 单通道版本:AD711 四通道版本:AD713 提供小型塑封DIP、

塑封SOIC和密封CERDIP封装

下载AD712-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 军用温度范围(−55°C至+125°C) 受控制造基线 唯一封装/测试厂

唯一制造厂增强型产品变更通知认证数据可应要求提供

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