采用磁控溅射的方法制备了Ta/NiFe/Ta磁电阻薄膜，分别将CoFe-NOL和Al2O3插层引入NiFe薄膜，研究纳米氧化。

层(NOL)对NiFe薄膜性能的影响.实验结果表明;将CoFe-NOL引入NiFe薄膜，CoFe-NOL对NiFe薄膜性能有重要影响，并且CoFe-NOL在薄膜中的位置不同影响效果也不同;CoFe-NOL处于Ta/NiFe界面时，由于破坏了NiFe薄膜的织构，导致了NiFe薄膜的各向异性磁电阻(AMR)值的减小和矫顽力的上升CoFe-NOL处于NiFe/Ta界面时，则不会破坏NiFe薄膜的织构，其AMR值和矫顽力基本没有变化。将Al2O3插层引入NiFe薄膜，由于Al2O3插层的"镜面反射"作用，合适厚度的Al2O3插层可以改善薄膜的微结构，提高薄膜的磁电阻值，改善薄膜的磁性能。当Al2O3插层厚度为1.5 nm时，NiFe薄膜有最佳的微结构和性能。