图三、双稳态的设计电路
双稳态设计电路见表二
表二 | 双稳态电路的设计公式及计算实例 | |
要求 | 输出幅度Um=6V;上升时间，tr≤100nS;最高工作频率fmax=1MHz | |
选择CrRr:RrCr≤1/2fmax,通常Cr为几十pF;现选Cr=51pF ∴Rr≤1/6×1051×10=3.2k 故选Rr=2.4k
计算Rc:
Rc<Ec/ED tr/CL CL为集电极对地的电容(包括加速电容、分布电容、后级输入电容);
现设CL=180pF Rc<12/6 100×10/180×10=1.1kΩ
选择加速电容CK:
对合金管CK为几百pF对高频外延管CK为几十pF;现选Ck=51pF 计算结果标在图三中
计算Rk:
为保证可靠截止，应满足: Uces-[(EB+Uces)/(RK+RB)]RKRK]-[(EB+Ubes)/RB]}>[(Ec-Uces)/Rc]+IL 式中:Uces为饱和电压，对硅管Uces≈(0.3~0.4)V Ubeo为截止管临界电压，Ubeo≈0.2V Uco为截止管的集电极电压，应取:Uco=ED+(箝位管正向压降)IL为双稳电路灌入负截电流
计算RB:
现选Uces=0.4V,Ubeo=0.2V 0.4-[(12+0.4)/(Rk+RB)]Rk<0.2 ∴RBRK]-[(12+0.7)/RB]>[(12-0.4)/1]+10 ∴RB>12.7RK/(5.7-0.43RK (B) 若选RK=6.8k由(A)算得RB31K，故选RB=39K
选择电源电压
图3为设计电路，故应确定ED、EC、EB;∵采用箝位电路，故选ED≈Um ∴ED=6V，Ec=2ED=12v,Eb=-12
选择晶体管
若工作频率高时，应选用高速硅开关管若工作频率低可选用低频硅或锗管;现选3DK，β=50 二极管选用2CK10
