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半导体应变计中用薄膜作敏感栅的称为薄膜应变计。它是将金属、合金或半导体材料，用真空镀膜、沉积或溅射方法，在绝缘基底上制成一定形状的薄膜，其厚度从几十纳米至几万纳米不等。此外，还有灵敏系数很大的p-n结半导体应变计和压电场效应应变计。 这种应变计是通过规定的掩板在表面有绝缘层的金属材料或玻璃等无机材料上溅射或沉积一层电阻材料薄膜制成的，也可采用光刻方法制造。还可直接将电阻材料沉积在传感器的弹性敏感元件上，达到更佳的效果。
