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半导体电阻率决定因素

2018/06/19378 作者:佚名
导读: 晶向 电阻率与晶向有关。对于各向异性的晶体,电导率是一个二阶张量,共有27个分量。特别的,对于Si之类的具有立方对称性的晶体,电导率可以简化为一个标量的常数(其他二阶张量的物理量都是如此)。 载流子 电阻率的大小决定于半导体载流子浓度n和载流子迁移率μ:ρ=1/ nqμ。对于掺杂浓度不均匀的扩散区的情况,往往采用平均电导率的概念;在不同的扩散浓度分布(例如高斯分布或

晶向

电阻率与晶向有关。

对于各向异性的晶体,电导率是一个二阶张量,共有27个分量。

特别的,对于Si之类的具有立方对称性的晶体,电导率可以简化为一个标量的常数(其他二阶张量的物理量都是如此)。

载流子

电阻率的大小决定于半导体载流子浓度n和载流子迁移率μ:ρ=1/ nqμ。

对于掺杂浓度不均匀的扩散区的情况,往往采用平均电导率的概念;在不同的扩散浓度分布(例如高斯分布或余误差分布等)情况下,已经作出了平均电导率与扩散杂质表面浓度之间的关系曲线,可供查用。

*文章为作者独立观点,不代表造价通立场,除来源是“造价通”外。
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