决定电阻率温度关系的主要因素是载流子浓度和迁移率随温度的变化关系。

由于载流子浓度指数式增大(施主或受主杂质不断电离)，而迁移率也是增大的(电离杂质散射作用减弱之故)，所以这时电阻率随着温度的升高而下降。

由于施主或受主杂质已经完全电离，则载流子浓度不变，但迁移率将随着温度的升高而降低(晶格振动加剧，导致声子散射增强所致)，所以电阻率将随着温度的升高而增大。

这时本征激发开始起作用，载流子浓度将指数式地很快增大，虽然这时迁移率仍然随着温度的升高而降低(晶格振动散射散射越来越强)，但是这种迁移率降低的作用不如载流子浓度增大的强，所以总的效果是电阻率随着温度的升高而下降。

半导体开始本征激发起重要作用的温度，也就是电阻率很快降低的温度，该温度往往就是所有以pn结作为工作基础的半导体器件的最高工作温度(因为在该温度下，pn结即不再存在);该温度的高低与半导体的掺杂浓度有关，掺杂浓度越高，因为多数载流子浓度越大，则本征激发起重要作用的温度--半导体器件的最高工作温度也就越高。所以，若要求半导体器件的温度稳定性越高，其掺杂浓度就应该越大。