1.什么是巨磁电阻?

答:在通有电流的金属或半导体上施加磁场时，其电阻值将发生明显变化，这种现象称为磁致电阻效应，也称磁电阻效应(MR).目前，已被研究的磁性材料的磁电阻效应可以大致分为:由磁场直接引起的磁性材料的正常磁电阻(OMR，ordinaryMR)、与技术磁化相

联系的各向异性磁电阻(AMR，anisotropi。MR)、掺杂稀土氧化物中特大磁电阻(CMR，ColossalMR)、磁性多层膜和颗粒膜中特有的巨磁电阻(GMR，giantMR)以及隧道磁电阻(TMR，tunnelMR)等.

巨磁电阻简而言之就是电阻值对磁场变化巨敏感的一种电阻材料。从论文里看具体的关系是在没有外加磁场时材料程高阻态，有外加磁场(与极性无关)时程低阻态。

2.为什么巨磁电阻效应能应用到计算机硬盘上?

答:计算机硬盘的常用材料是磁性材料，磁头在写数据的时候改变硬盘表面磁性材料单元的极性以记录0和1，在读取数据的时候，需要探头能够识别表面单元的极性，这时就可以用巨磁电阻---考虑一个用巨磁电阻做的探头从一个单元移到另一个单元的过程，如果两个单元表面极性相同，那么探头表面的磁场强度似乎(我也不确切了解这方面原理，只是推测)应当变化不大，于是探头的电阻变化也不大;如果两个单元表面极性相反，那么探头表面的磁场强度似乎应当经历一个从大到小再到大的过程，于是探头的电阻值会出现一个尖峰(探测电阻很容易，只需要加恒定压测电流)。只需要判断有没有这个尖峰出现就可以知道相邻两个单元的极性是否不同，再由某个已知极性的单元就可以推断当前单元的极性。电阻随磁场的变化越剧烈，探头的分辨率必然越好，于是会导致单位面积的硬盘容量越来越大，因此有必要对巨磁电阻理论的创始人心存感恩。

哪些材料能够产生巨磁电阻效应

1,在掺杂钙钛矿型锰氧化物R1-xAxMnO3中发现巨磁电阻(GMR)， 其中1989年在掺杂钙钛矿型锰氧化物R1-xAxMnO3(其中A为二价碱土金属离子，如Ca2+、Sr2+、Ba2+等，R为三价稀土金属离子，如La3+、Pr3+、Tb3+、Sm3+等)中发现巨磁电阻(GMR)，由于其在磁记录、磁传感器等方面潜在的应用前景，以及金属-绝缘体相变等所涉及的强关联效应，使该类化合物吸引了物理学界的广泛注意。2,钙钛矿型锰氧化物La1-xCaxMnO3具有较大的磁热效应七十年代末至八十年代初，人们在半导体材料以及顺磁材料中发现了由量子相干效应(由于无序而加强的载流子库仑相互作用)导致的正磁电阻，并建立了一套基于无序的理论来解释所观察到的实验现象。去年, Manyala在Fe1-XCoXSi中首次观察到铁磁材料中的由量子相干效应导致的正磁电阻。另一方面，人们又在1997年首次发现钙钛矿型锰氧化物La1-xCaxMnO3具有较大的磁热效应后[40,41]，钙钛矿型锰氧化物的磁热效应引起了人们的注意。3,La07Pb03MnO3单晶样品的由量子相干效应导致的正磁电阻效应、A05Sr05MnO3 (A= Pr, Nd) 的巨磁热效应、多晶锌铁氧体和多晶NiXFe1-XS的巨磁电阻效应