1MHZ以内，以差模干扰为主。

①增大X电容量;

②添加差模电感;

③小功率电源可采用 PI 型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。

1MHZ-5MHZ，差模共模混合，采用输入端并联一系列 X 电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决，

①对于差模干扰超标可调整 X 电容量,添加差模电感器，调差模电感量;

②对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制;

③也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如 FR107 一对普通整流二极管1N4007。

5M以上，以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。

对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕 2-3 圈会对 10MHZ 以上干扰有较大的衰减作用; 可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔, 铜箔闭环. 处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。

20-30MHZ，

①对于一类产品可以采用调整对地Y2 电容量或改变Y2 电容位置;

②调整一二次侧间的Y1 电容位置及参数值;

③在变压器外面包铜箔;变压器最里层加屏蔽层;调整变压器的各绕组的排布。

④改变PCB LAYOUT;

⑤输出线前面接一个双线并绕的小共模电感;

⑥在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数;

⑦在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE;

⑧在变压器的输入电压脚加一个小电容。

⑨可以用增大MOS驱动电阻.

30-50MHZ，普遍是MOS管高速开通关断引起。

①可以用增大MOS驱动电阻;

②RCD缓冲电路采用1N4007 慢管;

③VCC供电电压用1N4007 慢管来解决;

④或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感;

⑤在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路;

⑥在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE;

⑦在变压器的输入电压脚加一个小电容;

⑧PCB心LAYOUT 时大电解电容，变压器，MOS构成的电路环尽可能的小;

⑨变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。

50-100MHZ，普遍是输出整流管反向恢复电流引起。

①可以在整流管上串磁珠;

②调整输出整流管的吸收电路参数;

③可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,如PIN脚处加BEAD CORE或串接适当的电阻;

④也可改变MOSFET，输出整流二极管的本体向空间的辐射(如铁夹卡MOSFET; 铁夹卡DIODE，改变散热器的接地点);

⑤增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射。

200MHZ以上，开关电源已基本辐射量很小，一般可过EMI标准。

补充说明:

开关电源高频变压器初次间一般是屏蔽层的，以上未加缀述。开关电源是高频产品，PCB的元器件布局对EMI,请密切注意此点。

开关电源若有机械外壳，外壳的结构对辐射有很大的影响，请密切注意此点。主开关管、主二极管不同的生产厂家参数有一定的差异，对 EMC 有一定的影响，请密切注意此点