电路均由增强型 NMOS 管构成，T1、T3和 T2、T4两个反相器交叉耦合构成触器。电路采用二元寻址，当字线 Xi和 Yj均为高电平时，T5~T8均导通，则该单元选中，若此时R/ W为1，则电路为读出态，三态门G1、G2被禁止，三态门G3工作，存储数据经数据线 D，通过三态门 G3至 I/O 引脚输出。若 R/ W 为 0，则三态G1、G2工作，三态门 G3被禁止，由 I/O 输入数据经 G1、G2便写入存储单元。

静态MOS-RAM(简称 SRAM)

SRAM产品种类繁多，在容量与功耗等指标上有很宽的覆盖面，可供不同的场合应用，但基本电路结构大同小异。图4是W2114 SRAM(1K*4位)，这是一种典型结构，5H2112(256*4)和美国的HM6116(2K*8)位都是采用这种结构。它采用HC-MOS工艺(H表示高速)，所以，具有高速、低耗、单一5V电源、外围电路简单、输入输出引脚公用、三态输出、使用非常简单以及存取时间短(为100ns)的特点。

CS为选通端， WE 为写使能控制端，A0~A9为地址，I/O1~I/O4为输入/输出。显然可见为二元寻址和三态输出结构。 CS为低电平有效，电路选通之后，若要写入操作，则令 WE =0，输入三态门被选通(高电平有效)，数据通过输入控制电路被写入;与此同时，输出三态门关闭，切断了输出与数据总线的联系。若要读出，则令 WE =1，输入三态门关闭而输出三态门被选通，因而存储数据被读出。功能表示于下表。