粗 、中、细SiC的配方应为5：1：4。制造碳化硅砖原料一般选用黑色SiC，其化学成分如下：SiC 98.0%，游离C 0.5%，Fe 0.2%，游离SiO₂ 0.6%。由于结合方式不同，工艺过程有差异。不同结合方式的简要工艺是：

(1)氮化硅结合碳化硅砖：用粗、中、细碳化硅颗粒和细硅粉成型的坯体，在纯N₂气体中，在1370℃产生一种以&α-SiC为骨架和以&α和&β-Si₃N₄。为基质的氮化硅结合碳化硅砖。在基质中尚有少量残留硅和SiO2N2在制品中，这些组分的相对含量随制造工厂不同而异。

(2)结合碳化硅砖：将SiC、硅粉、炭粉按一定配比，混合、成型，在1400℃还原气氛中烧成。在大多数情况下采用埋炭烧成。在烧成过程中，产生一种以&α-SiC为骨架，以细晶粒&β-SiC为基质的&β-Si₃N₄结合SiC砖。&β-SiC是在烧成过程中，细硅粉与细碳粉反应生成的，这种产品也含有少量残留硅和碳。

(3)氧氮化硅结合碳化硅砖：这种砖配料时，细硅粉配比要少于碳化硅。