MOS管的等效电路模型及寄生参数如图2所示。图2中各部分的物理意义为：
（1）LG和RG代表封装端到实际的栅极线路的电感和电阻。
（2）C1代表从栅极到源端N+间的电容，它的值是由结构所固定的。
（3）C2+C4代表从栅极到源极P区间的电容。C2是电介质电容，共值是固定的。而C4是由源极到漏极的耗尽区的大小决定，并随栅极电压的大小而改变。当栅极电压从0升到开启电压UGS（th）时，C4使整个栅源电容增加10%～15%。
（4）C3+C5是由一个固定大小的电介质电容和一个可变电容构成，当漏极电压改变极性时，其可变电容值变得相当大。
（5）C6是随漏极电压变换的漏源电容。
MOS管输入电容（Ciss）、跨接电容（CRSS）、输出电容（Coss）和栅源电容、栅漏电容、漏源电容间的关系如下：
