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mos晶体管转移特性

2018/06/19306 作者：佚名
导读： 将MOS晶体管的栅漏连接，因为VGS=VDS，所以，VDS>VGS-VTN， 导通的器件一定工作在饱和区。这时，晶体管的电流-电压特性应遵循饱和区的萨氏方程：IDS=KN/2•W/L•(VGS-VTN)2(1+λVDS)即平方律关系。4种MOS晶体管的平方律转移特性如图所示，这样的连接方式在许多设计中被采用。

将MOS晶体管的栅漏连接，因为VGS=VDS，所以，VDS>VGS-VTN， 导通的器件一定工作在饱和区。这时，晶体管的电流-电压特性应遵循饱和区的萨氏方程：

IDS=KN/2•W/L•(VGS-VTN)2(1+λVDS)

即平方律关系。4种MOS晶体管的平方律转移特性如图所示，这样的连接方式在许多设计中被采用。

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