第1章 器件与工艺技术物理基础

1.1 能带概念

1.2 本征半导体与态密度

1.3 施主与受主

1.4 杂质电离

1.5 载流子的运动

1.6 p-n结

1.7 p-n结击穿

1.8 异质结

第2章 光电子器件的基本结构及其关键制作工艺

2.1 激光二级管的基本结构和制作

2.2 光电探测器的结构和制作

2.3 半导体放大器的结构和制作

2.4 光调制器的结构与制作

2.5 半导体光开关的结构和制作

2.6 集成光电子器件的结构和制作

第3章 光电子器件的材料制备技术

3.1 基底片制备

3.2 光电子器件用Si基材料的制备

3.3 光电子器件用Ⅲ-V族化合物半导体材料和外延生长

3.4 Ⅲ-V族化合物的液相外延生长

3.5 Ⅲ-V族化合物的卤化物输运汽相外延生长

3.6 金属有机化合物汽相淀积

3.7 分子束外延生长

3.8 化学束外延生长

3.9 原子层、分子层外延生长

3.10 Ⅲ-V族化合物低维半导体材料的制备技术

3.11 光子晶体薄膜有其制备

3.12 异质材料的晶片键合技术

3.13 光电子器件外延层质量检测

第4章 光电子器件制作中的光刻和腐蚀

第5章 光电子器件的掺杂技术

第6章 光电子器件中的介质薄膜及其制备

第7章 光电子器件的电极金属膜及其制备

第8章 光电子器件和组件的组装和封装

第9章 光电子器件在制作和使用中引入缺陷及其缺陷控制和检测

附录 英文缩写词

参考文献