功率场效应晶体管及其特性

一、 功率场效应晶体管是电压控制器件，在功率场效应晶体管中较多采用的是V沟槽工艺，这种工艺生产地管称为VMOS场效应晶体管，它的栅极做成V型，有沟道短、耐压能力强、跨导线性好、开关速度快等优点，故在功率应用领域有着广泛的应用，出现一种更好的叫TMOS管，它是在VMOS管基础上改进而成的，没有V形槽，只形成了很短的导通沟槽。

二、 功率场效应晶体管的基本参数及符号

1.极限参数和符号

(1) 漏源极间短路时，栅漏极间的耐压VGDS

(2) 漏源极间开路时，栅漏极间的耐压VGSO

(3) 栅源极在规定的偏压下，漏源极间耐压VDSX

(4) 击穿电压BVDS

(5) 栅极电流IG

(6) 最大漏电极耗散功率PD

(7) 沟道温度TGH，存储温度TSTG

2.电气特性参数和符号

(1) 栅极漏电电流IGSS

(2) 漏极电流IDSS

(3) 夹断电压VP

(4) 栅源极门槛极电压VGS(th)

(5) 导通时的漏极电流ID(on)

(6) 输入电容Ciss

(7) 反向传输电容Crss

(8) 导通时的漏源极间电阻RDS(on)

(9) 导通延时时间td(on)

(10)上升时间tr

(11)截止延时时间td(off)

(12)下降时间tf

这些参数反映了功率场效应晶体管在开关工作状态下的瞬间响应特性，在功率场效应晶体管用于电机控制等用途时特别有用。