硫化铅探测器是1um~3um波段应用很广的器件。硫化铅探测器一般为多晶薄膜结构。是光电导型器件，有单元和多元线列器件，镶嵌结构可多达2000元。硫化铅探测器的阻值适中，响应率高，可以在常温工作，使用方便;在低温工作时，性能有所提高(图1-5)。硫化铅探测器的主要缺点是响应时间常数较大，电阻温度系数大。目前，硫化铅探测器在红外探测、制导、引信、跟踪、预警、测温等领域大量使用。由于硫化铅探测器工作在短波红外(1um~3um)，所以适合对高温目标(如导弹和喷气式飞机的喷口尾焰)探测。

硒化铅探测器是薄膜光电导型器件，工作在3um~5um波段，有单元和多元器件，可以在常温工作，其性能随工作温度降低有所提高，可以用半导体制冷器制冷。工作温度在200K左右时，是3um~5um波段的首选器件。

工作在3um~5um波段，有光电导型与光伏型两种。光电导型器件可以在常温工作，但性能稍低，不如低温时高。常用锑化铟探测器工作在77K，以光伏型为主，有单元、多元器件，线列可长达256元以上。锑化铟探测器的灵敏度高、响应速度快，是目前3um~5um波段最成熟、应用最广的探测器，广泛用于热成像、制导、跟踪、探测、告警等。用于制导时可以迎头或全方位攻击空中目标。

锗掺杂探测器是一种杂质光电导探测器，以锗材料为基体，掺入不同杂质会有不同的响应波长。锗掺杂探测器工艺简单、灵敏度高。在碲镉汞探测器成熟之前(约20世纪60年代末)，锗掺汞是工作在8um~14um的主要长波探测器。为了减少热激发的影响，长波锗掺杂器件必须在很低温度下工作，一般在30K以下，由于制冷比较困难，因此限制了硅掺杂探测器的应用。

硅掺杂探测器也是一种杂质光电导探测器，以硅材料为基体，掺入不同杂质会有不同的响应波长，因为硅掺杂探测器必须工作在很低的温度，应用受到限制。但由于硅掺杂探测器可以和Si信号处理器电路单片集成，受到一定重视。