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随着IL的集成度提高,对硅材料的内在质量与几何尺寸要求愈来愈高,包括杂质含量、缺陷密度、友 0.i清洁度、儿何精度、硅片直径等。根据电路种类,对硅材华本要求如下表:
对超大规模集成电路,器件尺寸达微米,须使川外延片制作、随着集成度提高,管芯面积增大,制作_1.序增多,用更大尺寸直径的硅片能获更大经济效益。