摘要：基于Gibbs自由能最小原理，对SiHC13法生产电子级多晶硅闭环工艺的3个反应子系统分别进行了化学反应

平衡计算，重点对SiHC1 还原反应子系统进行了热力学分析．对于SiHC13还原反应子系统，适宜的操作温度为

l 323 l473 K，压力为0．1 MPa；温度高于l 323 K，H2/SiHC13比大于6．6，低压下有利于SiHC13还原生产多晶硅．针

对传统的SiHCI3还原需要高温下电加热给过程操作带来的诸多不便，提出了用cl2部分氧化使SiHCI3还原反应体系

实现能量耦合的新工艺，即反应过程不需外部加热就可完成，从而节约电耗，同时还发现平衡时体系中加入的cl2能

反应完全，不会影响后序工艺的进行．对于SiCh转化反应子系统，高压、低H2/SiCh比有利于生成SiHC13．

关键词：多晶硅；生产工艺；化学反应平衡