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硒化铊(I)性质与稳定性

2018/06/19117 作者:佚名
导读: 常温常压下稳定避免的物料: 氧化物 酸。不溶于水和醋酸,溶于其他酸类。Tl2Se半导体薄膜能用于整流器部件中。硒化铊(Ⅰ)具有四面体的结构,在晶胞中有十个分子(a0=0.854nm,c0=1.271nm)。熔融的Tl2Se是半导体。在Tl—Se体系相应于Tl2Se的组成时电导率极小。在该组成处绝对温差电势率能改变它的符号。用电子散射模型可解释这些结果。

常温常压下稳定

避免的物料: 氧化物 酸。不溶于水和醋酸,溶于其他酸类。Tl2Se半导体薄膜能用于整流器部件中。硒化铊(Ⅰ)具有四面体的结构,在晶胞中有十个分子(a0=0.854nm,c0=1.271nm)。熔融的Tl2Se是半导体。在Tl—Se体系相应于Tl2Se的组成时电导率极小。在该组成处绝对温差电势率能改变它的符号。用电子散射模型可解释这些结果。

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