(一) 制程种类
(1) 电弧放电法(ElectricArcDischarge)
(2)雷射蒸发法(LaserAblation)
 |
| 雷射蒸发法 |
 |
| 电弧放电法 |
(3) 化学气相沈积法(ChemicalVaporDeposition)
(a) ThermalCVD
(b) MPECVD(MicrowavePlasmaEnhanceCVD)
(c) ECRCVD(ElectrocycrotonResonanceCVD)
 |
| CVD成长机制 |
 |
| 化学气相沉法 |
(二) CVD成长机制
(三) 各种制程比较
目前奈米碳管的合成技术包括号放电法、电射溅镀法(laserablation)、化学气相沈积法(chemicalvapordeposition,CVD)等。其中利用CVD来合成奈米碳管所需的温度较低，且可进行选区寻址成长，并可整合制造场发射器所需之其它结构以及控制电路，目前为制作奈米碳管场发射显示器最主要的技术之一。由于选区寻址成长技术是制造奈米碳管场发射器所必须，因此也成为目前极为热门的研究重点之一。
 |
| 比较表1 |
