造价通
反馈
取消

热门搜词

造价通
取消 发送 反馈意见

建设工程知识

LED晶圆制作流程

2018/06/19102 作者：佚名
导读：衬底>>结构设计>>缓冲层生长>>N型GaN层生长>>多量子阱发光层生长>>P型GaN层生长>>退火>>检测（光荧光、X射线）>>晶圆片 晶圆>>设计、加工掩模版>>光刻>>离子刻蚀>>N型电极（镀膜、退火、刻蚀）>>P型电极（镀膜、退火、刻蚀）>>划片>>晶粒分检、分级（小汤） 多量子阱型是在芯片发光层的生长过程中，掺杂不同的杂质以制造结构不同的量子阱，通过不同量子阱发出的多种光子复合直接发出白

衬底>>结构设计>>缓冲层生长>>N型GaN层生长>>多量子阱发光层生长>>P型GaN层生长>>退火>>检测（光荧光、X射线）>>晶圆片

晶圆>>设计、加工掩模版>>光刻>>离子刻蚀>>N型电极（镀膜、退火、刻蚀）>>P型电极（镀膜、退火、刻蚀）>>划片>>晶粒分检、分级（小汤）

多量子阱型是在芯片发光层的生长过程中，掺杂不同的杂质以制造结构不同的量子阱，通过不同量子阱发出的多种光子复合直接发出白光。该方法提高发光效率，可降低成本，降低包装及电路的控制难度；但技术难度相对较大。

*文章为作者独立观点，不代表造价通立场，除来源是“造价通”外。
关注微信公众号造价通（zjtcn_Largedata），获取建设行业第一手资讯

热门推荐

相关阅读