霍尔效应测试仪技术参数

2018/06/19111 作者：佚名

导读： 变温，常温和液氮温度(77K)下测量;阻抗:10-6 to 107载流子浓度(cm-3):107 - 1021样品夹具:弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦);测量材料:所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)仪器尺寸(WxDxH):260*220*180 mm

变温，常温和液氮温度(77K)下测量;

阻抗:10-6 to 107

载流子浓度(cm-3):107 - 1021

样品夹具:

弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦);

测量材料:所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)

仪器尺寸(WxDxH):260*220*180 mm

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